[發明專利]封裝級結構中的集成電容器、制作其的工藝和包含其的系統

有效

• 申請號: 200680050142.2
• 申請日: 2006-12-11
• 公開（公告）號: CN101351873A
• 公開（公告）日: 2009-01-21
• 發明（設計）人: J·J·唐;X·Y·曾;J·何;D·海
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498;H01L23/50;H01L23/64
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 柯廣華;陳景峻

技術領域

一般來說，本發明實施例涉及芯片封裝中的電容器。

背景技術

例如電容器、電感器和電阻器等無源器件在集成電路(IC)芯片封裝中具有不斷增加的重要性。例如，電容器用于去耦合、響應處理器負荷、調諧和調制的射頻(RF)應用及其它的功能。微型無源RF器件受到越來越大的壓力，以便為了用戶便利而獲得越來越小的封裝。結果是，電容器和其它無源RF器件難以設置在這些小封裝中。

附圖說明

為了說明獲得實施例的方式，將參照附圖示出的示范實施例來提供以上概述的實施例的更具體描述。要理解，這些附圖僅說明典型實施例，它們不一定按規定比例繪制，因而不要看作是對其范圍的限制，將通過使用附圖以附加細節來描述和說明這些實施例，附圖包括：

圖1A是根據一個實施例的處理期間的管芯(die)的核心支撐結構的截面立視圖；

圖1B是根據一個實施例的形成圖案(patterning)之后的圖1A所示核心支撐結構的截面立視圖；

圖1C是根據一個實施例的模制(stenciling)和應用介電膜之后的圖1B所示核心支撐結構的截面立視圖；

圖1D是根據一個實施例的形成頂部和底部電極及電鍍通孔之后的圖1C所示核心支撐結構的截面立視圖；

圖1E是根據一個實施例的形成焊接掩模(solder?mask)層之后的圖1D所示核心支撐結構的截面立視圖；

圖2A是根據一個實施例的與核心嵌入電容器(embedded-in-corecapacitor)裝配期間的芯片封裝的截面立視圖；

圖2B是根據一個實施例的進行處理之后的圖2A中所示芯片封裝的截面立視圖；

圖2是根據一個實施例的具有核心嵌入電容器的芯片封裝的截面立視圖；

圖3是根據一個實施例、具有核心嵌入電容器的芯片封裝的截面立視圖；

圖4A是根據一個實施例的進行處理期間的絲焊安裝(wire-bondmounting)襯底的截面立視圖；

圖4B是根據一個實施例的制備焊接掩模膜之后的圖4A中所示絲焊安裝襯底的截面立視圖；

圖4C是根據一個實施例的形成焊接掩模膜的圖案之后的圖4B所示絲焊安裝襯底的截面立視圖；

圖4D是根據一個實施例的焊接掩模結構的高度減小之后的圖4C中所示絲焊安裝襯底的截面立視圖；

圖4E是根據一個實施例的暴露高度減小的焊接掩模和管芯焊盤(die?land)的圖4D所示核心支撐結構的截面立視圖；

圖4F是根據一個實施例的進一步進行處理以便形成頂部電極以及將管芯安置于管芯焊盤之后的圖4E所示核心支撐結構的截面立視圖；

圖5是根據一個實施例的取自圖4F的襯底中的焊接掩模嵌入電容器的頂視圖；

圖6是描述方法流程實施例的流程圖；

圖7是示出根據一個實施例的計算系統的斷面立視圖；以及

圖8是根據一個實施例的計算系統的示意圖。

具體實施方式

本公開中的實施例涉及設置在焊接掩模結構和核心結構中的嵌入式無源器件。一個實施例包括電容器，包含焊接掩模結構中的頂部電極。焊接掩模結構經過修改，以便允許現有焊接掩模結構中的零剖面電容器(zero-profile?capacitor)。類似地，核心結構經過修改，以便允許與電鍍通孔相鄰的零剖面電容器。

以下描述包括例如上、下、第一、第二等術語，它們僅用于進行描述而不是要理解為限制。本文所述的設備或制品的實施例可通過多個位置和取向來制造、使用或裝運。術語“管芯”和“芯片”一般指的是作為通過各種過程操作變換為預期集成電路裝置的基本工件的物理對象。管芯通常從晶片分割，以及晶圓可由半導體、非半導體或者半導體和非半導體材料的組合來制作。底板通常是充當管芯的安裝襯底的樹脂浸漬玻璃纖維結構。

現在參照附圖，其中，對相似結構提供相似尾標參考標號。為了最清楚地示出各種實施例的結構，本文包含的附圖是集成電路結構的圖解表示。因此，例如顯微照片中的制造結構的實際外觀可能看起來不同，但仍然結合了所示實施例的本質結構。此外，附圖示出理解所示實施例所需的結構。沒有包括本領域已知的其它結構，以便保持附圖的清晰。