[發明專利]半導體不良分析裝置、不良分析方法、以及不良分析程序

無效

• 申請號: 200680054977.5
• 申請日: 2006-10-23
• 公開（公告）號: CN101467056A
• 公開（公告）日: 2009-06-24
• 發明（設計）人: 真島敏幸;嶋瀬朗;寺田浩敏;堀田和宏
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: G01R31/311
• 分類號: G01R31/311;G01N21/956
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍 淳

技術領域

本發明涉及用于對半導體器件的不良(defect)進行分析的半導體不良分析裝置、不良分析方法、以及不良分析程序。?

背景技術

作為取得用于分析半導體器件的不良的觀察圖像的半導體檢查裝置，目前使用放射顯微鏡、OBIRCH裝置、時間分解放射顯微鏡等。借助這些檢查裝置，使用作為不良觀察圖像而取得的發光圖像或OBIRCH圖像，能夠分析半導體器件的故障部位等的不良(例如，參照專利文獻1、2)。?

專利文獻1：日本專利申請公開第2003-86689號公報?

專利文獻2：日本專利申請公開第2003-303746號公報?

發明內容

近年來，在半導體不良分析中，成為分析對象的半導體器件的微細化和高集成化正在進行，使用上述的檢查裝置的不良部位的分析變得困難。因此，為了對這種半導體器件進行不良部位的分析，提高用于從不良觀察圖像來推斷半導體器件的不良部位的分析處理的可靠性及其效率是必要且不可缺的。?

本發明是為了解決上述的問題而提出的，其目的在于，提供一種能夠可靠且高效地進行使用不良觀察圖像的半導體器件的不良分析的半導體不良分析裝置、不良分析方法、以及不良分析程序。?

為了達到該目的，本發明的半導體不良分析裝置是分析半導體器件的不良的半導體不良分析裝置，其特征在于，具備：(1)檢查信息取得模塊，取得進行與不良相關的檢查而得到的、包含起因于不良的反應信息的不良觀察圖像，以作為半導體器件的觀察圖像；(2)布圖信息取得模塊，取得半導體器件的布圖信息；(3)不良分析模塊，參?照不良觀察圖像和布圖信息，進行與半導體器件的不良相關的分析，(4)不良分析模塊具有：區域設定模塊，用于參照不良觀察圖像，對應于反應信息而設定分析區域；配線信息分析模塊，參照分析區域，對半導體器件的布圖所包含的多個配線進行不良分析，(5)布圖信息，包含由半導體器件的層疊構造中的多個層的每一層中的配線圖案的圖案數據組記述半導體器件的多個配線的構成的配線信息，(6)配線信息分析模塊，將多個配線中通過分析區域的配線作為不良的候補配線而抽出，并且，在候補配線的抽出中，通過進行使用圖案數據組的配線圖案的等電位追蹤，從而抽出候補配線。?

另外，本發明的半導體不良分析方法是分析半導體器件的不良的半導體不良分析方法，其特征在于，具備：(1)檢查信息取得步驟，取得進行與不良相關的檢查而得到的、包含起因于不良的反應信息的不良觀察圖像，以作為半導體器件的觀察圖像；(2)布圖信息取得步驟，取得半導體器件的布圖信息；(3)不良分析步驟，參照不良觀察圖像和布圖信息，進行與半導體器件的不良相關的分析，(4)不良分析步驟包括：區域設定步驟，用于參照不良觀察圖像，對應于反應信息而設定分析區域；配線信息分析步驟，參照分析區域，對半導體器件的布圖所包含的多個配線進行不良分析，(5)布圖信息，包含由半導體器件的層疊構造中的多個層的每一層中的配線圖案的圖案數據組記述半導體器件的多個配線的構成的配線信息，(6)配線信息分析步驟，將多個配線中通過分析區域的配線作為不良的候補配線而抽出，并且，在候補配線的抽出中，通過進行使用圖案數據組的配線圖案的等電位追蹤，從而抽出候補配線。?

另外，本發明的半導體不良分析程序是使計算機實行分析半導體器件的不良的半導體不良分析的程序，其特征在于，使計算機實行：(1)檢查信息取得處理，取得進行與不良相關的檢查而得到的、包含起因于不良的反應信息的不良觀察圖像，以作為半導體器件的觀察圖像；(2)布圖信息取得處理，取得半導體器件的布圖信息；(3)不良分析處理，參照不良觀察圖像和布圖信息，進行與半導體器件的不良相關的分析，(4)不良分析處理包括：區域設定處理，用于參照不良觀察圖像，對應于反應信息而設定分析區域；配線信息分析處理，參照分?析區域，對半導體器件的布圖所包含的多個配線進行不良分析，(5)布圖信息，包含由半導體器件的層疊構造中的多個層的每一層中的配線圖案的圖案數據組記述半導體器件的多個配線的構成的配線信息，(6)配線信息分析處理，將多個配線中通過分析區域的配線作為不良的候補配線而抽出，并且，在候補配線的抽出中，通過進行使用圖案數據組的配線圖案的等電位追蹤，從而抽出候補配線。?