[發(fā)明專利]光刻法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710005302.8
• 申請(qǐng)日: 2007-02-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101086626A
• 公開(kāi)（公告）日: 2007-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁輔杰;許林弘;陳俊光;高蔡勝;林本堅(jiān)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20;H01L21/027
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 陳晨

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種光刻法，特別涉及一種減少污染的光刻法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體制造過(guò)程技術(shù)持續(xù)不斷地進(jìn)行以降低特征尺寸，例如65nm、45nm到更小的尺寸，則須采用浸潤(rùn)式光刻(immersion?lithography)方式。然而，利用浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)的光刻處理期間，例如氣泡(bubble)、顆粒(particle)和水痕(water?residue)等污染會(huì)進(jìn)入浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)中，且會(huì)污染將要進(jìn)行制造過(guò)程的半導(dǎo)體芯片。這種污染會(huì)導(dǎo)致缺陷(defect)和成品率下降。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于此，本發(fā)明的目的在于可以降低或大體上消除在光刻法處理期間的污染。

為實(shí)現(xiàn)發(fā)明的上述目的，本發(fā)明提供一種光刻法，以圖案化位于一基板上的多個(gè)區(qū)域。所述光刻法包括利用一輻射束沿著一第一方向掃描一第一區(qū)域；然后步進(jìn)至鄰接于該第一區(qū)域的一第二區(qū)域，且當(dāng)該第一區(qū)域和該第二區(qū)域兩者沿該第一方向觀看時(shí)，該第二區(qū)域位于該第一區(qū)域之后；然后利用所述輻射束沿著該第一方向掃描該第二區(qū)域，其中所述步進(jìn)至該第二區(qū)域包括沿著一步進(jìn)方向從該第一區(qū)域步進(jìn)至該第二區(qū)域，該步進(jìn)方向與該第一方向之間的夾角小于20°。

所述光刻法還可包括步進(jìn)至鄰接于該第二區(qū)域的一第三區(qū)域，該第三區(qū)域設(shè)置于包括該第一區(qū)域和該第二區(qū)域的一長(zhǎng)條區(qū)中，且當(dāng)該第二區(qū)域和該第三區(qū)域兩者沿該第一方向觀看時(shí)，該第三區(qū)域位于該第二區(qū)域之后。然后利用所述輻射束沿著該第一方向掃描該第三區(qū)域。所述光刻制造方法還可包括圖案化位于該基板上另一長(zhǎng)條區(qū)中的多個(gè)區(qū)域，包括下列步驟：利用一輻射束沿一第二方向掃描一第五區(qū)域；步進(jìn)至鄰接于該第五區(qū)域的一第六區(qū)域，且當(dāng)該第五區(qū)域和該第六區(qū)域兩者沿該第二方向觀看時(shí)，該第六區(qū)域位于該第五區(qū)域之后；以及利用所述輻射束沿該第二方向掃描該第六區(qū)域。該第二方向可接近平行于該第一方向。另一實(shí)施例中該第二方向可接近相反于該第一方向。所述掃描該第一區(qū)域或掃描該第二區(qū)域可包括掃描包括一浸泡液的每一個(gè)區(qū)域，該浸泡液位于該基板和一物鏡系統(tǒng)之間。該輻射束可包括紫外線。該基板包括一影像層，鍍于該基板上。該基板包括一半導(dǎo)體芯片。所述掃描該第一區(qū)域和步進(jìn)至該第二區(qū)域的步驟包括一掃描速度和一步進(jìn)速度，該步進(jìn)速度小于該掃描速度。

本發(fā)明又提供一種光刻法，用以圖案化一基板，所述光刻法包括步驟：圖案化一基板的一第一面積，該第一面積具有多個(gè)區(qū)域，所述多個(gè)區(qū)域設(shè)置于沿第一方向延伸的一長(zhǎng)條區(qū)的多個(gè)空間位置中，所述圖案化一基板的該第一面積包括步驟：沿著接近平行于該第一方向的一(掃描)方向掃描每一個(gè)區(qū)域；以及沿著接近平行于該第一方向的一(步進(jìn))方向從每一個(gè)所述區(qū)域步進(jìn)至下一個(gè)區(qū)域，該步進(jìn)方向與該第一方向之間的夾角小于20°。

所述光刻法還可包括步驟：圖案化該基板的一第二面積，其中該第二面積大體上包圍該第一面積，且該第二面積接近于該基板的邊緣。所述圖案化該第二面積的步驟可包括掃描每一個(gè)區(qū)域；以及以最小步進(jìn)距離從一區(qū)域步進(jìn)至另一區(qū)域。該第二面積可以兩個(gè)同心圓之間的面積定義。所述兩個(gè)同心圓的半徑差值可小于55mm。

本發(fā)明又提供一種光刻法，用以監(jiān)控制造過(guò)程污染，所述光刻法包括步驟：圖案化一第一基板，其具有多個(gè)互斥區(qū)域，所述多個(gè)互斥區(qū)域包括相鄰的一第一區(qū)域和一第二區(qū)域，所述圖案化該第一基板的步驟包括：沿第一方向，以具有一第一移動(dòng)量的一掃描動(dòng)作，掃描該第一區(qū)域；然后，沿著第一步進(jìn)方向，以具有一第二移動(dòng)量一第一步進(jìn)動(dòng)作從第一區(qū)域步進(jìn)至第二區(qū)域；以及沿該第一方向，以具有一第三移動(dòng)量的一掃描動(dòng)作，掃描該第二區(qū)域，該第二移動(dòng)量大體上小于該第一移動(dòng)量和該第三移動(dòng)量，其中該第一步進(jìn)方向與該第一方向之間的夾角小于20°；圖案化一第二基板，該第二基板具有其它的多個(gè)互斥區(qū)域，所述其它的多個(gè)互斥區(qū)域包括相鄰的一第三區(qū)域和一第四區(qū)域，所述圖案化該第二基板的步驟包括：沿第二方向，以具有一第四移動(dòng)量的一掃描動(dòng)作，掃描該第三區(qū)域；然后，沿著第二步進(jìn)方向，以具有一第五移動(dòng)量一第二步進(jìn)動(dòng)作從該第三區(qū)域步進(jìn)至該第四區(qū)域；以及沿該第二方向，以具有一第六移動(dòng)量的一掃描動(dòng)作，掃描該第四區(qū)域，該第五移動(dòng)量大體上小于該第四移動(dòng)量和第六移動(dòng)量，其中該第二步進(jìn)方向相反于該第二方向；所述光刻制造方法還可包括比較該第一基板的一污染結(jié)果和該第二基板的一污染結(jié)果。