[發明專利]密集存儲器陣列的過渡區

無效

• 申請號: 200680051735.0
• 申請日: 2006-11-26
• 公開（公告）號: CN102047460A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 博阿茲·埃坦;拉斯托姆·伊拉尼;阿薩夫·沙皮爾
• 申請（專利權）人: 賽芬半導體有限公司
• 主分類號: H01L49/00
• 分類號: H01L49/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 林錦輝;王英

1.?一種非易失性存儲器芯片，包括：

以亞F(低于最小特征尺寸F)的寬度間隔開的字線；以及

至少兩個過渡區中的所述字線的延伸部分，其中所述過渡區中的至少之一中的相鄰所述延伸部分以至少F的距離間隔開。

2.?如權利要求1所述的芯片，其中，所述過渡區位于所述字線的陣列的不同側上。

3.?如權利要求2所述的芯片，其中，所述陣列是NROM(氮化物只讀存儲器)陣列。

4.?如權利要求1所述的芯片，其中，所述延伸部分通過利用電介質填充物彼此絕緣。

5.?如權利要求1所述的芯片，其中，所述延伸部分與外圍晶體管相連。

6.?如權利要求4所述的芯片，其中，所述電介質填充物是氧化物和氧氮化物中至少之一。

7.?如權利要求1所述的芯片，其中，所述字線和所述延伸部分由下述導電材料中至少之一形成：鎢、自對準硅化物和硅化物。

8.?如權利要求1所述的芯片，其中，所述字線和所述延伸部分由多晶硅形成。

9.?如權利要求1所述的芯片，其中，所述延伸部分與所述字線集成在一起。

10.?一種非易失性存儲器芯片，包括：

密集封裝陣列，其中相鄰字線之間的間隔小于所述字線中之一的寬度的一半；

松散封裝外圍；以及

至少兩個過渡區，其將所述密集封裝陣列的字線與所述松散封裝外圍相連，其中每個過渡區僅僅連接所述字線的一部分。

11.?如權利要求10所述的芯片，其中，每個所述部分是每個其它字線。

12.?如權利要求11所述的芯片，其中，所述每個其它字線的延伸部分與所述字線集成在一起。

13.?如權利要求10所述的芯片，其中，所述過渡區位于所述字線的陣列的不同側上。

14.?如權利要求13所述的芯片，其中，所述陣列是NROM(氮化物只讀存儲器)陣列。

15.?如權利要求10所述的芯片，其中，所述延伸部分通過利用電介質填充物彼此絕緣。

16.?如權利要求15所述的芯片，其中，所述電介質填充物是氧化物和氧氮化物中至少之一。

17.?如權利要求10所述的芯片，其中，所述字線和所述延伸部分由下述導電材料中至少之一形成：鎢、自對準硅化物和硅化物。

18.?如權利要求10所述的芯片，其中，所述字線和所述延伸部分由多晶硅形成。

19.?一種用于對非易失性存儲器芯片進行字線圖案化的方法，包括：

根據其寬度至少為最小特征尺寸F的掩膜生成的元件，生成在過渡區中具有延伸部分的亞F字線，所述延伸部分用于連接到外圍晶體管。

20.?如權利要求19所述的方法，其中，所述生成包括：

根據所述掩膜生成的元件，生成第一組行；以及

根據所述第一組行來生成第二組行，所述第二組行被交替插入在所述第一組行中。

21.?如權利要求20所述的方法，其中，所述第一生成包括：

產生氮化物硬掩膜行，其中，每行的寬度大于1F；

在所述行之間淀積字線材料；

蝕刻第一過渡區中的所述字線材料；

蝕刻第二過渡區中的所述行；以及

將氧化物淀積到所述蝕刻區域中。

22.?如權利要求21所述的方法，其中，所述第二生成包括：

蝕刻所述氮化物硬掩膜；

取代所述氮化物行，淀積氮化物間隔物；以及

在所述間隔物之間淀積字線材料。

23.?如權利要求21所述的方法，其中，所述第二過渡區通常位于所述字線的與所述第一過渡區相對的側上。

24.?一種非易失性存儲器芯片，包括：

存儲器陣列中的字線，其中相鄰字線之間的間隔小于所述字線中之一的寬度的一半；以及

至少兩個過渡區中的所述字線的延伸部分，其中所述過渡區中的至少一個中的相鄰所述延伸部分以大于一個字線寬度的距離間隔開。