[發明專利]制備高光學純卡維地洛的工藝有效
| 申請號: | 200680053375.8 | 申請日: | 2006-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN101389605B | 公開(公告)日: | 2011-04-20 |
| 發明(設計)人: | 金成鎮;全龍國;姜炫彬;魚津;元德權;文炳憲;鄭暢祐;陳炅鏞 | 申請(專利權)人: | 安國藥品株式會社;瑞斯泰克株式會社 |
| 主分類號: | C07D209/88 | 分類號: | C07D209/88 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓明星;劉奕晴 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制備 光學 純卡維 工藝 | ||
1.一種制備高光學純手性卡維地洛的工藝,包括以下步驟:
a)通過使式4的胺化合物與式5的手性縮水甘油反應,然后通過對羥基保護基團進行去保護,來生成式2的化合物;
b)使式2的化合物與鹵化劑、磺化劑或mitsunobu試劑反應,從而活化式2的化合物的羥基,然后與9H-4-羥基咔唑進行親核取代反應,從而生成式7的化合物;
c)使獲得的式7的化合物經歷去保護反應,從而生成式1的目標手性卡維地洛:
式1
式2
式7
式4
式5
其中,*表示手性中心,X表示氧或硫,Y為離去基團,R1為羥基保護基團。
2.如權利要求1所述的工藝,其中,從由亞硫酰氯、亞硫酰溴、乙二酰氯、三溴化磷和三氯化磷組成的組中選擇所述鹵化劑。
3.如權利要求1所述的工藝,其中,從由甲磺酰氯、對甲苯磺酰氯、苯磺酰氯、三氟甲烷磺酰氯和硝基苯磺酰氯組成的組中選擇所述磺化劑。
4.如權利要求1所述的工藝,其中,在無機堿的存在下實施步驟c)的去保護反應。
5.一種制備高光學純手性卡維地洛的工藝,包括以下步驟:
通過用式4的化合物使式5的化合物開環并進行后續的原位分子內環化,來使式4的胺化合物與式5的手性縮水甘油化合物反應,從而生成式6的化合物;
對這樣獲得的式6的化合物的羥基保護基團進行去保護,從而生成式2的化合物;
使式2的化合物與鹵化劑、磺化劑或mitsunobu試劑反應,從而活化式2的化合物的羥基,然后與9H-4-羥基咔唑進行親核取代反應,從而生成式7的化合物;
在無機堿的存在下使獲得的式7的化合物經歷去保護反應,從而生成式1的目標手性卡維地洛:
式1
式2
式4
式5
式6
式7
其中,*表示手性中心,X為氧或硫,Y為離去基團,R1為羥基保護基團。
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