[發(fā)明專利]磁存儲裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680056375.3
• 申請日: 2006-11-14
• 公開（公告）號: CN101536089A
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 佐藤賢治
• 申請（專利權(quán)）人: 富士通株式會社
• 主分類號: G11B5/02
• 分類號: G11B5/02;G11B5/31;G11B5/73;G11B5/84
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 黃綸偉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及具備垂直磁記錄介質(zhì)的磁存儲裝置。

背景技術(shù)

近年來，由于磁盤的介質(zhì)噪聲的減小以及對磁頭采用了自旋閥再現(xiàn)元件，磁存儲裝置，例如磁盤裝置的記錄密度得到了顯著的提高，實現(xiàn)了超過每平方英寸為100Gbit的面記錄密度。

以往，作為磁存儲裝置的磁記錄介質(zhì)，使用面內(nèi)記錄方式的磁記錄介質(zhì)。已知的是，該方式通過磁記錄介質(zhì)的殘留磁膜厚積(tBr)的縮小和高矯頑力(Hc)，實現(xiàn)介質(zhì)噪聲的減小。如果推進tBr的縮小，則記錄層的晶粒發(fā)生細微化，并且由于熱能的影響，記錄層的殘留磁逐漸減少，發(fā)生所謂的熱起伏的問題。此外，由于高Hc化也受限于記錄頭磁場的大小，因此很難實現(xiàn)這之上的高Hc化。由于這樣的背景，面內(nèi)記錄方式的磁記錄介質(zhì)很難實現(xiàn)這之上的高記錄密度化。

近年來，為了實現(xiàn)磁記錄介質(zhì)的進一步高記錄密度化，對垂直磁記錄方式的磁記錄介質(zhì)(垂直磁記錄介質(zhì))的開發(fā)變得活躍起來。垂直磁記錄方式具有如下優(yōu)點：由于相鄰記錄位的反磁場的影響，記錄在垂直磁記錄介質(zhì)的記錄位越是高記錄密度，殘留磁的大小越穩(wěn)定。其結(jié)果是，耐熱起伏性也得到強化。

此外，在垂直記錄介質(zhì)中，在基板和記錄層之間加有由軟磁性材料構(gòu)成的軟磁性襯底層。即使不加軟磁性襯底層，也能夠進行記錄/再現(xiàn)，但是通過將單磁極頭和襯底層組合，與以往的面內(nèi)記錄用頭相比，由記錄時的記錄元件產(chǎn)生的磁場能夠大幅度地增加到約1.3倍以上。由此，能夠?qū)Υ怪苯橘|(zhì)提供比面內(nèi)記錄介質(zhì)高的Hc。此外，軟磁性襯底層由于急劇地引入由記錄元件產(chǎn)生的磁場，因此磁場梯度變小，信號的寫入寬度的影響也減小。這樣，垂直磁記錄介質(zhì)與面內(nèi)磁記錄介質(zhì)相比，具有各種優(yōu)越性。

在具有這種記錄層和軟磁性襯底層的結(jié)構(gòu)中，存在如下的廣域磁道擦除(WATER；Wide?AdjacentTrack?Erasure：廣域相鄰磁道擦除)的問題：由于不經(jīng)由磁極而在旁軛(returnyoke)和屏蔽層(shield)之間環(huán)流的磁通以及由軟磁性襯底層的磁壁產(chǎn)生的磁通，記錄層的信息不期望地被擦除。

為了解決這個問題，在磁頭中采用了防止旁軛和屏蔽層之間的磁通環(huán)流的兩層線圈方式。另一方面，在垂直磁記錄介質(zhì)中，采用了在兩個軟磁性層中夾持預定厚度的Ru膜而具有彼此平行反向的磁性的反強磁性結(jié)構(gòu)體的軟磁性襯底層。

【專利文獻1】日本特開平6—103554號公報

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明在于提供一種磁存儲裝置，其具備在能夠抑制廣域磁道擦除的新穎且有用的垂直磁記錄介質(zhì)。

根據(jù)本發(fā)明的一個觀點，提供一種磁存儲裝置，其具備：垂直磁記錄介質(zhì)，其由圓盤狀的基板、形成于該基板上的軟磁性襯底層、以及形成于該軟磁性襯底層上的易磁化軸垂直于膜面的記錄層構(gòu)成；以及磁頭，其具有露出于介質(zhì)相對面的記錄元件和再現(xiàn)元件，其中，所述軟磁性襯底層的易磁化軸的取向沿周方向，所述記錄元件具有用于施加記錄磁場的由軟磁性材料構(gòu)成的主磁極部和用于使記錄磁場環(huán)流的由軟磁性材料構(gòu)成的旁軛部，所述旁軛部具有在介質(zhì)相對面配置在主磁極部的直徑方向的副旁軛，所述記錄磁場的磁通在軟磁性襯底層中沿直徑方向流通。

根據(jù)本發(fā)明，由于在介質(zhì)相對面沿主磁極部的直徑方向配置了副旁軛，因此，在記錄時，在軟磁性襯底層中，記錄磁場的磁通沿直徑方向流通。而且，易磁化軸的取向沿軟磁性襯底層的周方向，因此直徑方向成為難磁化軸，所以直徑方向比周方向的高頻磁導率高。因此，在高頻之下切換的磁通在直徑方向上更容易流通，能夠抑制記錄磁場在記錄層中向面內(nèi)方向擴展。其結(jié)果是，能夠抑制廣域磁道擦除。

附圖說明

圖1是示出本發(fā)明實施方式的磁存儲裝置的要部的圖。

圖2是構(gòu)成本實施方式的垂直磁記錄介質(zhì)的剖視圖。

圖3是形成有離子束織構(gòu)的基板的一部分的示意圖。

圖4是用于說明軟磁性襯底層的易磁化軸的取向的圖。

圖5是用于說明離子束織構(gòu)的形成方法的圖(其一)。

圖6是用于說明離子束織構(gòu)的形成方法的圖(其二)。

圖7是實施例的軟磁性襯底層的磁特性圖。

圖8是比較例的軟磁性襯底層的磁特性圖。

圖9是構(gòu)成本實施方式的磁頭的要部的放大立體圖。

圖10是示出磁頭的元件部的介質(zhì)相對面的結(jié)構(gòu)圖。

圖11是磁頭的元件部和垂直磁記錄介質(zhì)的剖視圖。

圖12是從磁頭的元件部和垂直磁記錄介質(zhì)的空氣流出端側(cè)觀察的剖視圖。

圖13是構(gòu)成本實施方式的另一垂直磁記錄介質(zhì)的立體圖。