[發明專利]抗蝕圖的形成方法、電路基板的制造方法和電路基板無效
| 申請號: | 200680054566.6 | 申請日: | 2006-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN101438636A | 公開(公告)日: | 2009-05-20 |
| 發明(設計)人: | 金田安生;入澤宗利;豐田裕二;小室豐一;深瀨克哉;酒井豐明 | 申請(專利權)人: | 三菱制紙株式會社;新光電氣工業株式會社 |
| 主分類號: | H05K3/42 | 分類號: | H05K3/42;H05K3/06;H05K3/18 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 李香蘭 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 抗蝕圖 形成 方法 路基 制造 | ||
技術領域
本發明涉及抗蝕圖的形成方法、電路基板的制造方法和電路基板。更 具體而言,涉及適合于電路基板的高密度化或布線圖案的微細化的無連接 盤或具有小連接盤寬度的抗蝕圖的形成方法、電路基板的制造方法和電路 基板。
背景技術
伴隨著近年的電子儀器的小型、多功能化,電路基板也在進行高密度 化,或布線圖案的微細化也在進展,作為實現這樣的條件的機構,舉出了 電路基板的多層化。如圖45所示,層疊多個布線層而形成的電路基板通 過一般稱作貫通孔(貫通孔)31、轉接孔(via?hole)32、間隙轉接孔33 的用導電層覆蓋內壁或者填充導電層的貫通孔、非貫通孔(以下將它們總 稱為“孔”)等細孔,進行各層間導通。
圖46是從上部觀察貫通孔的概略圖。在貫通孔3的周圍形成稱作連 接盤18的導電層。連接盤具有矩形、圓形、橢圓形、異形等各種,但是 因為占有面積或者設計方面的使用容易程度,常常使用圓形狀的連接盤。 此外,為了與高密度化對應,無連接盤或窄小連接盤寬度的貫通孔成為必 要。這里,連接盤寬度(Lw)在圓形連接盤的情況,意味著貫通孔周圍的 環狀導通寬度的最小值。如果開孔加工時的貫通孔的直徑為D0,圓形連接 盤的環狀導體寬度的直徑為D,無連接盤就意味著連接盤寬度Lw=(D-D0) /2是0,窄小連接盤寬度是指連接盤寬度Lw=(D-D0)/2比0大,40μm 以下。
作為制造電路基板的方法,知道消去法、附加法、半附加法。附加法 是在絕緣性基板的表面的非電路部設置抗蝕鍍層,在相當于電路部的部分 用無電解鍍處理等形成導電層的方法。雖然對于微細電路的形成是有利 的,但是用無電解鍍形成全部導電層,所以具有制造成本高的問題。
半附加法是在表面具有薄的導電層的絕緣性基板的非電路部設置鍍 抗蝕層,在相當于電路部的部分用電解鍍處理形成導電層,除去非電路部 的抗蝕鍍層后,通過光刻處理,除去非電路部的薄的導電層,形成電路的 方法。由于能使用能進行高速作業的電解鍍,作為微細電路形成方法,能 優先使用。此外,與附加法相比,制造成本便宜。可是,通過電解鍍,難 以均勻地形成全部的布線圖案的厚度,具有質量管理難的問題。
消去法是在表面設置導電層的絕緣性基板的電路部設置蝕刻防止層, 蝕刻除去露出的非電路部的導電層,形成電路的方法。由于產生導電層的 側蝕刻引起的刻線的變細等,所以關于微細電路的形成的方面,與其他兩 個方法相比,具有界限,但是可以用簡單的處理能制作電路基板,生產性 高,制造成本最便宜,最廣泛使用。
通過絲網印刷法、具有使用感光性材料的曝光顯影步驟的金屬表面光 刻法、噴墨法等,形成蝕刻防止層和抗蝕鍍層。制造無連接盤或窄小連接 盤寬度的孔時,孔的開孔加工或絲網印刷法、曝光步驟、噴墨法等步驟的 對位是重要的,特別是在高密度電路基板中要求的無連接盤或窄小連接盤 寬度的孔中,非常高的對位精度成為必要。連接盤最希望在孔的全部方向 具有均勻的寬度的形狀,即孔和連接盤是同心圓,但是,如果對位不正確, 就會有孔和連接盤不成為同心圓的問題。
舉出用半附加法制造電路基板的方法的一個例子。首先,在絕緣性基 板1(圖47)開稱作通孔(through?hole)的貫通孔3(圖48),在包含貫 通孔內壁的表面設置薄的第一導電層12(圖49)。接著,在非電路部形成 抗蝕鍍層36(圖50)。接著,通過電解鍍處理,在第一導電層12露出的 部分的表面形成第二導電層13(圖51)。然后,除去抗蝕鍍層36(圖52), 光刻除去抗蝕鍍層36下部的薄的第一導電層12,形成電路基板(圖53)。
為了應對高密度化,用金屬表面光刻法形成抗蝕鍍層。作為金屬表面 光刻法,一般是使用負片型(光交聯型)或正片型(光分解型)光刻膠的 方法。在半附加法中,由于通過電解鍍處理,在貫通孔內壁設置第二導電 層,所以在貫通孔上和貫通孔內壁不殘存抗蝕鍍層的狀態是必要的。
使用負片型(光交聯型)干膜光刻膠時,如圖54所示,用遮光部42 將貫通孔和連接盤部遮光,負片型(光交聯型)干膜光刻膠38不交聯, 除去未反應干膜光刻膠,成為在貫通孔上和連接盤部沒有抗蝕鍍層的狀 態。在這些步驟中,貫通孔的孔加工或曝光步驟的對位變得重要,特別是 在高密度電路基板中要求的無連接盤或窄小連接盤寬度的孔中,非常高的 對位精度成為必要。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三菱制紙株式會社;新光電氣工業株式會社,未經三菱制紙株式會社;新光電氣工業株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200680054566.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





