[發(fā)明專利]半導體發(fā)光裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680051176.3
• 申請日: 2006-12-28
• 公開（公告）號: CN101361202A
• 公開（公告）日: 2009-02-04
• 發(fā)明（設計）人: 鈴木正明
• 申請（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 楊謙;胡建新

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及包含半導體發(fā)光元件的半導體發(fā)光裝置。?

背景技術(shù)

作為包括半導體多層膜的半導體發(fā)光元件已知有發(fā)光二極管(LightEmitting?Diode，以下稱為“LED”)。其中，GaN類LED等發(fā)出藍色光的LED與由藍色光激勵發(fā)出熒光的熒光體組合，從而可以應用于發(fā)出白色光的半導體發(fā)光裝置。?

圖12是過去的發(fā)出白色光的半導體發(fā)光裝置的截面圖。如圖12所示，半導體發(fā)光裝置100在第一引線框101a的一方的端部設置的凹部底面上，利用由Ag糊料(Paste)等構(gòu)成的芯片固定用糊料構(gòu)件103固定有發(fā)出藍色光的LED芯片102。?

在LED芯片102的上表面形成有第一電極104a及第二電極104b。第一電極104a通過第一電纜(Wire)105a與第一引線框101a電連接，第二電極104b通過第二電纜105b同與第一引線框101a成對的第二引線框101b電連接。?

LED芯片102通過成型為炮彈形的熒光體層106密封。作為熒光體層106的粘合劑一般使用環(huán)氧樹脂或硅樹脂等的透射可見光的樹脂材料。并且，在熒光體層106內(nèi)分散有熒光體106a(例如，參照專利文獻1)。?

但是，作為上述現(xiàn)有的半導體發(fā)光裝置中的熒光體層的粘合劑使用環(huán)氧樹脂或硅樹脂時，產(chǎn)生以下的問題。?

在使用環(huán)氧樹脂的情況下，環(huán)氧樹脂的折射率與構(gòu)成LED芯片的材料(例如GaN)的折射率相比非常低，所以有可能劣化光取出效率。?

此外，使用硅樹脂的情況下，折射率還低于環(huán)氧樹脂，所以來自LED芯片的發(fā)射光容易在與粘合劑的界面反射，光取出效率(Light?extractionefficiency)有可能進一步劣化(例如，參照專利文獻2)。?

作為其對策，例如提出了從LED芯片到外層依次階段性地降低折射率的方法(例如，參照專利文獻3)、或?qū)⒄凵渎矢叩臒o機氧化物等用作LED芯片的密封材料的方法(例如，參照專利文獻4)、或者通過將多孔質(zhì)材料用于LED芯片的基板或在上述基板的表面形成凹凸而使光散射的方法(例如，參照專利文獻5)等。

專利文獻1：(日本)特開2004-71908號公報?

專利文獻2：(日本)特開2005-93724號公報?

專利文獻3：(日本)特開昭61-96780號公報?

專利文獻4：(日本)特開2001-24236號公報?

專利文獻5：(日本)特開2005-191514號公報?

但是，在專利文獻3～5提出的方法中，例如對于應用于照明裝置等來說，光取出效率仍然不充分。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種可提高光取出效率的半導體發(fā)光裝置。?

本發(fā)明的半導體發(fā)光裝置的特征在于，包括半導體發(fā)光元件、覆蓋上述半導體發(fā)光元件的至少一部分而形成的熒光體層、覆蓋上述熒光體層的至少一部分而形成的外層；上述熒光體層包含粘合劑和分散在上述粘合劑中的熒光體；上述外層包含多孔質(zhì)材料；上述粘合劑包含粘合材料和無機粒子，該無機粒子的有效顆粒直徑為透射上述粘合材料的光的波長的4分之1以下，上述無機粒子的折射率大于上述粘合材料的折射率。?

附圖說明

圖1A是本發(fā)明的第一實施方式的半導體發(fā)光裝置的截面圖，圖1B是圖1A所示的半導體發(fā)光裝置中包含的外層的構(gòu)成材料的示意圖。?

圖2是表示多孔質(zhì)材料的空穴率和折射率的關(guān)系的圖表。?

圖3是本發(fā)明的第二實施方式的半導體發(fā)光裝置的截面圖。?

圖4是用于說明該說明書的有效顆粒直徑的圖表。?

圖5是表示粘合劑中的無機粒子的體積含有率和粘合劑的折射率的關(guān)系的圖表。?

圖6是表示本發(fā)明的第二實施方式的半導體發(fā)光裝置的變形例的截面圖。?

圖7是本發(fā)明的第三實施方式的半導體發(fā)光裝置的截面圖。?

圖8是本發(fā)明的第四實施方式的半導體發(fā)光裝置的截面圖。?

圖9是本發(fā)明的第五實施方式的半導體發(fā)光裝置的截面圖。?

圖10是本發(fā)明的第六實施方式的半導體發(fā)光裝置的截面圖。?

圖11是本發(fā)明的第七實施方式的半導體發(fā)光裝置的截面圖。?

圖12是過去的發(fā)出白色光的半導體發(fā)光裝置的截面圖。?

具體實施方式