[發(fā)明專利]等離子體加工裝置和等離子體加工方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680051801.4 | 申請日: | 2006-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN101336467A | 公開(公告)日: | 2008-12-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 福岡裕介;岸本克史 | 申請(專利權(quán))人: | 夏普株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/205 | 分類號: | H01L21/205;C23C16/509 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 呂曉章 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 等離子體 加工 裝置 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于制造半導(dǎo)體薄膜的等離子體加工裝置以及使用該等離子體加工裝置來進行等離子體加工的方法,更特別地,涉及一種使用向其中引入反應(yīng)氣體的反應(yīng)室的等離子體加工裝置以及使用該等離子體加工裝置來進行等離子體加工的方法。
背景技術(shù)
常規(guī)地,作為前述類型的等離子體加工裝置,已知一種能夠改善等離子體化學(xué)技術(shù)中的蝕刻或氣相沉積工藝的均勻性的裝置(例如,參看專利文獻1)。
專利文獻1:美國專利NO.4264393的說明書。
用于制造半導(dǎo)體薄膜的等離子體CVD裝置通常設(shè)置有成對設(shè)置和支撐的陰極和陽極、用于向每個都具有平板形狀的陰極和陽極中的一個施加高頻電源的裝置、以及用于供應(yīng)形成薄膜的反應(yīng)氣體的裝置。在等離子體CVD裝置中,等離子體以這樣的方式產(chǎn)生,當在陰極和陽極之間供應(yīng)反應(yīng)氣體時施加高頻電源。結(jié)果,在設(shè)置于陰極和陽極之間的基板的表面上產(chǎn)生薄膜。
陰極和陽極之間的距離稱作電極間距離。電極間距離包括能有效地產(chǎn)生等離子體的特定范圍。在該范圍內(nèi),控制電極間距離,并且希望盡可能精確地控制該距離。通常電極間距離以相對于電極間距離的1/100的量級的精度被控制,換言之,該精度為電極間距離的大約1%。在控制電極間距離的方法中,作為電極的陰極和陽極相對于它們的尺寸保證足夠水平的剛度,從而在所設(shè)置的陰極和陽極中不產(chǎn)生任何撓曲(deflection)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題
然而,常規(guī)技術(shù)的問題是,在電極較大而基板的尺寸也相應(yīng)增大的情況中,沒有獲得電極的足夠的剛度,這就不能保證電極間距離的期望的精度。結(jié)果,在等離子體加工中膜不能以良好的方式形成。為了保證電極間距離的期望的精度,可以進一步增大電極的剛度,但是在這種情況下,隨著電極厚度的增加以及電極支撐部分的尺寸的相應(yīng)增加,等離子體CVD裝置的尺寸不可避免地會增大。
因此,本發(fā)明的主要目的是提供一種等離子體加工裝置,該等離子體加工裝置在電極面積增大的情況下,不論在具有平板形狀的陽極和陰極中產(chǎn)生任何撓曲都能夠以良好的方式形成膜。
解決該問題的方法
根據(jù)本發(fā)明的一個方面,提供一種等離子體加工裝置,包括反應(yīng)室、用于將反應(yīng)氣體引入反應(yīng)室的氣體引入部、用于將反應(yīng)氣體從反應(yīng)室排出的排氣單元、支撐于反應(yīng)室中并具有平板形狀的第一電極和第二電極、以及用于支撐第一電極和第二電極以使電極彼此面對的第一支撐構(gòu)件和第二支撐構(gòu)件,其中在第一電極和第二電極由第一支撐構(gòu)件和第二支撐構(gòu)件支撐的狀態(tài)下,第一電極和第二電極的最大撓曲量,即在第一電極和第二電極自身重量下它們的最大下沉距離,被調(diào)整至彼此相等。
本發(fā)明的效果
用根據(jù)本發(fā)明的等離子體加工裝置,在電極面積增大的情況下,不論在具有平板形狀的第一電極和第二電極中產(chǎn)生任何撓曲,都可以以簡單的結(jié)構(gòu)獲得均勻地形成于具有大面積的基板表面上的半導(dǎo)體薄膜。
附圖說明
圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的等離子體加工裝置(薄膜制造裝置)全部結(jié)構(gòu)的圖示。
圖2是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的等離子體加工裝置(薄膜制造裝置)全部結(jié)構(gòu)的圖示。
附圖標記說明
1...基板
2...簇射板
3...背板
4...陽極電極
5...第二支撐構(gòu)件
6...第一支撐構(gòu)件
7...托盤
8...門部
9...主體部
10...等離子體激發(fā)電源
11...阻抗匹配裝置
12...陰極電極
20...排氣管
21...真空泵
22...壓力控制器
23...反應(yīng)氣體管
24...加熱器
25...熱電偶
26...接地線
27...電源引入端子
28...氣體引入部
29...排氣單元
30...高頻電源單元
具體實施方式
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





