[發明專利]等離子體加工裝置和等離子體加工方法

無效

• 申請號: 200680051801.4
• 申請日: 2006-11-16
• 公開（公告）號: CN101336467A
• 公開（公告）日: 2008-12-31
• 發明（設計）人: 福岡裕介;岸本克史
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;C23C16/509
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 呂曉章

1.一種等離子體加工裝置，包括：

反應室；

氣體引入部，將反應氣體引入所述反應室；

排氣單元，將所述反應氣體從所述反應室排出；

第一電極和第二電極，支撐于所述反應室中并具有平板形狀；以及

第一支撐構件和第二支撐構件，支撐所述第一電極和第二電極以使所述第一電極和第二電極彼此面對，其中

在所述第一電極和第二電極由所述第一支撐構件和第二支撐構件支撐的狀態下，所述第一電極和第二電極的最大撓曲量，即在它們的自身重量下的最大下沉距離調整為彼此相等。

2.如權利要求1所述的等離子體加工裝置，其中所述第一電極和第二電極的形狀、尺寸和材料調整為相同。

3.如權利要求1或2所述的等離子體加工裝置，其中所述第一電極和第二電極具有中空結構。

4.如權利要求1或2所述的等離子體加工裝置，其中所述第一電極和第二電極被支撐以在有限范圍內是可移動的。

5.如權利要求2所述的等離子體加工裝置，其中用于所述第一電極和第二電極的材料是鋁合金。

6.如權利要求1或2所述的等離子體加工裝置，其中所述第一電極和第二電極經受退火工藝。

7.如權利要求1或2所述的等離子體加工裝置，其中

所述第一電極和第二電極相互間隔預定的電極間距離，

所述第一電極和第二電極的尺寸、形狀和材料調整成使所述第一電極和第二電極的最大撓曲量為所述電極間距離的至少1％。

8.如權利要求1所述的等離子體加工裝置，其中

要處理的基板在所述基板沿所述兩個電極的撓曲而被撓曲的狀態下設置在所述第一電極和第二電極之間。

9.如權利要求8所述的等離子體加工裝置，還包括具有薄板形狀且其上放置所述基板的托盤。

10.一種等離子體加工方法，其中使用如權利要求1到7中任一項所述的等離子體加工裝置，以及

要加工的基板沿所述第一電極和第二電極的撓曲而被撓曲并設置在所述兩個電極之間，從而在所述基板的表面上形成半導體薄膜。

11.如權利要求10所述的等離子體加工方法，其中

所述要加工的基板是玻璃基板，該玻璃基板設置在所述第一電極和第二電極之一上。