[發(fā)明專利]高散熱的發(fā)光二極管制作方法及其結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710003198.9
• 申請日: 2007-02-28
• 公開（公告）號: CN101257066A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 汪秉龍;莊峰輝;黃惠燕
• 申請（專利權(quán)）人: 宏齊科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司
• 代理人: 余朦;方挺

1.?一種高散熱的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括：

支架，其上具有第一電極及第二電極，所述第一電極上具有承載部，所述承載部上具有凹槽，所述承載部一端連接有導電接腳，在所述承載部背面形成有散熱凸部，所述第二電極上形成有焊接部及導電接腳；

發(fā)光芯片，其固設(shè)于所述凹槽上；

導線，其與所述發(fā)光芯片、所述第一電極和所述第二電極電連接；以及

外包覆體，其具有包覆所述承載部、所述發(fā)光芯片、所述導線及所述焊接部的座體，并且所述座體上承接有透鏡；

其中，當所述外包覆體包覆所述承載部、所述發(fā)光芯片、所述導線及所述焊接部后，使所述第一電極和所述第二電極的背面外露。

2.?如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述支架由厚料金屬制成。

3.?如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述凹槽與所述發(fā)光芯片間通過黏膠固定，所述黏膠為環(huán)氧樹脂。

4.?如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述外包覆體內(nèi)具有內(nèi)包覆體，所述內(nèi)包覆體包覆所述發(fā)光芯片。

5.?如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述散熱凸部呈圓形。

6.?如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述承載部及所述焊接部上具有多個穿孔。

7.?如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述包覆體為環(huán)氧樹脂混合物。

8.?如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述發(fā)光芯片為發(fā)光二極管芯片。

9.?如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述發(fā)光芯片與所述內(nèi)包覆體間夾設(shè)有一層熒光層。

10.?一種用于制作如權(quán)利要求1所述的具高散熱的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括：

a)、準備厚料金屬；

b)、將為厚料金屬成型為由第一電極和第二電極構(gòu)成的支架；

c)、在所述第一電極上涂布一層黏膠；

d)、將發(fā)光芯片黏固在所述黏膠上；

e)、將導線焊接于所述發(fā)光芯片上，再將所述導線分別與所述第一電極和所述第二電極電連接；

f)、在所述發(fā)光芯片、所述第一電極和所述第二電極、所述黏膠、所述導線以及所述支架上進行點膠；以及

g)、利用熱壓模形成封裝有所述發(fā)光芯片、所述黏膠、所述導線及所述支架的薄形座體與透鏡。

11.?如權(quán)利要求10所述的方法，其中，在步驟b中利用蝕刻或沖壓成型技術(shù)將所述厚料金屬成型為支架。

12.?如權(quán)利要求10所述的方法，其中，步驟b中的第一電極上具有承載部，所述承載部上具有凹槽及多個穿孔，所述承載部一端連接有導電接腳，并且所述承載部的背面形成有圓形的散熱凸部。

13.?如權(quán)利要求10所述的方法，其中，步驟b中的第二電極上形成有焊接部及導電接腳，所述焊接部上具有多個穿孔。

14.?如權(quán)利要求10所述的方法，其中，步驟c中的黏膠為液態(tài)環(huán)氧樹脂。

15.?如權(quán)利要求10所述的方法，其中，步驟f中的點膠是在所述發(fā)光芯片上點上硅膠以形成內(nèi)凹覆體，接著在所述支架、所述發(fā)光芯片、所述導線及所述內(nèi)包覆體表面包覆外包覆體，所述外包覆體為環(huán)氧樹脂混合物，并且采用熱壓成型技術(shù)將所述混合物成型為一體的座體及透鏡。

16.?如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述發(fā)光芯片為發(fā)光二極管芯片。

17.?如權(quán)利要求10所述的方法，其中，在制作白光的發(fā)光二極管時，在發(fā)光芯片上點上熒光膠體，再在熒光層上點上硅膠，接著在支架、發(fā)光芯片、導線及硅膠表面包覆環(huán)氧樹脂混合物，采用熱壓成型技術(shù)將混合物成型為一體的座體及透鏡。