[發明專利]半導體裝置制造方法

無效

• 申請號: 200710007250.8
• 申請日: 2007-01-25
• 公開（公告）號: CN101097870A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發明（設計）人: 咸哲英;郭魯烈
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/322;H01L21/324
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種半導體裝置制造方法，所述方法包括：

在半導體襯底上形成用于高壓晶體管的柵極；

采用雙摻雜漏極掩模通過離子注入工藝在所述半導體襯底內形成雙摻雜漏極結；以及

通過缺陷恢復退火工藝清除離子注入工藝期間在所述雙摻雜漏極結內形成的點缺陷。

2.根據權利要求1的方法，其中使用約5KeV至約50KeV的能量并使用約1E11離子/cm²至約1E14離子/cm²的劑量，由此執行所述離子注入工藝。

3.根據權利要求1的方法，其中以垂直的碰撞傾斜角度執行所述離子注入工藝。

4.根據權利要求3的方法，其中以約3度至約45度的垂直碰撞傾斜角度執行所述離子注入工藝。

5.根據權利要求1的方法，其中在約800℃至約820℃的溫度范圍下使用氮氣且以約20℃/秒至約250℃/秒的升溫速度執行所述缺陷恢復退火工藝，且時間設置為約0分鐘至約300分鐘。

6.根據權利要求1的方法，還包括在所述缺陷恢復退火工藝之后，執行激活所述雙摻雜漏極結的離子的高溫熱處理工藝。