[發(fā)明專利]磁頭及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710008243.X
• 申請(qǐng)日: 2007-01-26
• 公開（公告）號(hào): CN101154387A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秋江正則
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士通株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11B5/39
• 分類號(hào): G11B5/39;G11B5/31
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 李輝

1.一種磁頭，

所述磁頭包括：

下屏蔽層；

形成在所述下屏蔽層上的讀元件；

連續(xù)地涂覆所述讀元件的側(cè)面和所述下屏蔽層的表面的絕緣層；

形成在所述絕緣層上的基層；以及

形成在所述基層上的硬磁層，

其中，所述絕緣層的涂覆所述讀元件的側(cè)面的部分沒有被基層涂覆。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，

其中，所述基層由按將所述硬磁層的磁化方向配向?yàn)槠叫杏谒龌鶎拥谋砻娴姆绞骄w生長(zhǎng)出所述硬磁層的材料制成。

3.一種磁頭的制造方法，

所述制造方法包括以下步驟：

在基板上形成下屏蔽層；

在所述下屏蔽層上形成讀元件；

形成絕緣層以連續(xù)涂覆所述讀元件的側(cè)面和所述下屏蔽層的表面；

在所述絕緣層上形成基層；

從所述絕緣層去除所述基層的與所述讀元件的側(cè)面對(duì)應(yīng)的部分；以及

在所述基層的留在所述讀元件的兩側(cè)上的剩余部分上形成硬磁層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，

其中，通過按在所述讀元件的側(cè)面與所述硬磁層之間不形成間隙的方式對(duì)工件的表面進(jìn)行斜對(duì)濺射來形成所述硬磁層。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，

其中，使用按將所述硬磁層的磁化方向配向?yàn)槠叫杏谒龌鶎拥谋砻娴姆绞骄w生長(zhǎng)出所述硬磁層的材料來在所述絕緣層上形成所述基層。