[發明專利]密集存儲器陣列的過渡區

無效

• 申請號: 200680051735.0
• 申請日: 2006-11-26
• 公開（公告）號: CN102047460A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 博阿茲·埃坦;拉斯托姆·伊拉尼;阿薩夫·沙皮爾
• 申請（專利權）人: 賽芬半導體有限公司
• 主分類號: H01L49/00
• 分類號: H01L49/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 林錦輝;王英

相關申請的交叉引用

本申請要求于2005年11月25日提交的美國臨時專利申請No.60/739,426、2006年5月15日提交的美國臨時專利申請No.60/800,022以及2006年5月15日提交的美國臨時專利申請No.60/800,021的權益，在此將它們全文并入作為參考。

技術領域

本發明通常涉及超密集非易失性存儲器陣列，更為具體地，涉及它們到外圍的連接。

背景技術

2位存儲器單元在本領域是公知的。一個此種存儲器單元是NROM(氮化物只讀存儲器)單元10，如圖1A所示。參照圖1A，該NROM單元10在夾在多晶硅字線18和溝道20之間的基于氮化物的層16(比如氧化物-氮化物-氧化物(ONO)堆棧)上存儲兩個位12和14。溝道20由每側上的掩埋位線擴散區22限定，該掩埋位線擴散區22通過熱生長或淀積氧化物層26與位線18絕緣，該生長或淀積氧化物層26是在植入位線22之后生長或淀積的。在熱驅動期間，位線22可以從一邊擴散，由此從植入區擴展。

雙多晶硅工藝(DPP)可以用來產生NROM單元。參見圖1B，圖1B示出了此種單元。在基于氮化物的層16上淀積第一多晶硅層，并在其間植入位線22的列19中對第一多晶硅層進行蝕刻。隨后，淀積字線18作為第二多晶硅層，從而將第一多晶硅層的列19切割為位線22之間的島。在產生第二多晶硅層之前，在多晶硅列19之間淀積位線氧化物26，而不是如先前所進行的那樣生長出位線氧化物26。

在許多專利中描述了NROM單元，例如，在轉讓給本發明的共同受讓人的美國專利6,649,972。在可適用的情況下，包括NROM的描述特別意在包括相關氧化物-氮化物技術，其包括SONOS(硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅)、MNOS(金屬-氮化物-氧化物-硅)、MONOS(金屬-氧化物-氮化物-氧化物-硅)和用于NVM器件的其他類似物?？梢栽谫惙?Saifun)半導體2005年出版的“Non?Volatile?Memory?Technology”、在或者通過http://siliconnexus.com呈現的材料中、在http://klabs.org/richcontent/MemoryContent/nvmt_symp/nvmts_2000/presentations/bu_white_sonos_lehigh_univ.pdf上找到的“Design?Considerations?inScaled?SONOS?Nonvolatile?Memory?Devices”、在http://klabs.org/richcontent/MemoryContent/nvmt_symp/nvmts_2000/paapers/adams_d.pdf上找到的“SONOS?Nonvolatile?Semiconductor?Memories?for?Spaceand?Military?Applications”、在http://research.philips.com/technologies/ics/nvmemories/index.html上找到的“Philips?Research-Technologies-Embedded?Nonvolatile?Memories”以及在http://ece.nus.edu.sg/stfpage/elezhucx/myweb/NVM.pdf上找到的“Semiconductor?Memory：Non-Volatile?Memory(NVM)”，所有這些在這里全文引入，作為參考。

簡單地參考圖2，如圖2中所示，NROM技術使用虛擬地陣列體系結構，其中字線18和位線22成密集十字形交叉。字線18和位線22最佳可以允許4F²大小的單元，其中F表示其中構建陣列的技術的芯片的元件的最小特征尺寸。例如，65nm技術的特征尺寸為F＝65nm。

美國專利申請11/489,327和11/489,747描述了一種新的體系結構和制造過程，其用于生成具有非常密集間隔的字線的非常密集陣列。在該陣列中，單元的尺寸小于4F²。單元的最小理論尺寸是2F²。

發明內容

本發明的一個目的在于對現有技術作出改進。