[發明專利]載具、半導體裝置與傳輸接口系統

有效

• 申請號: 200710001247.5
• 申請日: 2007-01-09
• 公開（公告）號: CN101075571A
• 公開（公告）日: 2007-11-21
• 發明（設計）人: 余振華;蕭義理
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;H01L21/677;H01L21/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所
• 代理人: 劉新宇

技術領域

本發明是關于一種載具與設備接口，且特別是關于一種半導體晶圓載具與半導體設備接口。

背景技術

隨著電子產品的演進，半導體科技已廣泛地應用于制造存儲器、中央處理器(CPU)、液晶顯示裝置(LCD)、發光二極管(LED)、激光二極管以及其他裝置或晶片組。為了滿足高集成度與高速度的需求，半導體集成電路的尺寸已進一步的縮減，并已應用銅與極低介電常數材料并發展出了相關的制造技術。

圖1顯示了一已知介層洞(via?hole)結構的示意圖。于基底100上形成有一銅層110。于銅層110上形成有一極低介電常數層120。于極低介電常數層120內則形成有一介層洞130。當銅層110裸露于空氣中時，銅層110的頂面將與空氣成分中的氧反應，因此氧化形成一氧化銅層140。氧化銅層140將負面地影響介于銅層110頂面與填入于介層洞130的導電介層插拴間電性連接關系。此外，極低介電常數層120于暴露于空氣中時也會吸收水氣。如此，于形成如介層物開口、銅晶種層與于銅金屬化學機械研磨等重要制程步驟時需注意盡量避免暴露于空氣的情形。

一般而言，于結束重要的一制程步驟后，基底100將自施行上述重要制程步驟的一制程腔體移出并暫時地儲存于一已知晶圓盒(Cassette)或一前開式晶圓盒(FOUP)內，并等待下一步驟的進行。當晶圓盒或前開式晶圓盒的門蓋打開并允許基底100放置于其內時，來自于周遭環境中包括氧氣的空氣將流進于此晶圓盒或前開式晶圓盒內。并于關閉門蓋后，空氣與基底100將密封于此晶圓盒或前開式晶圓盒內。如前所述，氧氣將與基底100上的銅層110反應并形成氧化銅層140，而介電層則吸收晶圓盒中的水氣。

為了要解決這個問題，于半導體制程中的如此重要制程步驟結束后需設定一排隊時間(Q-time)。后續的一制程步驟需于一既定時間內或于此排隊時間內施行，例如為2-4小時內。當如形成阻障層的后續制程步驟并未于此排隊時間內進行，便需要額外施行一清洗步驟以移除銅層110上的氧化銅層140。

為了于基底100上形成高集成度的半導體裝置，于整體半導體制程中則采用了需進行排隊時間控管的多道重要步驟以保護基底。如此的排隊時間需求進而復雜化了整體制造流程。此外，當錯過排隊時間時，需采用如清洗步驟的額外步驟因而增加制程時間與困難度。

于美國第6,506,009號專利中提供了一種已知晶圓盒保管庫(cassette?stocker)，其將以提及方式而并入于本文中。而于美國第2003/0070960號的公開專利申請案則提供了用于儲存與運輸晶圓的一種已知晶圓盒，其將以提及方式并入于本文中。上述已知技術并無提供當基底儲存于或傳輸至晶圓盒或前開式晶圓盒時用于限制氧化形成或保護基底表面的裝置。

因此，便需要較佳的晶圓盒或載具以及設備接口。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種載具、半導體裝置與傳輸接口系統。

本發明所提供的載具包括：

一密閉容器，包括一門蓋；一儲存槽，連接該密閉容器而垂直或水平設置于該密閉容器的一側邊的內壁、一頂部的內壁、一底部的內壁之上或該門蓋上，該儲存槽包括至少一閥件且含有至少一流體，該流體包含至少一還原氣體、非反應氣體或惰性氣體；以及至少一基板載具，設置于該密閉容器內以支撐至少一基板。

本發明所述的載具，其中該載具內的一壓力是維持于高于環繞該載具的環境的一壓力。

本發明所述的載具，更包括一壓力維持裝置，以維持該載具內壓力于一壓力范圍之間。

本發明所述的載具，更包括一密封裝置，設置于該密閉容器與該門蓋之間，以于該門蓋處于關閉位置時密封該載具，并于該門蓋處于開啟位置或經移除后密封該密閉容器與一接口裝置。

本發明所述的載具，其中該儲存槽包括一第一閥件與一第二閥件，該第二閥件是用于當該密閉容器內的壓力是低于一既定壓力時釋放該流體的一氣體進入該密閉容器內，而該第一閥件是用于注入該流體進入該儲存槽內。

本發明所述的載具，其中該既定壓力約為1大氣壓。

本發明所述的載具，其中該流體包括氫氣與氨氣的氣體或液體之一。

本發明所述的載具，其中該儲存槽是設置于相鄰于該密閉容器的一頂部區而該流體的分子量是低于該載具內的一氣體的分子量，或者該儲存槽是設置于相鄰于該密閉容器的一底部區而該流體的分子量是高于該載具內的一氣體的分子量。

本發明所述的載具，其中該密閉容器內具有一氣體，該氣體包括一還原氣體與對于該基板而言不具反應性的一氣體。