[發明專利]電子器件模塊及其制造方法

無效

• 申請號: 200680056145.7
• 申請日: 2006-11-30
• 公開（公告）號: CN101529573A
• 公開（公告）日: 2009-09-09
• 發明（設計）人: 理查德·馬茨;露特·門納;斯特芬·沃爾特
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/14;H01L23/373
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 王 萍;李春暉

1.一種電子器件模塊，其包括至少一個多層的陶瓷電路支承體(2， 3)和帶有至少一個冷卻體(4)的至少一個冷卻裝置，

其特征在于，

在陶瓷電路支承體(2，3)和冷卻裝置(4)之間至少局部地設置有 復合層(5，6)，該復合層被構建為用于在主要工藝期間與陶瓷電路支承 體(2，3)反應性地連接，并且被構建為用于與冷卻裝置(4)連接。

2.根據權利要求1所述的電子器件模塊，其特征在于，

復合層(5，6)整面地構建在電路支承體(2，3)和冷卻裝置(4) 之間。

3.根據權利要求1或2所述的電子器件模塊，其特征在于，

冷卻裝置被構建為用于橫向的散熱，并且冷卻體(4)至少在一側橫 向地伸出電路支承體(2，3)的范圍。

4.根據上述權利要求中的任一項所述的電子器件模塊，其特征在于，

主要工藝是用于將陶瓷電路支承體(2，3)的單個層進行連接的低溫 共燒陶瓷工藝。

5.根據上述權利要求中的任一項所述的電子器件模塊，其特征在于，

復合層(5，6)至少構建為單層的、無器件的并且無線路的低溫共燒 陶瓷膜。

6.根據上述權利要求中的任一項所述的電子器件模塊，其特征在于，

復合層(5，6)至少部分地由玻璃構建。

7.根據上述權利要求中的任一項所述的電子器件模塊，其特征在于，

復合層(5，6)至少部分由納米晶體材料構建，特別是由納米晶體的 氧化鋁構建。

8.根據上述權利要求中的任一項所述的電子器件模塊，其特征在于，

復合層(5，6)至少部分由陶瓷材料構建，特別是由氧化硅和/或氮 化硅構建。

9.根據上述權利要求中的任一項所述的電子器件模塊，其特征在于，

復合層(5，6)至少部分地由反應性金屬構建，特別是由鈦構建。

10.根據上述權利要求中的任一項所述的電子器件模塊，其特征在 于，

電路支承體(2，3)和復合層(5，6)之間的復合結構通過在840℃ 到930℃之間的溫度下、特別是在大約900℃下的燒結工藝來構建。

11.根據上述權利要求中的任一項所述的電子器件模塊，其特征在 于，至少一個冷卻裝置(4)整體地構建在兩個多層的電路支承體(2，3) 之間。

12.一種用于制造電子器件模塊(1)的方法，其中至少一個陶瓷多 層電路支承體(2，3)與帶有至少一個冷卻體(4)的冷卻裝置連接，

其特征在于，

在陶瓷電路支承體(2，3)和冷卻裝置(4)之間至少局部構建有用 于將部件(2，3，4)連接的復合層(5，6)，其中復合層(5，6)在主要 工藝期間、特別是在電路支承體(2，3)的單個層的連接工藝期間反應性 地與電路支承體(2，3)相連。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，

將電路支承體構建為陶瓷的低溫共燒陶瓷電路支承體(2，3)，并且 在作為主要工藝的低溫共燒陶瓷工藝期間將復合層(5，6)與電路支承體 (2，3)連接。

14.根據權利要求12或13所述的方法，其特征在于，

在構建多層的電路支承體(2，3)之前在冷卻裝置(4)上構建復合 層(5，6)。

15.根據權利要求12至14中的任一項所述的方法，其特征在于，

將至少一個單層的、無器件的并且無線路的低溫共燒陶瓷膜構建為復 合層(5，6)。

16.根據權利要求12至15中的任一項所述的方法，其特征在于，

復合層(5，6)至少部分由玻璃構建，特別是通過絲網印刷來施加并 且隨后進行熱處理。