[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710005832.2
• 申請(qǐng)日: 2007-02-25
• 公開（公告）號(hào): CN101110401A
• 公開（公告）日: 2008-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盧思維;鄒覺倫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/485
• 分類號(hào): H01L23/485;H01L25/00;H01L25/065;H01L25/18;H01L23/488
• 代理公司: 隆天國際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 陳晨

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片，特別涉及一種半導(dǎo)體封裝技術(shù)。

背景技術(shù)

圖1為已知集成電路封裝結(jié)構(gòu)10的剖面示意圖，例如Amkor揭示的塑料無引腳芯片封裝結(jié)構(gòu)(leadless?plastic?chip?carrier，LPCC)。塑料無引腳芯片封裝結(jié)構(gòu)10包括暴露的芯片端(die?paddle)12，與銅引腳架(leadframe)14連接。軟焊料鍍層(solder?plating)16，形成于引腳架14下表面。銀鍍層(silverplating)18，形成于引腳架14上表面。半導(dǎo)體芯片，通過芯片附著材料層(dieattach?material?layer)20附著于銀鍍層18上。多條金焊線(wire?bond)，形成于芯片上表面與引腳架14之間，例如接地焊線(ground?bond)22、下焊線(downbond)24及其他輸入/輸出焊線(I/O?bond)26。封膠材料層(mold?compoundlayer)28，包覆上述結(jié)構(gòu)。之后，將塑料無引腳芯片封裝裝置連接至例如印刷電路板(printed?circuit?board，PCB)(未圖示)。

圖1的塑料無引腳芯片封裝結(jié)構(gòu)(LPCC)10會(huì)存在著因打線接合(wirebonding)而誘導(dǎo)產(chǎn)生的高寄生電感(parasitic?inductance)，特別是當(dāng)與以下描述的倒裝接合(flip?chip?bonding)技術(shù)比較時(shí)。寄生電感會(huì)沖擊裝置的效能，特別是射頻(radio?frequency，RF)裝置。塑料無引腳芯片封裝結(jié)構(gòu)(LPCC)體積也較倒裝封裝結(jié)構(gòu)大。此外，芯片與芯片焊盤(die?pad)間的粘著性差，且打線接合焊盤(wire?bonding?pad)易在薄晶片去接合/移除過程中被污染。

業(yè)界對(duì)于如何提升集成電路運(yùn)算速度與增加裝置密度方面，一直有持續(xù)不斷地研究與努力。結(jié)果開發(fā)出許多新的用來封裝復(fù)雜高速集成電路的封裝方法，其中之一即是關(guān)于已知“倒裝”的封裝技術(shù)，例如McMahon所公開的美國專利第6,075,712號(hào)。倒裝封裝技術(shù)的封裝成本高，裝置效能可獲相當(dāng)程度的改善。

一種先進(jìn)的封裝與內(nèi)部接合(interconnect)方法是目前所需要的。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，包括：半導(dǎo)體基板，具有上表面與下表面，該上表面包含至少一裝置區(qū)；至少一溝槽，從該基板下表面穿過該基板，并連接至該裝置區(qū)；導(dǎo)電層，填入部分該溝槽；以及粘著層，沉積于該導(dǎo)電層上，并填滿該溝槽。

根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，還包括引腳架，通過該粘著層與該基板下表面連接。

根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，還包括至少一偽溝槽，從該基板下表面至少穿過部分該基板，其中該導(dǎo)電層填入部分該偽溝槽，該粘著層填滿該偽溝槽。

根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，還包括：內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，形成于該裝置區(qū)上；至少一焊盤，形成于該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)上，并與該溝槽電連接；第二半導(dǎo)體基板，具有上表面與下表面，該上表面包含至少一裝置區(qū)，該第二半導(dǎo)體基板設(shè)置于該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)上；至少一溝槽，從該第二半導(dǎo)體基板下表面穿過該第二半導(dǎo)體基板，并連接至該第二半導(dǎo)體基板的裝置區(qū)；以及第二導(dǎo)電層，填入穿過該第二半導(dǎo)體基板的至少一溝槽，其中該焊盤與該第二導(dǎo)電層電連接。

根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，還包括第二粘著層，設(shè)置于該焊盤與該第二導(dǎo)電層之間。

根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，還包括至少一偽溝槽，至少穿過部分該第二半導(dǎo)體基板，該第二粘著層至少填入部分該至少之一偽溝槽。

根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，還包括內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，形成于該裝置區(qū)上，其中該導(dǎo)電層與該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)電連接。

根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，還包括：內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，形成于該裝置區(qū)上；以及導(dǎo)線，穿過該基板，該引腳架的輸入/輸出端口通過該導(dǎo)線與一部分該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)電連接。

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，包括：半導(dǎo)體基板，具有上表面與下表面，該上表面包含至少一裝置區(qū)；至少一偽溝槽，從該基板下表面至少穿過部分該基板；引腳架；以及粘著層，設(shè)置于該基板下表面與該引腳架之間。

根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，還包括第二物質(zhì)層，設(shè)置于該偽溝槽內(nèi)，該粘著層設(shè)置于該第二物質(zhì)層上。

根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，其中該第二物質(zhì)層填入部分該偽溝槽，該粘著層填滿該偽溝槽。

根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，其中該第二物質(zhì)層包括銅，該粘著層包括軟焊料或包含銀的導(dǎo)電膏。

根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，其中該粘著層至少填入部分該偽溝槽。