[發(fā)明專利]使用經(jīng)修改的通過電壓在減小的程序干擾下對非易失性存儲器進(jìn)行編程的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680047551.7
• 申請日: 2006-12-13
• 公開（公告）號: CN101361134A
• 公開（公告）日: 2009-02-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 格里特·簡·赫民克;大和田健
• 申請（專利權(quán)）人: 桑迪士克股份有限公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C11/56;G11C11/34
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 劉國偉

1.一種用于對非易失性存儲器進(jìn)行編程的方法，其包括：

通過對選擇的字線施加編程電壓而對一組非易失性存儲元件中的選擇的非易失 性存儲元件進(jìn)行編程；及

在所述編程期間，將第一電壓施加于與所述組中先前已完成編程的非易失性存儲 元件相關(guān)聯(lián)的至少一第一字線以對第一相關(guān)聯(lián)的溝道區(qū)的電位進(jìn)行增壓，并且將第 二電壓施加于與所述組中未經(jīng)編程及/或部分編程的非易失性存儲元件相關(guān)聯(lián)的至 少一第二字線以對第二相關(guān)聯(lián)的溝道區(qū)的電位進(jìn)行增壓，所述第一電壓大于所述第 二電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

所述第一電壓大于所述第二電壓的量足以減少從所述第二相關(guān)聯(lián)的溝道區(qū)到所 述第一相關(guān)聯(lián)的溝道區(qū)的電荷泄漏。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

所述第一電壓比所述第二電壓高約二至三伏特。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

所述第一相關(guān)聯(lián)的溝道區(qū)是源極側(cè)溝道區(qū)，并且所述第二相關(guān)聯(lián)的溝道區(qū)是漏極 側(cè)溝道區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

所述組是從所述組的源極側(cè)開始編程并在所述組的漏極側(cè)結(jié)束編程，所述至少一 第一字線包括至少一個源極側(cè)字線，并且所述至少一第二字線包括至少一個漏極側(cè) 字線。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

將所述第一電壓施加至位于所述選擇的字線與所述組的源極側(cè)之間的連續(xù)字線； 以及

將所述第二電壓施加至位于所述選擇的字線與所述組的漏極側(cè)之間的連續(xù)字線。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括：

在所述編程期間，施加低于所述第一電壓的第三電壓至位于所述選擇的字線與所 述至少一第一字線之間的字線。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中：

所述第三電壓接近0至1伏特。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括：

在所述編程期間，通過分別將第三、第四與第五電壓施加至位于所述選擇的字線 與所述至少一第一字線之間的第三、第四與第五字線而形成位于所述第一與第二相 關(guān)聯(lián)的溝道區(qū)之間的隔離區(qū)，所述第四字線在所述第三與第五字線之間，所述第三、 第四與第五電壓小于所述第一電壓，并且所述第四電壓小于所述第三與第五電壓。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中：

所述第三與第五電壓接近相等。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括：

在所述編程期間，通過分別將第三、第四、第五、第六與第七電壓施加至位于所 述選擇的字線與所述至少一第一字線之間的第三、第四、第五、第六與第七字線而 形成位于所述第一與第二相關(guān)聯(lián)的溝道區(qū)之間的隔離區(qū)，所述第五字線在所述第四 與第六字線之間，所述第四、第五與第六字線在所述第三與第七字線之間，所述第 三、第四、第五、第六與第七電壓小于所述第一電壓，并且所述第五電壓小于所述 第三、第四、第六與第七電壓。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中：

在所述第五字線的一側(cè)上，所述第三電壓大于所述第四電壓，并且在所述第五字 線的另一側(cè)上，所述第七電壓大于所述第六電壓。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中：

所述第三與第七電壓接近相等；以及

所述第四與第六電壓接近相等。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

所述非易失性存儲元件包括多電平存儲元件。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

所述組非易失性存儲元件包括NAND串。