[發明專利]形成金屬薄膜和金屬布線圖案的方法及顯示面板制造方法

無效

• 申請號: 200710001440.9
• 申請日: 2007-01-08
• 公開（公告）號: CN101092685A
• 公開（公告）日: 2007-12-26
• 發明（設計）人: 金澤熙;尹弼相;姜鎬民;鄭培鉉
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/06;C23C14/54;G02F1/1333
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

技術領域

本發明涉及一種形成金屬薄膜和金屬布線圖案的方法和一種制造顯示面板的方法，更具體地，涉及一種使用例如銀合金形成可以提高與基底(例如玻璃基底)之間的粘接特性的低電阻金屬薄膜的方法以及使用所述金屬薄膜形成金屬布線圖案的方法。

背景技術

通常對于液晶顯示器(LCD)面板，改變構成單位像素的像素和公共電極之間的電場，從而控制提供于其間的液晶的光透射，由此顯示圖像。

LCD面板通常被提供以多個精細的金屬布線圖案，并且外部灰度電壓通過所述精細布線圖案施加到單位像素區，使得像素和公共電極之間的電場改變。

傳統上，為了形成精細金屬布線圖案，通常通過在玻璃基底上形成Al膜并且對其構圖而形成Al金屬布線。但是，對于Al金屬布線，遇到的困難是布線的電阻可以很高。在避免上述困難出現的嘗試中，進行了使用具有低電阻的銅(Cu)或銀(Ag)作為金屬布線物質替代Al的研究。具體地，由于Ag在布線物質中具有最低的電阻率，所以可以形成具有低電阻的金屬布線。

但是，因為銀對于下面的玻璃基底具有差的粘接特性，并且由于結果導致Ag金屬布線可以容易地從玻璃基底上分離，所以仍然會遇到困難。此外，被暴露的銀在后續的用于構圖的干法蝕刻中可能被損壞，所以可能非常難于使用Ag形成布線。

因而，需要一種形成可以提高與基底(例如玻璃基底)的粘接特性的低電阻金屬薄膜的方法以及一種使用所述金屬薄膜形成金屬布線圖案的方法。

發明內容

本發明的典型實施例提供了一種形成具有低電阻的金屬薄膜和布線圖案的方法，其中在使用銀-鉬合金形成含銀金屬薄膜時，提供氬(Ar)和含氧氣體的一定比例的氣體混合物，從而可以提高與下面的基底的粘接特性。

根據本發明的典型實施例，提供了一種形成金屬薄膜的方法。所述方法包括在對應于靶的區內定位基底，靶包括銀(Ag)并且被提供于反應空間內，向反應空間內提供惰性氣體和含氧氣體。此外，所述方法還包括通過在靶和基底之間產生等離子體而在基底上形成含銀(Ag)導電膜。

在實施例中，含氧氣體以對于提供給所述反應空間內的惰性氣體供應量的大約0.1至大約20％的量提供。在另一實施例中，含氧氣體以對于提供給所述反應空間內的惰性氣體供應量的大約5至大約15％的量提供。在又一實施例中，含氧氣體以對于提供給所述反應空間內的惰性氣體供應量的大約6至大約8％的量提供。

這里，優選含銀靶包括大約0.1至大約2wt％的Mo包含在Ag中的合金。

此外，在另一實施例中，所述惰性氣體包括氬(Ar)或氮(N₂)氣體。所述方法還包括在含銀導電膜上形成導電保護膜。導電保護膜包括IZO(氧化銦鋅)。

根據本發明的典型實施例，提供了一種形成金屬布線圖案的方法。所述方法包括提供透明基底，在所述透明基底上形成含銀(Ag)導電膜并且構圖所述含銀導電膜，其中所述含銀導電膜通過提供惰性氣體和含氧氣體而形成。

此外，含銀導電膜的形成包括在透明基底的上區提供包含銀合金的原材料物質，并且提供惰性氣體和含氧氣體；并且在包含銀合金的原材料物質和透明基底之間產生等離子體。

含銀導電膜包含鉬(Mo)和氧。

含氧氣體以對于惰性氣體供應量的大約0.1至大約20％的供應量提供。在另一實施例中，含氧氣體以對于惰性氣體供應量的大約5至大約15％的供應量提供。在又一實施例中，含氧氣體以對于惰性氣體供應量的大約6至大約8％的供應量提供。

所述方法還包括在含銀導電膜上形成導電保護膜。導電保護膜包括IZO(氧化銦鋅)。

根據本發明的典型實施例，提供了一種制造液晶顯示器面板的方法。所述方法包括在透明基底上形成第一含銀(Ag)導電膜，構圖第一含銀導電膜從而形成柵極、柵極布線、存儲電極布線和柵極焊盤；在包括形成于透明基底上的柵極、柵極布線、存儲電極布線和柵極焊盤的整個結構上形成柵極絕緣膜；在柵極的上區形成有源層。所述方法還包括形成設置在有源層上并與柵極部分重疊的源極和漏極、連接源極的源極布線、和源極焊盤，其中第一含銀導電膜通過提供惰性氣體和含氧氣體而形成。

含氧氣體以對于惰性氣體供應量的大約0.1至大約20％的供應量提供。在一實施例中，含氧氣體以對于惰性氣體供應量的大約5至大約15％的供應量提供。在另一實施例中，含氧氣體以對于惰性氣體供應量的大約6至大約8％的供應量提供。

所述方法還包括在所述第一含銀導電膜上形成第一導電保護膜的步驟。導電保護膜包括IZO(氧化銦鋅)。