[發明專利]磁頭及其制造方法

無效

• 申請號: 200710008243.X
• 申請日: 2007-01-26
• 公開（公告）號: CN101154387A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發明（設計）人: 秋江正則
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: G11B5/39
• 分類號: G11B5/39;G11B5/31
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 李輝

技術領域

本發明涉及磁頭以及該磁頭的制造方法，更確切地說，涉及包括CPP(電流垂直于平面)型讀頭并且特征在于硬磁層的設置的磁頭以及該磁頭的制造方法。

背景技術

圖6是從空氣軸承(air?bearing)面側看到的包括CPP型讀頭的常規磁頭的剖面圖。在CPP型讀頭中，感應電流沿讀元件10的厚度方向(膜層疊方向)流動以讀取磁數據。因此，讀元件10的側面和下屏蔽層18的形成有讀元件10的表面涂覆有例如氧化鋁的絕緣層12。

硬磁層14形成在讀元件10的兩側上。硬磁層14向讀元件10的自由層施加磁場，以使得自由層的磁疇穩定。硬磁層14由具有大矯頑力的磁性材料制成，例如CoCrPt、CoPt。

硬磁層14沿著與讀元件10的自由層的平面方向平行的水平方向發生磁化。常規上，為了使硬磁層14沿水平方向磁化，通過在絕緣層12的表面上形成基層16并且在基層16上分別形成硬磁層14來形成硬磁層14。形成基層16以使得晶體生長出硬磁層14并且使其磁化方向配向為水平方向。常規上，基層16由Cr、CrTi等制成。

例如，在日本特開2004-152334號公報和日本特開2004-303309號公報中公開了常規磁頭。

如上所述，在包括CPP型讀頭的磁頭中，讀元件10的側面涂覆有絕緣膜12，絕緣膜12的表面涂覆有基層16，并且在基層16上形成有硬磁層14。與其中硬磁層直接接觸讀元件的CIP(電流在平面內)型讀頭相比，由于絕緣層12和基層16的厚度而減小了由硬磁層14生成并且施加到讀元件10的偏磁場的強度。

硬磁層14使得讀元件1的自由層的磁疇穩定。如果硬磁層14的偏磁場沒有適當地施加到讀元件10，則讀頭的檢測性能劣化。

為了適當地將硬磁層14的偏磁場施加到讀元件10，可以由具有大矯頑力的材料來制造硬磁層14，或者可以使絕緣層12更薄。然而，用于形成硬磁層14的鐵磁材料是有限的；并且，如果絕緣層12過薄，則會喪失其電絕緣性能，所以將絕緣層12變薄也是有限的。

發明內容

構想了本發明以解決上述問題。

本發明的目的是提供一種包括CPP型讀頭的磁頭，其能夠有效地將硬磁層的偏磁場施加到讀頭以改進并穩定檢測性能。

另一目的是提供所述磁頭的制造方法。

為了實現這些目的，本發明具有以下結構。

即，本發明的磁頭包括：下屏蔽層；形成在所述下屏蔽層上的讀元件；連續涂覆所述讀元件的側面和所述下屏蔽層的表面的絕緣層；形成在所述絕緣層上的基層；以及形成在所述基層上的硬磁層，所述磁頭的特征在于，所述絕緣層的涂覆所述讀元件側面的部分沒有涂覆有基層。

在該磁頭中，基層可以由按使得硬磁層的磁化方向配向為平行于基層表面的方式晶體生長出硬磁層的材料制成。利用此結構，硬磁層能夠有效地將偏磁場施加到讀元件。

接著，所述磁頭的制造方法包括如下步驟：在基板上形成下屏蔽層；在所述下屏蔽層上形成讀元件；形成絕緣層以連續涂覆所述讀元件的側面和所述下屏蔽層的表面；在所述絕緣層上形成基層；從所述絕緣層去除所述基層的與所述讀元件的側面對應的部分；以及在所述基層的留在所述讀元件的兩側上的剩余部分上形成硬磁層。

在該方法中，可以通過按在讀元件的側面與硬磁層之間不形成間隙的方式對工件的表面進行斜對濺射來形成硬磁層。此外，在該方法中，可以使用按使得硬磁層的磁化方向配向為平行于基層表面的方式晶體生長出硬磁層的材料來在絕緣層上形成基層。在此情況下，硬磁層能夠有效地將偏磁場施加到讀元件。

通過采用本發明的磁頭和方法，可以使硬磁層更靠近讀元件，從而可以將硬磁層的偏磁場有效地施加到讀元件。因此，可以改進讀頭的磁數據檢測性能，并且可以制造具有穩定特性的磁頭。

附圖說明

現在以示例的方式并參照附圖對本發明的實施例進行描述，在附圖中：

圖1是本發明實施例的磁頭的剖面圖；

圖2A至2E是示出本實施例的磁頭的制造步驟的說明圖；

圖3A至3C是示出本實施例的磁頭的進一步制造步驟的說明圖；

圖4是磁盤驅動單元的平面圖；

圖5是磁頭浮動塊的立體圖；以及

圖6是常規磁頭的剖面圖。

具體實施方式

現在參照附圖對本發明的優選實施例進行詳細描述。

(磁頭的結構)