[發(fā)明專利]半導(dǎo)體不良分析裝置、不良分析方法、以及不良分析程序

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680054964.8
• 申請(qǐng)日: 2006-10-23
• 公開（公告）號(hào): CN101484818A
• 公開（公告）日: 2009-07-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 真島敏幸;嶋瀬朗;寺田浩敏;堀田和宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浜松光子學(xué)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G01R31/311
• 分類號(hào): G01R31/311;G01N21/956
• 代理公司: 北京尚誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 龍 淳

1.一種半導(dǎo)體不良分析裝置，分析半導(dǎo)體器件的不良，其特征在于，

具備：

檢查信息取得模塊，取得進(jìn)行與不良相關(guān)的檢查而得到的、包含起因于不良的反應(yīng)信息的不良觀察圖像，以作為半導(dǎo)體器件的觀察圖像；以及

不良分析模塊，參照所述不良觀察圖像以及所述半導(dǎo)體器件的布圖信息，進(jìn)行與所述半導(dǎo)體器件的不良相關(guān)的分析，

所述不良分析模塊具有分析區(qū)域設(shè)定模塊，所述分析區(qū)域設(shè)定模塊通過比較所述不良觀察圖像中的亮度分布和規(guī)定的亮度臨界值，從而抽出反應(yīng)區(qū)域，以作為所述反應(yīng)信息，并對(duì)應(yīng)于所述反應(yīng)區(qū)域而設(shè)定用于所述半導(dǎo)體器件的不良分析的分析區(qū)域。

2.如權(quán)利要求1所述的不良分析裝置，其特征在于，

所述分析區(qū)域設(shè)定模塊通過比較所抽出的所述反應(yīng)區(qū)域的面積和規(guī)定的面積臨界值，從而選擇用于所述分析區(qū)域的設(shè)定的所述反應(yīng)區(qū)域，并對(duì)應(yīng)于所選擇的所述反應(yīng)區(qū)域而設(shè)定所述分析區(qū)域。

3.如權(quán)利要求1或2所述的不良分析裝置，其特征在于，

所述不良分析模塊具有網(wǎng)路信息分析模塊，所述網(wǎng)路信息分析模塊參照所述布圖信息，對(duì)所述半導(dǎo)體器件的布圖所包含的多個(gè)網(wǎng)路進(jìn)行分析，抽出通過所述分析區(qū)域的網(wǎng)路。

4.如權(quán)利要求1～3中的任一項(xiàng)所述的不良分析裝置，其特征在于，

所述分析區(qū)域設(shè)定模塊在與所述半導(dǎo)體器件的布圖相對(duì)應(yīng)的布圖坐標(biāo)系中設(shè)定所述分析區(qū)域。

5.如權(quán)利要求1～4中的任一項(xiàng)所述的不良分析裝置，其特征在于，

所述不良分析模塊具有掩膜區(qū)域設(shè)定模塊，所述掩膜區(qū)域設(shè)定模塊使用作為包含標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體器件的反應(yīng)信息的觀察圖像的標(biāo)準(zhǔn)觀察圖像，通過比較所述標(biāo)準(zhǔn)觀察圖像中的亮度分布和規(guī)定的亮度臨界值，從而抽出標(biāo)準(zhǔn)反應(yīng)區(qū)域，并對(duì)應(yīng)于所述標(biāo)準(zhǔn)反應(yīng)區(qū)域而設(shè)定掩膜區(qū)域，

所述分析區(qū)域設(shè)定模塊，使用利用所述掩膜區(qū)域進(jìn)行過掩膜處理的所述不良觀察圖像，進(jìn)行所述反應(yīng)區(qū)域的抽出以及所述分析區(qū)域的設(shè)定。

6.如權(quán)利要求1～5中的任一項(xiàng)所述的不良分析裝置，其特征在于，

所述不良分析模塊具有分析對(duì)象選擇模塊，所述分析對(duì)象選擇模塊對(duì)所述半導(dǎo)體器件的層疊構(gòu)造選擇作為不良分析的對(duì)象的層。

7.如權(quán)利要求1～6中的任一項(xiàng)所述的不良分析裝置，其特征在于，

所述分析區(qū)域設(shè)定模塊，以在周圍對(duì)所述反應(yīng)區(qū)域附加規(guī)定寬度的空白的狀態(tài)設(shè)定所述分析區(qū)域。

8.一種半導(dǎo)體不良分析方法，分析半導(dǎo)體器件的不良，其特征在于，

具備：

檢查信息取得步驟，取得進(jìn)行與不良相關(guān)的檢查而得到的、包含起因于不良的反應(yīng)信息的不良觀察圖像，以作為半導(dǎo)體器件的觀察圖像；以及

不良分析步驟，參照所述不良觀察圖像以及所述半導(dǎo)體器件的布圖信息，進(jìn)行與所述半導(dǎo)體器件的不良相關(guān)的分析，

所述不良分析步驟包括分析區(qū)域設(shè)定步驟，所述分析區(qū)域設(shè)定步驟通過比較所述不良觀察圖像中的亮度分布和規(guī)定的亮度臨界值，從而抽出反應(yīng)區(qū)域，以作為所述反應(yīng)信息，并對(duì)應(yīng)于所述反應(yīng)區(qū)域而設(shè)定用于所述半導(dǎo)體器件的不良分析的分析區(qū)域。

9.如權(quán)利要求8所述的不良分析方法，其特征在于，

在所述分析區(qū)域設(shè)定步驟中，通過比較所抽出的所述反應(yīng)區(qū)域的面積和規(guī)定的面積臨界值，從而選擇用于所述分析區(qū)域的設(shè)定的所述反應(yīng)區(qū)域，并對(duì)應(yīng)于所選擇的所述反應(yīng)區(qū)域而設(shè)定所述分析區(qū)域。

10.如權(quán)利要求8或9所述的不良分析方法，其特征在于，

所述不良分析步驟包括網(wǎng)路信息分析步驟，所述網(wǎng)路信息分析步驟參照所述布圖信息，對(duì)所述半導(dǎo)體器件的布圖所包含的多個(gè)網(wǎng)路進(jìn)行分析，抽出通過所述分析區(qū)域的網(wǎng)路。

11.如權(quán)利要求8～10中的任一項(xiàng)所述的不良分析方法，其特征在于，

在所述分析區(qū)域設(shè)定步驟中，在與所述半導(dǎo)體器件的布圖相對(duì)應(yīng)的布圖坐標(biāo)系中設(shè)定所述分析區(qū)域。