[發明專利]閃存裝置制造方法

無效

• 申請號: 200710007249.5
• 申請日: 2007-01-25
• 公開（公告）號: CN101140908A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發明（設計）人: 張民植
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/762
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種閃存裝置制造方法，包括：

蝕刻層疊于半導體襯底上的部分隧穿氧化物層、第一多晶硅層、硬掩模層和半導體襯底，其中所述蝕刻形成溝槽；

使用絕緣層填充所述溝槽，由此形成隔離層；

清除所述隔離層的部分頂面，由此控制所述隔離層的有效場高度，同時部分地暴露所述第一多晶硅層的側部；

使用二氯硅烷為源氣體，在包括所述暴露的第一多晶硅層的各個隔離層的表面上形成用于間隙壁的氧化物層；

執行蝕刻工藝，使得所述氧化物層保留在所述第一多晶硅層的側部上，由此形成間隙壁；

將所述間隙壁之間的隔離層蝕刻至一厚度；

清除所述間隙壁；以及

在各個隔離層的表面上形成介電層和第二多晶硅層。

2.根據權利要求1的方法，其中使用摻雜多晶硅層，或者包括未摻雜多晶硅層和摻雜多晶硅層的雙層結構中的一種形成所述第一多晶硅層。

3.根據權利要求1的方法，其中所述硬掩模層包括緩沖氧化物層和氮化物層。

4.根據權利要求1的方法，還包括在形成所述氧化物層之前除去所述硬掩模層。

5.根據權利要求1的方法，其中通過單晶片型低壓化學氣相沉積形成所述氧化物層。

6.根據權利要求5的方法，其中在700至850℃的溫度范圍和50至500Torr的壓力范圍內形成所述氧化物層。

7.根據權利要求5的方法，其中所述氧化物層形成至200至500埃的厚度。

8.根據權利要求5的方法，其中當形成所述氧化物層時，硅源氣體采用二氯硅烷，氧源氣體采用N₂O，承載及凈化源氣體采用N₂。

9.根據權利要求8的方法，其中所述源氣體N₂O和二氯硅烷的比率設置為20∶1至3000∶1之間的范圍。

10.根據權利要求1的方法，其中所述氧化物層包括比率為1∶1.9至1∶2.5之間的硅和氧，且折射率為1.4至1.45之間。

11.根據權利要求1的方法，其中通過干法蝕刻工藝形成所述間隙壁。

12.根據權利要求1的方法，其中通過采用稀釋的氧化物蝕刻劑或HF的濕法蝕刻工藝清除所述間隙壁。

13.根據權利要求12的方法，其中在所述間隙壁清除工藝時，所述濕法蝕刻速率設置為三倍至兩百倍的范圍內。