[發明專利]NAND架構存儲器裝置及操作

有效

• 申請號: 200680051664.4
• 申請日: 2006-12-19
• 公開（公告）號: CN101361136A
• 公開（公告）日: 2009-02-04
• 發明（設計）人: 弗朗姬·F·魯帕爾瓦爾
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 劉國偉

1.一種NAND存儲器陣列，其包括：

至少一個位線；及

至少一個串聯耦合的非易失性存儲器單元串；

其中第一串聯耦合的非易失性存儲器單元串的第一端選擇性地耦合到第一位線；

其中所述第一串聯耦合的非易失性存儲器單元串的第二端選擇性地耦合到所述第一位線；

其中所述存儲器陣列不具有耦合到所述第一串聯耦合的非易失性存儲器單元串的任一端的源極連接；且

其中所述至少一個串聯耦合的非易失性存儲器單元串的每一存儲器單元能夠通過閾值電壓的改變來界定數據值。

2.如權利要求1所述的NAND存儲器陣列，其中所述至少一個串聯耦合的非易失性存儲器單元串包括從源極到漏極耦合的多個場效晶體管。

3.如權利要求2所述的NAND存儲器陣列，其中所述多個場效晶體管能夠通過閾值電壓的改變來界定數據值。

4.如權利要求1所述的NAND存儲器陣列，其中所述第一串聯耦合的非易失性存儲器單元串的所述第一及第二端經由場效晶體管選擇性地耦合到所述第一位線。

5.如權利要求1所述的NAND存儲器陣列，其進一步包括：

非易失性存儲器單元陣列，其以行及列布置；及

多個字線，其耦合到所述存儲器單元的行；

其中所述至少一個位線包括多個位線，所述多個位線選擇性地耦合到所述存儲器單元的列，

其中所述存儲器單元的所述列進一步分組為所述串聯耦合的存儲器單元串，每一串包括以串聯方式耦合在兩個選擇柵極之間的多個存儲器單元，其中所述選擇柵極中的每一者耦合到同一位線。

6.如權利要求5所述的NAND存儲器陣列，其中以串聯方式耦合在兩個選擇柵極之間的所述多個存儲器單元進一步包括從源極到漏極耦合的多個場效晶體管且每一者能夠通過閾值電壓的改變來界定數據值。

7.如權利要求5所述的NAND存儲器陣列，其中所述選擇柵極是場效晶體管。

8.如權利要求1所述的NAND存儲器陣列，其進一步包括：

以行及列布置的非易失性存儲器單元陣列，每一存儲器單元包括能夠經編程而具有兩個或兩個以上互斥的閾值電壓范圍中的一者的場效晶體管；及

多個字線，其耦合到所述存儲器單元的行；

其中所述至少一個位線包括多個位線，所述多個位線選擇性地耦合到所述存儲器單元的列，

其中所述存儲器單元的所述列進一步分組為所述串聯耦合的非易失性存儲器單元串；

其中所述第一串聯耦合的非易失性存儲器單元串包括從源極到漏極耦合的多個存儲器單元；

其中所述第一串聯耦合的非易失性存儲器單元串的第一存儲器單元具有耦合到第一選擇柵極的第一源極/漏極區域的源極/漏極區域；

其中所述第一串聯耦合的非易失性存儲器單元串的最后存儲器單元具有耦合到第二選擇柵極的第一源極/漏極區域的源極/漏極區域；

其中所述第一選擇柵極具有耦合到所述第一位線的剩余源極/漏極區域；且

其中所述第二選擇柵極具有耦合到所述第一位線的剩余源極/漏極區域。

9.一種讀取存儲器裝置的目標存儲器單元的方法，其包括：

使用第一電壓對包含所述目標存儲器單元的串聯耦合的存儲器單元串的至少第一部分進行預充電；

基于所述目標存儲器單元的數據值選擇性地從所述串的所述第一部分移除電荷；

將與所述串相關聯的位線預充電至第二電壓；

使所述串的至少所述第一部分與所述經預充電的位線均衡；及

在與所述串的至少所述第一部分均衡之后響應于所述經預充電位線的電壓改變來確定所述目標存儲器單元的所述數據值。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述第一電壓是正電位。

11.如權利要求10所述的方法，其中所述第一電壓是電源電位Vcc。

12.如權利要求9所述的方法，其中使用第一電壓對包含所述目標存儲器單元的串聯耦合的存儲器單元串的至少第一部分進行預充電進一步包括：

將所述第一電壓施加到所述位線；

將通過電壓施加到所述串的每一存儲器單元，所述通過電壓適于激活每一存儲器單元而不管其各自的數據值如何；及

將所述串的至少一端耦合到所述位線。