[發(fā)明專利]具有可重定目標的存儲器單元冗余的存儲器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680046747.4
• 申請日: 2006-11-01
• 公開（公告）號: CN101331554A
• 公開（公告）日: 2008-12-24
• 發(fā)明（設計）人: 凱文·M·康利;約拉姆·錫達
• 申請（專利權）人: 桑迪士克股份有限公司
• 主分類號: G11C29/00
• 分類號: G11C29/00
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司
• 代理人: 劉國偉

1、一種非易失性存儲器陣列，其包括：

第一列存儲器單元，其含有一有缺陷單元及若干無缺陷單元；

第二列存儲器單元，其是僅含有從所述存儲器陣列中的其它位置重新定位的數(shù)據(jù)的冗余列；及

將所述有缺陷單元個別地映射到所述第二列中的冗余單元，從而將待存儲在所述有缺陷單元中的數(shù)據(jù)存儲在所述冗余單元中，所述有缺陷單元與所述冗余單元位于相同行中，所述第二列不含有從所述第一列的所述無缺陷單元映射的數(shù)據(jù)。

2、如權利要求1所述的存儲器陣列，其進一步包括被視為有缺陷且不存儲數(shù)據(jù)的第三列，所述第三列的所有數(shù)據(jù)均存儲在作為冗余列的第四列中。

3、如權利要求2所述的存儲器陣列，其中所述第三列因其有缺陷單元的數(shù)目超過了閾值數(shù)目而被視為有缺陷的。

4、如權利要求1所述的存儲器陣列，其中所述有缺陷單元及所述冗余單元位于同一塊中且不可單獨擦除。

5、如權利要求4所述的存儲器陣列，其中所述有缺陷單元到所述冗余單元的所述映射記錄在所述存儲器陣列的另一塊中。

6、如權利要求1所述的存儲器陣列，其中所述第二列含有額外數(shù)據(jù)，所述額外數(shù)據(jù)是從除所述第一列以外的列中的有缺陷單元映射的。

7、如權利要求1所述的存儲器陣列，其中所述有缺陷單元到所述冗余單元的所述映射記錄在所述非易失性存儲器陣列的外部。

8、如權利要求1所述的存儲器陣列，其中所述有缺陷單元到所述冗余單元的所述映射是使用熔絲或反熔絲永久記錄的。

9、如權利要求1所述的存儲器陣列，其中所述存儲器陣列具有NAND結構。

10、如權利要求1所述的存儲器陣列，其中所述第一或第二列的個別單元含有兩個或兩個以上位的數(shù)據(jù)。

11、如權利要求1所述的存儲器陣列，其中隨后在嘗試存取所述有缺陷單元時，改為存取所述冗余單元。

12、如權利要求11所述的存儲器陣列，其中在嘗試存取所述有缺陷單元時，將所述有缺陷單元的行及列兩者與缺陷映射進行比較以確定所述有缺陷單元是有缺陷的。

13、如權利要求12所述的存儲器陣列，其中由連接到所述存儲器陣列的專用狀態(tài)機將所述行及列與所述缺陷映射進行比較。

14、如權利要求12所述的存儲器陣列，其中由也執(zhí)行其它存儲器管理功能的控制器將所述行及列與所述缺陷映射進行比較。

15、一種在新存儲器芯片的初始化程序期間測試并修復非易失性存儲器陣列的方法，所述非易失性存儲器陣列具有一個或一個以上有缺陷單元及一個或一個以上冗余列的冗余單元，所述方法包括：

檢測所述存儲器陣列中的一個或一個以上有缺陷單元；及

個別地指派冗余列中的取代單元來取代第一列中的有缺陷單元，而不需要為所述第一列的無缺陷單元指派所述冗余列中的任何其它取代單元，所述有缺陷單元與所述取代單元通過字線連接。

16、如權利要求15所述的方法，其進一步包括通過將第二列中有缺陷單元的數(shù)目與閾值數(shù)目進行比較來確定所述第二列是有缺陷的，及指派整個額外冗余列來取代所述第二列。

17、如權利要求15所述的方法，其進一步包括通過使熔絲或反熔絲發(fā)生永久變化來記錄所述取代單元的所述指派。

18、如權利要求15所述的方法，其進一步包括在非易失性存儲器中記錄所述取代單元的所述指派。

19、一種取代非易失性NAND型快閃存儲器陣列中的一串存儲器單元的方法，一串NAND單元串聯(lián)連接在兩個選擇柵極之間，所述方法包括：

確定第一列中的第一串存儲器單元為有缺陷串；及

將所述第一串存儲器單元映射到冗余列中的第二串存儲器單元，而不需要將所述第一列的其它串映射到所述冗余列。

20、如權利要求19所述的方法，其中因為所述第一串存儲器單元含有至少一個有缺陷單元而將其確定為有缺陷串。

21、如權利要求19所述的方法，其中因為所述第一串存儲器單元僅含有有缺陷單元而將其確定為有缺陷串。