[發(fā)明專利]FinFET中的分裂柵極存儲器單元

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680051905.5
• 申請日: 2006-12-19
• 公開（公告）號: CN101336481A
• 公開（公告）日: 2008-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高里尚卡爾·L·真達(dá)洛雷;克雷格·T·斯維夫特
• 申請（專利權(quán)）人: 飛思卡爾半導(dǎo)體公司
• 主分類號: H01L29/76
• 分類號: H01L29/76
• 代理公司: 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 陸錦華;穆德駿

1.一種存儲器器件，包括：

具有第一側(cè)壁和溝道區(qū)的第一半導(dǎo)體翼片，其中所述溝道區(qū)包括沿所述第一側(cè)壁的部分并且所述溝道區(qū)位于源區(qū)和漏區(qū)之間，其中載流子在所述溝道區(qū)中水平行進(jìn)；

選擇柵極結(jié)構(gòu)，包括與所述第一側(cè)壁的第一部分相鄰并且與沿所述第一側(cè)壁的所述溝道區(qū)的第一部分相鄰的部分；

電荷存儲結(jié)構(gòu)，具有與所述第一側(cè)壁的第二部分相鄰并且與沿所述第一側(cè)壁的所述溝道區(qū)的第二部分相鄰的第一部分；和

控制柵極結(jié)構(gòu)，具有與所述電荷存儲結(jié)構(gòu)的所述第一部分相鄰的第一部分。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲器器件，進(jìn)一步包括：

其中所述第一半導(dǎo)體翼片具有與所述第一側(cè)壁相對的第二側(cè)壁，所述第二側(cè)壁包括第二溝道區(qū)，所述第二溝道區(qū)包括沿所述第二側(cè)壁的部分，其中載流子在所述第二溝道區(qū)中水平行進(jìn)；

其中所述選擇柵極結(jié)構(gòu)包括與所述第二側(cè)壁的第一部分相鄰并且與沿所述第二側(cè)壁的所述第二溝道區(qū)的第一部分相鄰的第二部分；

第二電荷存儲結(jié)構(gòu)，具有與所述第二側(cè)壁的第二部分相鄰并且與沿所述第二側(cè)壁所述第二溝道區(qū)的第二部分相鄰的第一部分；和

第二控制柵極結(jié)構(gòu)，具有與所述第二電荷存儲結(jié)構(gòu)的所述第一部分相鄰的第一部分。

3.如權(quán)利要求2所述的存儲器器件，進(jìn)一步包括：

平行于所述第一半導(dǎo)體翼片延伸的第二半導(dǎo)體翼片，其中所述第二半導(dǎo)體翼片具有第一側(cè)壁和第三溝道區(qū)，其中所述第三溝道區(qū)包括沿所述第二半導(dǎo)體翼片所述第一側(cè)壁的部分并且所述第三溝道區(qū)位于源區(qū)和漏區(qū)之間，其中載流子在所述第三溝道區(qū)中水平行進(jìn)；并且

其中所述選擇柵極結(jié)構(gòu)包括第三部分，該第三部分與所述第二半導(dǎo)體翼片所述第一側(cè)壁的第一部分相鄰并且與沿所述第二半導(dǎo)體翼片所述第一側(cè)壁的所述第三溝道區(qū)的第一部分相鄰；

第三電荷存儲結(jié)構(gòu)，具有與所述第二半導(dǎo)體翼片所述第一側(cè)壁的第二部分相鄰并且與沿所述第二半導(dǎo)體翼片所述第一側(cè)壁的所述第三溝道區(qū)的第二部分相鄰的第一部分；

其中所述控制柵極結(jié)構(gòu)具有與所述第三電荷存儲結(jié)構(gòu)所述第一部分相鄰的第二部分。

4.如權(quán)利要求2所述的存儲器器件，其中：

所述控制柵極結(jié)構(gòu)和所述溝道區(qū)用作第一存儲器單元的控制柵極和溝道區(qū)；

所述第二控制柵極結(jié)構(gòu)和所述第二溝道區(qū)用作第二存儲器單元的控制柵極和溝道區(qū)。

5.如權(quán)利要求4所述的存儲器器件，其中所述電荷存儲結(jié)構(gòu)和所述第二電荷存儲結(jié)構(gòu)在電荷存儲材料層中實(shí)現(xiàn)。

6.如權(quán)利要求1所述的存儲器器件，所述電荷存儲結(jié)構(gòu)在包括由電介質(zhì)材料包圍的納米團(tuán)簇的層中實(shí)現(xiàn)。

7.如權(quán)利要求1所述的存儲器器件，其中所述第一半導(dǎo)體翼片位于平面絕緣表面上，其中所述第一半導(dǎo)體翼片包括單晶硅。

8.如權(quán)利要求1所述的存儲器器件，其中：

所述第一半導(dǎo)體翼片進(jìn)一步包括第二溝道區(qū)，該第二溝道區(qū)包括沿所述第一半導(dǎo)體翼片所述第一側(cè)壁的部分，所述第一半導(dǎo)體翼片包括位于所述溝道區(qū)和所述第二溝道區(qū)之間的電流端子區(qū)，其中所述第二溝道區(qū)包括沿所述第一側(cè)壁的部分，其中載流子在所述第二溝道區(qū)中水平行進(jìn)；

第二選擇柵極結(jié)構(gòu)，包括與所述第一側(cè)壁的第三部分相鄰并且與沿所述第一側(cè)壁的所述第二溝道區(qū)的第一部分相鄰的部分；

第二電荷存儲結(jié)構(gòu)，具有與所述第一側(cè)壁的第四部分相鄰并且與沿所述第一側(cè)壁的所述第二溝道區(qū)的第二部分相鄰的第一部分；和

第二控制柵極結(jié)構(gòu)，具有與所述第二電荷存儲結(jié)構(gòu)的所述第一部分相鄰的第一部分。

9.如權(quán)利要求1所述的存儲器器件，其中：

所述源區(qū)位于所述第一半導(dǎo)體翼片中，并且所述漏區(qū)位于所述半導(dǎo)體翼片中。

10.如權(quán)利要求1所述的存儲器器件，其中：

所述第一半導(dǎo)體翼片具有與所述第一側(cè)壁相對的第二側(cè)壁；

所述選擇柵極結(jié)構(gòu)包括與所述第二側(cè)壁的第一部分相鄰的第二部分；

所述存儲器器件還包括第二電荷存儲結(jié)構(gòu)，所述第二電荷存儲結(jié)構(gòu)具有沿所述第二側(cè)壁第二部分的第一部分；

所述控制柵極結(jié)構(gòu)具有與所述第二電荷存儲結(jié)構(gòu)所述第一部分相鄰的第二部分。