[發明專利]低溫燒結Ba5(Nb,Sb)4O15系的微波介質陶瓷及其制備方法有效
| 申請號： | 200710008980.X | 申請日： | 2007-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN101050101A | 公開（公告）日： | 2007-10-10 |
| 發明（設計）人： | 熊兆賢;張沖 | 申請（專利權）人： | 廈門大學 |
| 主分類號： | C04B35/01 | 分類號： | C04B35/01;C04B35/495;C04B35/622;C04B35/632;C04B35/64;H01B3/12 |
| 代理公司： | 廈門南強之路專利事務所 | 代理人： | 馬應森 |
| 地址： | 361005福*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 低溫 燒結 ba sub nb sb 15 微波 介質 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
1.低溫燒結Ba5(Nb，Sb)4O15系的微波介質陶瓷，其特征在于其配方組成表達式為：Ba5(Nb1-xSbx)4O15+awt％H3BO3，其中：0≤x≤0.3，1＜a≤4。
2.如權利要求1所述的低溫燒結Ba5(Nb，Sb)4O15系的微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
1)將原料BaCO3，Nb2O5和Sb2O5按配方通式Ba5(Nb1-xSbx)4O15配料，將配制的化學原料混合球磨至少1h后的漿料烘干，再預燒，其中0≤x≤0.3；
2)預燒后的粉料加入a＝1～4wt％H3BO3，再經過球磨，烘干后采用PVA對其進行造粒，干壓成型，壓成圓片和圓柱樣品，在880～1000℃之間進行常壓燒結后，保溫，自然冷卻到室溫。
3.如權利要求2所述的低溫燒結Ba5(Nb，Sb)4O15系的微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于配制的化學原料混合球磨的球磨介質為水和鋯球。
4.如權利要求2所述的低溫燒結Ba5(Nb，Sb)4O15系的微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于預燒的溫度為950～1050℃，預燒的時間至少1h。
5.如權利要求2所述的低溫燒結Ba5(Nb，Sb)4O15系的微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于預燒后的粉料加入a＝1～4wt％H3BO3，再經過球磨的時間為2h。
6.如權利要求2所述的低溫燒結Ba5(Nb，Sb)4O15系的微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于所述的PVA的濃度為5％～7％。
7.如權利要求2所述的低溫燒結Ba5(Nb，Sb)4O15系的微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于所述的造粒過40～80目篩。
8.如權利要求2所述的低溫燒結Ba5(Nb，Sb)4O15系的微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于造粒后干壓成型的壓力為100～250MPa。
9.如權利要求2所述的低溫燒結Ba5(Nb，Sb)4O15系的微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于圓片樣品的厚度為1～3mm，直徑為10～15mm，圓柱的厚度為5～7mm，直徑為10～15mm。
10.如權利要求2所述的低溫燒結Ba5(Nb，Sb)4O15系的微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于常壓燒結的氣氛為空氣，升溫速率為≤75℃/min，燒結后保溫至少1h。
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