[發明專利]半導體不良分析裝置、不良分析方法、以及不良分析程序

無效

• 申請號: 200680054977.5
• 申請日: 2006-10-23
• 公開（公告）號: CN101467056A
• 公開（公告）日: 2009-06-24
• 發明（設計）人: 真島敏幸;嶋瀬朗;寺田浩敏;堀田和宏
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: G01R31/311
• 分類號: G01R31/311;G01N21/956
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍 淳

1.一種半導體不良分析裝置，分析半導體器件的不良，其特征在 于，

具備：

檢查信息取得模塊，取得進行與不良相關的檢查而得到的、包含 起因于不良的反應信息的不良觀察圖像，以作為半導體器件的觀察圖 像；

布圖信息取得模塊，取得所述半導體器件的布圖信息；

不良分析模塊，參照所述不良觀察圖像和所述布圖信息，進行與 所述半導體器件的不良相關的分析，

所述不良分析模塊具有：

區域設定模塊，用于參照所述不良觀察圖像，對應于所述的反應 信息而設定分析區域；

配線信息分析模塊，參照所述分析區域，對所述半導體器件的布 圖所包含的多個配線進行不良分析，

所述布圖信息，包含配線信息，所述配線信息是由所述半導體器 件的層疊構造中的多個層的每一層中的配線圖案的圖案數據組記述的 所述半導體器件的所述多個配線的構成，

所述配線信息分析模塊，將所述多個配線中通過所述分析區域的 配線作為不良的候補配線而抽出，并且，在所述候補配線的抽出中， 通過進行使用所述圖案數據組的所述配線圖案的等電位追蹤，從而抽 出所述候補配線，

所述配線信息分析模塊，對所述半導體器件的所述多個層設定用 于通過所述分析區域的所述候補配線的抽出的抽出層、以及用于所述 配線圖案的所述等電位追蹤的追蹤層。

2.如權利要求1所述的不良分析裝置，其特征在于，

所述配線信息分析模塊，對所述半導體器件的所述多個層設定所 述配線圖案的所述等電位追蹤結束的終端層。

3.如權利要求2所述的不良分析裝置，其特征在于，

所述配線信息分析模塊，具有僅抽出所述終端層內成為終端的配 線的第1模式、以及不參照所述終端層而進行配線的抽出的第2模式， 以作為所述配線圖案的所述等電位追蹤中的追蹤模式。

4.如權利要求1～3中的任一項所述的不良分析裝置，其特征在 于，

所述配線信息分析模塊，對所述配線圖案的所述等電位追蹤設定 限制所抽出的所述配線圖案的數目的最大抽出圖案數。

5.如權利要求1～3中的任一項所述的不良分析裝置，其特征在 于，

所述區域設定模塊，在與所述半導體器件的布圖相對應的布圖坐 標系中設定所述分析區域。

6.一種半導體不良分析方法，分析半導體器件的不良，其特征在 于，

具備：

檢查信息取得步驟，取得進行與不良相關的檢查而得到的、包含 起因于不良的反應信息的不良觀察圖像，以作為半導體器件的觀察圖 像；

布圖信息取得步驟，取得所述半導體器件的布圖信息；

不良分析步驟，參照所述不良觀察圖像和所述布圖信息，進行與 所述半導體器件的不良相關的分析，

所述不良分析步驟包括：

區域設定步驟，用于參照所述不良觀察圖像，對應于所述的反應 信息而設定分析區域；

配線信息分析步驟，參照所述分析區域，對所述半導體器件的布 圖所包含的多個配線進行不良分析，

所述布圖信息，包含配線信息，所述配線信息是由所述半導體器 件的層疊構造中的多個層的每一層中的配線圖案的圖案數據組記述的 所述半導體器件的所述多個配線的構成，

所述配線信息分析步驟，將所述多個配線中通過所述分析區域的 配線作為不良的候補配線而抽出，并且，在所述候補配線的抽出中， 通過進行使用所述圖案數據組的所述配線圖案的等電位追蹤，從而抽 出所述候補配線，

所述配線信息分析步驟，對所述半導體器件的所述多個層設定用 于通過所述分析區域的所述候補配線的抽出的抽出層、以及用于所述 配線圖案的所述等電位追蹤的追蹤層。

7.如權利要求6所述的不良分析方法，其特征在于，

所述配線信息分析步驟，對所述半導體器件的所述多個層設定所 述配線圖案的所述等電位追蹤結束的終端層。