[發(fā)明專利]電子器件模塊及其制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200680056145.7 | 申請(qǐng)日: | 2006-11-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101529573A | 公開(kāi)(公告)日: | 2009-09-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 理查德·馬茨;露特·門(mén)納;斯特芬·沃爾特 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 奧斯蘭姆有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48;H01L23/14;H01L23/373 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 王 萍;李春暉 |
| 地址: | 德國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 德國(guó);DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子器件 模塊 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種電子器件模塊,其具有至少一個(gè)多層的電路支承體和 帶有冷卻體的冷卻裝置。此外,本發(fā)明還涉及一種用于制造這種電子器件 模塊的方法。
背景技術(shù)
已公開(kāi)了帶有多個(gè)多層電路支承體的電子器件模塊。這些電子器件模 塊例如通過(guò)LTCC(低溫共燒陶瓷)來(lái)制成,LTCC是一種用于由多個(gè)單 個(gè)層制造陶瓷電路支承體的高效率的技術(shù)。為此,用于通過(guò)沖裁進(jìn)行電穿 通接觸的、未燒結(jié)的陶瓷生片設(shè)置有開(kāi)口,其中開(kāi)口被填充以導(dǎo)電膏,并 且這些膜在其表面上以絲網(wǎng)印刷方法設(shè)置有平坦的線路結(jié)構(gòu)。多個(gè)這種單 個(gè)的層最后可以彼此層壓并且在較低的溫度情況下燒結(jié)。該工藝提供了掩 埋的多層布局結(jié)構(gòu)(Layout-Strukturen),這些布局結(jié)構(gòu)可以用于集成無(wú) 源的電路元件。此外,由此可以實(shí)現(xiàn)具有非常好的高頻特性、氣密地密封 并且具有良好的耐熱性的布局結(jié)構(gòu)。借助這些特性,LTCC技術(shù)適于應(yīng)用 在不利的環(huán)境(例如適于傳感器)中,適于應(yīng)用在高頻技術(shù)(例如移動(dòng)無(wú) 線電和雷達(dá)領(lǐng)域)中,以及適于應(yīng)用在功率電子設(shè)備(例如車(chē)輛電子設(shè)備、 傳動(dòng)控制裝置和發(fā)動(dòng)機(jī)控制裝置)中。然而,在熱的方面要求高的應(yīng)用通 常由于材料的較差的導(dǎo)熱能力而受到限制,其中材料典型地具有2W/m?K 的導(dǎo)熱能力。為了冷卻有源半導(dǎo)體器件(作為表面安裝部件,這些半導(dǎo)體 器件通常是這種LTCC模塊的部分),簡(jiǎn)單地將LTCC襯底安裝在冷卻體 上并不足夠。特別地,將LTCC襯底焊接或者粘合到冷卻體上,如在J. Schulz-Harder等人所著的“Micro?channel?water?cooled?power?modules”, 1至6頁(yè),PCIM?2000?Nuernberg中所描述的那樣,并不足夠。
LTCC陶瓷在標(biāo)準(zhǔn)工藝中與銀金屬化物兼容。因此,針對(duì)LTCC襯 底的一個(gè)常見(jiàn)解決方案是集成熱通孔。通孔是垂直的穿通接觸部,它們被 以含銀的導(dǎo)電膏填充,并且主要用于散熱。通過(guò)這種方式,可以實(shí)現(xiàn)20 W/m?K的平均導(dǎo)熱能力。與含銀的膜結(jié)合,能夠在垂直或者水平方向上 實(shí)現(xiàn)90W/m?K和150W/m?K的值。這由M.A.Zampino等人所著的 “LTCC?substrates?with?internal?cooling?channel?and?heat?exchanger”, Proc.Internat.Symp.on?Microelectronics?2003,Internat. Microelectronics?and?Packaging?Society(IMAPS),18.-20.11.2003, Boston,USA公開(kāi)。
另一解決方案是,將具有高損耗熱的半導(dǎo)體IC(集成電路),例如功 率放大器,在LTCC電路板的凹進(jìn)部分中直接安裝在散熱器上。
此外,公開(kāi)了如下解決方案:這些解決方案基于流體填充的通道的集 成。在此,冷卻通過(guò)具有高熱容的流體(例如水)的對(duì)流來(lái)進(jìn)行,如在上 面提及的、根據(jù)J.Schulz-Harder等人所著的“Micro?channel?water?cooled power?modules”的現(xiàn)有技術(shù)中以及此外在M.A.Zampino等人所著的 “Embedded?heat?pipes?with?MCM-C?Technology”,Proc.NEPCON?West 1998?Conference?Vol.2,Reed?Exhibition:Norwalk,CT?USA?1998,777- 785頁(yè),第2卷,(Conf.Anaheim,USA,1.-5.03.1998)中所描述的那樣。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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