[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710005832.2 | 申請(qǐng)日: | 2007-02-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101110401A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-01-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 盧思維;鄒覺(jué)倫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/485 | 分類號(hào): | H01L23/485;H01L25/00;H01L25/065;H01L25/18;H01L23/488 |
| 代理公司: | 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 陳晨 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置,包括:
半導(dǎo)體基板,具有上表面與下表面,該上表面包含至少一裝置區(qū);
至少一溝槽,從該基板下表面穿過(guò)該基板,并連接至該裝置區(qū);
導(dǎo)電層,填入部分該溝槽;以及
粘著層,沉積于該導(dǎo)電層上,并填滿該溝槽。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,還包括引腳架,通過(guò)該粘著層與該基板下表面連接。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,還包括至少一偽溝槽,從該基板下表面至少穿過(guò)部分該基板,其中該導(dǎo)電層填入部分該偽溝槽,該粘著層填滿該偽溝槽。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置,還包括:
內(nèi)連線結(jié)構(gòu),形成于該裝置區(qū)上;
至少一焊盤,形成于該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)上,并與該溝槽電連接;
第二半導(dǎo)體基板,具有上表面與下表面,該上表面包含至少一裝置區(qū),該第二半導(dǎo)體基板設(shè)置于該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)上;
至少一溝槽,從該第二半導(dǎo)體基板下表面穿過(guò)該第二半導(dǎo)體基板,并連接至該第二半導(dǎo)體基板的裝置區(qū);以及
第二導(dǎo)電層,填入穿過(guò)該第二半導(dǎo)體基板的至少一溝槽,其中該焊盤與該第二導(dǎo)電層電連接。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置,還包括第二粘著層,設(shè)置于該焊盤與該第二導(dǎo)電層之間。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置,還包括至少一偽溝槽,至少穿過(guò)部分該第二半導(dǎo)體基板,該第二粘著層至少填入部分該至少之一偽溝槽。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,還包括內(nèi)連線結(jié)構(gòu),形成于該裝置區(qū)上,其中該導(dǎo)電層與該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)電連接。
8.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置,還包括:
內(nèi)連線結(jié)構(gòu),形成于該裝置區(qū)上;以及
導(dǎo)線,穿過(guò)該基板,該引腳架的輸入/輸出端口通過(guò)該導(dǎo)線與一部分該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)電連接。
9.一種半導(dǎo)體裝置,包括:
半導(dǎo)體基板,具有上表面與下表面,該上表面包含至少一裝置區(qū);
至少一偽溝槽,從該基板下表面至少穿過(guò)部分該基板;
引腳架;以及
粘著層,設(shè)置于該基板下表面與該引腳架之間。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置,還包括第二物質(zhì)層,設(shè)置于該偽溝槽內(nèi),該粘著層設(shè)置于該第二物質(zhì)層上。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置,其中該第二物質(zhì)層填入部分該偽溝槽,該粘著層填滿該偽溝槽。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置,其中該第二物質(zhì)層包括銅,該粘著層包括軟焊料或包含銀的導(dǎo)電膏。
13.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置,其中該粘著層至少填入部分該偽溝槽。
14.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置,還包括:
內(nèi)連線結(jié)構(gòu),形成于該半導(dǎo)體基板的裝置區(qū)上;
第二半導(dǎo)體基板,具有上表面與下表面,該上表面包含第二裝置區(qū),該第二半導(dǎo)體基板設(shè)置于該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)上;
至少一偽溝槽,至少穿過(guò)部分該第二半導(dǎo)體基板;以及
第二粘著層,設(shè)置于該第二半導(dǎo)體基板的下表面與該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)之間,該第二粘著層至少填入該第二半導(dǎo)體基板的部分偽溝槽。
15.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),包括:
第一芯片,包含具有上表面與下表面的第一半導(dǎo)體基板,該上表面包含至少一裝置區(qū),至少一溝槽,通過(guò)該半導(dǎo)體基板與該裝置區(qū)連接,且該溝槽包含至少一導(dǎo)電層,至少一偽溝槽,定義于該半導(dǎo)體基板中;
引腳架,通過(guò)該導(dǎo)電層與該第一芯片連接;以及
第二芯片,設(shè)置于該第一芯片上,并通過(guò)該第一芯片與該引腳架電連接。
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