[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680051176.3 | 申請日： | 2006-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN101361202A | 公開（公告）日： | 2009-02-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鈴木正明 | 申請（專利權(quán)）人： | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人： | 楊謙;胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 發(fā)光 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，
包括半導(dǎo)體發(fā)光元件、覆蓋上述半導(dǎo)體發(fā)光元件的至少一部分而形成的熒光體層、覆蓋上述熒光體層的至少一部分而形成的外層；
上述熒光體層包含粘合劑和分散在上述粘合劑中的熒光體；
上述外層包含多孔質(zhì)材料；
上述粘合劑包含粘合材料和無機粒子，該無機粒子的有效顆粒直徑為透射上述粘合材料的光的波長的4分之1以下，
上述無機粒子的折射率大于上述粘合材料的折射率。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，
從上述半導(dǎo)體發(fā)光元件放出的光的最大峰值波長是490nm以下。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，
上述粘合劑的折射率低于構(gòu)成上述半導(dǎo)體發(fā)光元件的光取出側(cè)的主面的材料的折射率，并且高于上述外層的折射率。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，
上述多孔質(zhì)材料由無機材料構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，
上述多孔質(zhì)材料是由上述無機材料構(gòu)成的粒子的凝聚多孔體。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，
上述多孔質(zhì)材料是由無機材料構(gòu)成的粒子的凝聚多孔體，
上述粒子的平均顆粒直徑為透射上述外層的光的波長的4分之1以下，
上述凝聚多孔體的平均孔徑是透射上述外層的光的波長的4分之1以下。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，
還包括介于上述半導(dǎo)體發(fā)光元件和上述熒光體層之間的光透射層。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，
上述光透射層的折射率低于構(gòu)成上述半導(dǎo)體發(fā)光元件的光取出側(cè)的主面的材料的折射率，并且高于上述熒光體層的上述粘合劑的折射率。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，
上述光透射層包括母材和分散在上述母材中的無機粒子，
上述無機粒子的有效顆粒直徑為透射上述母材的光的波長的4分之1以下，并且上述無機粒子的折射率大于上述母材的折射率。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，
上述外層和上述熒光體層通過上述粘合劑接合。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，
上述外層還包含分散介質(zhì)，
上述多孔質(zhì)材料分散在上述分散介質(zhì)中。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，
還包含外殼，該外殼具有填充有上述熒光體層的凹部，
上述外層配置成覆蓋上述凹部的開口。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，
上述外層是板狀。
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