[發明專利]磁存儲裝置

無效

• 申請號: 200680056375.3
• 申請日: 2006-11-14
• 公開（公告）號: CN101536089A
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發明（設計）人: 佐藤賢治
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: G11B5/02
• 分類號: G11B5/02;G11B5/31;G11B5/73;G11B5/84
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 黃綸偉

1.一種磁存儲裝置，其具備：

垂直磁記錄介質，其由圓盤狀的基板、形成于該基板上的軟磁性襯底層、和形成于該軟磁性襯底層上的易磁化軸垂直于膜面的記錄層構成；以及

磁頭，其具有露出于介質相對面的記錄元件和再現元件，

所述軟磁性襯底層的易磁化軸的取向沿周方向，

所述記錄元件具有用于施加記錄磁場的主磁極部和用于使記錄磁場環流的旁軛部，該主磁極部由軟磁性材料構成，該旁軛部由軟磁性材料構成，

所述旁軛部具有在介質相對面配置在主磁極部的直徑方向的副旁軛，所述記錄磁場的磁通在軟磁性襯底層中在直徑方向流通。

2.根據權利要求1所述的磁存儲裝置，其特征在于，在所述基板的表面具備織構，且與該織構相接地形成有軟磁性襯底層，其中，該織構具有沿周方向延伸的多個槽。

3.根據權利要求2所述的磁存儲裝置，其特征在于，在所述織構上沿周方向延伸有以機械方式形成的研磨痕。

4.根據權利要求2所述的磁存儲裝置，其特征在于，所述織構由大致沿一個方向延長的多個凸狀體構成，該凸狀體是沿周方向排列多個其長度方向而成的。

5.根據權利要求4所述的磁存儲裝置，其特征在于，所述織構是沿直徑方向且從相對于基板的表面傾斜的方向照射離子束來形成的。

6.根據權利要求2所述的磁存儲裝置，其特征在于，在所述基板與軟磁性襯底層之間還具備介電層，所述織構形成于介電層的表面而取代形成于基板的表面。

7.根據權利要求1所述的磁存儲裝置，其特征在于，所述基板具有沿周方向交替延伸的凸部和凹部，所述凸部和凹部沿直徑方向交替配置。

8.根據權利要求7所述的磁存儲裝置，其特征在于，在所述凸部的表面形成有織構，并與該織構相接地形成有軟磁性襯底層。

9.根據權利要求8所述的磁存儲裝置，其特征在于，在所述織構上沿周方向延伸有以機械方式形成的研磨痕。

10.根據權利要求8所述的磁存儲裝置，其特征在于，所述織構由大致沿一個方向延長的多個凸狀體構成，該凸狀體是沿周方向排列多個其長度方向而成的。

11.根據權利要求10所述的磁存儲裝置，其特征在于，所述織構是沿直徑方向且從相對于基板的表面傾斜的方向照射離子束來形成的。

12.根據權利要求7所述的磁存儲裝置，其特征在于，在所述凸部上的記錄層記錄信息。

13.根據權利要求1所述的磁存儲裝置，其特征在于，所述介質相對面的主磁極部具有空氣流出側比空氣流入側長的等腰梯形的形狀。

14.根據權利要求1所述的磁存儲裝置，其特征在于，所述副旁軛配置在介質相對面的主磁極部的直徑方向的兩側。