[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710007333.7
• 申請(qǐng)日: 2007-01-24
• 公開（公告）號(hào): CN101231977A
• 公開（公告）日: 2008-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 傅文勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南茂科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/485
• 分類號(hào): H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 任永武

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包含：

一基材；

一集成電路，布局于該基材上；

一鈍化層，覆蓋于設(shè)有該集成電路的該基材上，形成非平坦的一第一上表面；

一阻隔層，形成于該鈍化層之上，形成平坦的一第二表面；以及

一底層金屬，形成于該阻隔層的該第二表面上。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于還包含一凸塊，形成于該底層金屬之上。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該阻隔層是由聚酰亞胺所制成。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該阻隔層是由氧化物所制成。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該底層金屬是由鈦鎢合金所制成。

6.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包含下列步驟：

于已布局一集成電路的基材上，形成具有一非平坦第一表面的一鈍化層；

形成具有一平坦第二表面的阻隔層，以使該鈍化層平坦化；以及

形成一底層金屬，于該阻隔層的第二表面上，以構(gòu)成一電鍍程序的一導(dǎo)電界面。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于該構(gòu)成導(dǎo)電界面的步驟后，還包含下列步驟：電鍍一凸塊于該底層金屬上，以形成一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。