[發(fā)明專利]可插接的卷帶式封裝構造以及使用該構造的電子裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710002640.6 | 申請日: | 2007-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN101231990A | 公開(公告)日: | 2008-07-30 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉光華 | 申請(專利權)人: | 南茂科技股份有限公司;百慕達南茂科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/498 | 分類號: | H01L23/498;H05K1/02;H05K1/18 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產(chǎn)權代理有限責任公司 | 代理人: | 壽寧;張華輝 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 插接 卷帶式 封裝 構造 以及 使用 電子 裝置 | ||
1.一種可插接的卷帶式封裝構造,其特征在于其包含:
一可撓性電路基板,其是具有一第一表面與一第二表面,其中該第一表面上形成有復數(shù)個引腳;
一晶片,其是具有復數(shù)個電極端,該晶片是設置于該基板的該第一表面上,并使這些電極端是電性連接至對應的引腳的內(nèi)端;以及
一封膠體,其是形成于該基板與該晶片之間;
其中,這些引腳的外端是排列在該基板的同一側緣并電鍍形成有復數(shù)個金手指。
2.根據(jù)權利要求1所述的可插接的卷帶式封裝構造,其特征在于其中這些金手指是包含有一電鍍銅層與一鎳金表面層。
3.根據(jù)權利要求2所述的可插接的卷帶式封裝構造,其特征在于其中所述的鎳金表面層是完全包覆該電鍍銅層的上表面與側面,以不顯露該電鍍銅層。
4.根據(jù)權利要求1所述的可插接的卷帶式封裝構造,其特征在于其中這些金手指為多排斜向排列或是多排交錯排列。
5.根據(jù)權利要求1所述的可插接的卷帶式封裝構造,其特征在于其中所述的基板為COF薄膜,且該晶片的這些電極端為凸塊,以覆晶接合至該基板。
6.一種電子裝置,其特征在于其包含:
一電路載板,其是具有至少一插槽;以及
至少一可插接的卷帶式封裝構造,其是包含一可撓性電路基板、一晶片以及一封膠體,該基板是具有一第一表面與一第二表面,其中該第一表面上形成有復數(shù)個引腳,該晶片是具有復數(shù)個電極端,該晶片是設置于該基板的該第一表面上,并使這些電極端是電性連接至對應的引腳的內(nèi)端,該封膠體是形成于該基板與該晶片之間;
其中,這些引腳的外端是排列在該基板的同一側緣并電鍍形成有復數(shù)個金手指,以供插接至該插槽。
7.根據(jù)權利要求6所述的電子裝置,其特征在于其中所述的卷帶式封裝構造是直立插接至該電路載板的該插槽。
8.根據(jù)權利要求6所述的電子裝置,其特征在于其中所述的電路載板為一主機板或是一可攜式電子裝置的電路板。
9.根據(jù)權利要求6所述的電子裝置,其特征在于其中這些金手指是包含有一電鍍銅層與一鎳金表面層。
10.根據(jù)權利要求6所述的電子裝置,其特征在于其中所述的晶片為DDR3記憶體晶片或記憶體時脈超過500Mhz的高頻晶片。
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