[發明專利]感光式芯片封裝構造及其制造方法

有效

• 申請號: 200710007981.2
• 申請日: 2007-02-01
• 公開（公告）號: CN101236978A
• 公開（公告）日: 2008-08-06
• 發明（設計）人: 劉建宏
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/50
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳晨

技術領域

本發明涉及一種感光式芯片封裝構造及其制造方法，尤其涉及一種可增加光線穿透率，以提高解析度的感光式芯片封裝構造及其制造方法。

背景技術

隨著影音多媒體的盛行，數碼影像設備相繼推出，其關鍵核心零部件圖像傳感器的地位也日益重要。圖像傳感器主要負責將光的圖像信號轉換成電信號，而依感測元件的類型通常可分為電荷耦合元件(Charge?CoupledDevice，簡稱CCD)圖像傳感器以及互補式金屬氧化物半導體(ComplementaryMetal?Oxide?Semiconductor，簡稱CMOS)圖像傳感器等。其中，由于互補式金屬氧化物半導體圖像傳感器具有低價位、低耗電量、像素可隨機讀取以及高整合度等優點，因此目前多被應用在拍照手機以及網絡攝影機(webcam)等較為平價的產品中。

而圖13為已知圖像傳感器的剖面示意圖，該圖像傳感器80的感光芯片81配置在基底82中，其中感光芯片81例如是由基底82中多個具有p-n結(p-n?junction)的光二極管(photo?diode)所構成。更詳細地說，感光芯片81通常是由基底82中的n型摻雜區、p型摻雜區以及n型摻雜區與p型摻雜區之間自然形成的p-n結所構成。

內連線層(interconnection?layer)84配置在基底82上，且其中包含有許多金屬內連線以及位于這些金屬內連線之間的介電層(圖中未標示)，這些金屬內連線適于將感光芯片81所接收到的信號傳輸至電路板85，以進行后續的圖像處理。而彩色濾光片86以陣列排列方式配置在內連線層84上，并對應至基底82中的感光芯片81，且每一彩色濾光片86上方均覆蓋有用以聚集光線的微透鏡87，而微透鏡87的上方則配置有玻璃基板88，并通過支撐物89而與內連線層84連接。

外界光線91經由微透鏡87以及彩色濾光片86而入射至內連線層84中，進而被感光芯片81所接收。因此，內連線層84中的金屬內連線的布局必須避開感光芯片81的上方，以避免作為金屬內連線的金屬層(圖中未標示)反射光線而降低感光芯片81所感測到光線強度，所以工藝上較為繁雜。

此外，內連線層84中的介電層(圖中未標示)也會阻擋部分的入射光線(也即吸收或反射光線)，而使光線強度在內連線層84中逐漸衰減，進而導致感光芯片81所感測到光線強度不足。

發明內容

有鑒于此，本發明的主要目的即在提供一種可增加光線穿透率，以提高解析度的感光式芯片封裝構造及其制造方法。

為實現上述發明目的，本發明的技術方案為：

一種感光式芯片封裝構造，其至少包含有：晶片，設有第一、二表面，其第一表面通過設有接合層與數個感光芯片結合；數個感光芯片，各感光芯片間具有間隔，通過接合層設置在晶片的第一表面上，其各感光芯片上方分別設有彩色濾光陣列；玻璃基板，其玻璃基板一側設有多個堰墻，并通過該堰墻設置于各感光芯片的間隔處上方，并使玻璃基板與彩色濾光陣列形成適當間隙。

根據本發明的感光式芯片封裝構造，其中該晶片第二表面依序建構有基板、第一絕緣層、導電層，以及最外圍的第二絕緣層與電路接腳，各電路接腳穿過第二絕緣層與導電層接觸。

根據本發明的感光式芯片封裝構造，其中該彩色濾光陣列利用接合層分別設置于各感光芯片上方。

根據本發明的感光式芯片封裝構造，其中該堰墻為光阻材料。

根據本發明的感光式芯片封裝構造，其中該光阻材料為防焊綠漆。

本發明還提供一種感光式芯片封裝的制造方法，該方法包括下列步驟：a、在晶片一側設置接合層，并于接合層上建構有多個感光芯片；b、在感光芯片上設置彩色濾光陣列；c、提供設有堰墻的玻璃基板；d、將該玻璃基板覆蓋于彩色濾光陣列上方，并利用堰墻使玻璃基板與彩色濾光陣列形成適當間隙。

根據本發明的感光式芯片封裝的制造方法，其中在步驟d后可進一步進行基板粘著、第一絕緣層建構、第一次切割、導電層建構、第二絕緣層建構、設置電路接腳以及第二次切割等步驟。

根據本發明的感光式芯片封裝的制造方法，其中該基板粘著步驟于晶片相對應于感光芯片的另側通過接合層粘著基板。

根據本發明的感光式芯片封裝的制造方法，其中該第一絕緣層建構步驟于基板上涂布有絕緣材料，再利用曝光顯影方式在基板的特定位置形成第一絕緣層。

根據本發明的感光式芯片封裝的制造方法，其中該第一次切割步驟于基板異于第一絕緣層形成有第一道凹溝。

根據本發明的感光式芯片封裝的制造方法，其中該第一道凹溝的深度以接觸到堰墻為佳。