[發(fā)明專利]半導(dǎo)體不良分析裝置、不良分析方法、以及不良分析程序

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680054964.8
• 申請(qǐng)日: 2006-10-23
• 公開（公告）號(hào): CN101484818A
• 公開（公告）日: 2009-07-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 真島敏幸;嶋瀬朗;寺田浩敏;堀田和宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浜松光子學(xué)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G01R31/311
• 分類號(hào): G01R31/311;G01N21/956
• 代理公司: 北京尚誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 龍 淳

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于對(duì)半導(dǎo)體器件的不良(defect)進(jìn)行分析的半導(dǎo)體不良分析裝置、不良分析方法、以及不良分析程序。

背景技術(shù)

作為取得用于分析半導(dǎo)體器件的不良的觀察圖像的半導(dǎo)體檢查裝置，目前使用放射顯微鏡、OBIRCH裝置、時(shí)間分解放射顯微鏡等。借助這些檢查裝置，使用作為不良觀察圖像而取得的發(fā)光圖像或OBIRCH圖像，能夠分析半導(dǎo)體器件的故障部位等的不良(例如，參照專利文獻(xiàn)1、2)。

專利文獻(xiàn)1：日本專利申請(qǐng)公開第2003-86689號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本專利申請(qǐng)公開第2003-303746號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

近年來，在半導(dǎo)體不良分析中，成為分析對(duì)象的半導(dǎo)體器件的微細(xì)化和高集成化正在進(jìn)行，使用上述的檢查裝置的不良部位的分析變得困難。因此，為了對(duì)這種半導(dǎo)體器件進(jìn)行不良部位的分析，提高用于從不良觀察圖像來推斷半導(dǎo)體器件的不良部位的分析處理的可靠性及其效率是必要且不可缺的。

本發(fā)明是為了解決上述的問題而提出的，其目的在于，提供一種能夠可靠且高效地進(jìn)行使用不良觀察圖像的半導(dǎo)體器件的不良分析的半導(dǎo)體不良分析裝置、不良分析方法、以及不良分析程序。

為了達(dá)到該目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體不良分析裝置是分析半導(dǎo)體器件的不良的半導(dǎo)體分析裝置，其特征在于，具備：(1)檢查信息取得模塊，取得進(jìn)行與不良相關(guān)的檢查而得到的、包含起因于不良的反應(yīng)信息的不良觀察圖像，以作為半導(dǎo)體器件的觀察圖像；(2)不良分析模塊，參照不良觀察圖像以及半導(dǎo)體器件的布圖信息，進(jìn)行與半導(dǎo)體器件的不良相關(guān)的分析，(3)不良分析模塊具有分析區(qū)域設(shè)定模塊，該分析區(qū)域設(shè)定模塊通過比較不良觀察圖像中的亮度分布和規(guī)定的亮度臨界值，從而抽出反應(yīng)區(qū)域，以作為反應(yīng)信息，并對(duì)應(yīng)于反應(yīng)區(qū)域而設(shè)定用于半導(dǎo)體器件的不良分析的分析區(qū)域。

另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體不良分析方法是分析半導(dǎo)體器件的不良的半導(dǎo)體分析方法，其特征在于，具備：(1)檢查信息取得步驟，取得進(jìn)行與不良相關(guān)的檢查而得到的、包含起因于不良的反應(yīng)信息的不良觀察圖像，以作為半導(dǎo)體器件的觀察圖像；(2)不良分析步驟，參照不良觀察圖像以及半導(dǎo)體器件的布圖信息，進(jìn)行與半導(dǎo)體器件的不良相關(guān)的分析，(3)不良分析步驟包括分析區(qū)域設(shè)定步驟，該分析區(qū)域設(shè)定步驟通過比較不良觀察圖像中的亮度分布和規(guī)定的亮度臨界值，從而抽出反應(yīng)區(qū)域，以作為反應(yīng)信息，并對(duì)應(yīng)于反應(yīng)區(qū)域而設(shè)定用于半導(dǎo)體器件的不良分析的分析區(qū)域。

另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體不良分析程序是用于使計(jì)算機(jī)實(shí)行分析半導(dǎo)體器件的不良的半導(dǎo)體不良分析的程序，其特征在于，使計(jì)算機(jī)實(shí)行：(1)檢查信息取得處理，取得進(jìn)行與不良相關(guān)的檢查而得到的、包含起因于不良的反應(yīng)信息的不良觀察圖像，以作為半導(dǎo)體器件的觀察圖像；(2)不良分析處理，參照不良觀察圖像以及半導(dǎo)體器件的布圖信息，進(jìn)行與半導(dǎo)體器件的不良相關(guān)的分析，(3)不良分析處理包括分析區(qū)域設(shè)定處理，該分析區(qū)域設(shè)定處理通過比較不良觀察圖像中的亮度分布和規(guī)定的亮度臨界值，從而抽出反應(yīng)區(qū)域，以作為反應(yīng)信息，并對(duì)應(yīng)于反應(yīng)區(qū)域而設(shè)定用于半導(dǎo)體器件的不良分析的分析區(qū)域。

上述的半導(dǎo)體不良分析裝置、不良分析方法、以及不良分析程序中，取得對(duì)分析對(duì)象的半導(dǎo)體器件進(jìn)行檢查而得到的發(fā)光圖像或OBIRCH圖像等的不良觀察圖像。隨后，對(duì)應(yīng)于不良觀察圖像中的反應(yīng)信息(例如反應(yīng)部位的信息)而設(shè)定分析區(qū)域，參照與半導(dǎo)體器件的布圖相關(guān)的必要的信息，進(jìn)行半導(dǎo)體器件的不良分析。依照這種構(gòu)成，通過參照分析區(qū)域，能夠恰當(dāng)?shù)貙?shí)行使用不良觀察圖像的半導(dǎo)體器件的不良分析。

而且，上述構(gòu)成中，關(guān)于基于不良觀察圖像的分析區(qū)域的設(shè)定，通過對(duì)具有多個(gè)像素的不良觀察圖像中的亮度分布應(yīng)用亮度臨界值，從而抽出與半導(dǎo)體器件中的反應(yīng)部位等相對(duì)應(yīng)的反應(yīng)區(qū)域，基于所抽出的反應(yīng)區(qū)域而設(shè)定分析區(qū)域。由此，能夠恰當(dāng)?shù)卦O(shè)定用于不良分析的分析區(qū)域，可靠且高效地進(jìn)行半導(dǎo)體器件的不良分析。另外，依照應(yīng)用亮度臨界值的這種構(gòu)成，能夠自動(dòng)地進(jìn)行不良分析圖像中的分析區(qū)域的設(shè)定，進(jìn)一步提高不良分析的效率。

依照本發(fā)明的半導(dǎo)體不良分析裝置、不良分析方法、以及不良分析程序，通過對(duì)不良觀察圖像中的亮度分布應(yīng)用亮度臨界值，從而抽出反應(yīng)區(qū)域，并基于所抽出的反應(yīng)區(qū)域來設(shè)定分析區(qū)域，進(jìn)行半導(dǎo)體器件的不良分析，從而能夠恰當(dāng)?shù)卦O(shè)定用于不良分析的分析區(qū)域，可靠且高效地進(jìn)行半導(dǎo)體器件的不良分析。

附圖說明

圖1是包括半導(dǎo)體不良分析裝置的不良分析系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施方式的構(gòu)成的方框示意圖。