[發(fā)明專利]在結(jié)處具有絕緣層的場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680046460.1
• 申請日: 2006-12-07
• 公開（公告）號: CN101326621A
• 公開（公告）日: 2008-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吉爾貝托·A·庫拉托拉;塞巴斯蒂安·努汀克
• 申請（專利權(quán)）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/165
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 陳源;張?zhí)焓?/td>

1.一種制造半導(dǎo)體晶體管的方法，其包括：

在硅半導(dǎo)體襯底(10)的第一主表面(12)上形成柵極氧化層(14)；

在所述柵極氧化層(14)上形成柵極(16)；

在深延伸區(qū)(20)的柵極(16)的兩側(cè)上刻蝕源極和漏極空腔進(jìn)入所述半導(dǎo)體襯底(10)的第一主表面(12)；

在所述深延伸區(qū)(20)的壁上生長SiGe層(22)；

在所述SiGe層(22)上生長硅層(24)；

選擇性地刻蝕所述SiGe層(22)，以去除S?iGe層的大部分長度，適當(dāng)?shù)乇Ａ襞c所述柵極氧化層(14)鄰接的那部分S?iGe層(22)，所述SiGe層的剩余部分形成空腔(26)；

用絕緣物(28)填充所述空腔(26)；以及

在所述柵極(16)的相對側(cè)上的深延伸區(qū)(20)的源極和漏極空腔中生長源極(30)和漏極(32)層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述源極和漏極層(30，32)是SiGe。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述填充層空腔(26)的步驟是對硅進(jìn)行氧化以在所述空腔中形成二氧化硅(28)的步驟。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中在所述硅層(24)下的SiGe層的厚度為5nm到25nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中生長在所述SiGe層(22)上的硅層(24)的厚度為5nm到25nm。

6.一種半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，其包括：

具有第一主表面(12)的硅半導(dǎo)體襯底(10)；

在所述第一主表面(12)上的柵極氧化層(14)；

在所述柵極氧化層(14)上的導(dǎo)電柵極(16)；

在所述柵極(16)的相對側(cè)上的對置深延伸區(qū)(20)中形成的對置源極和漏極區(qū)(30，32)，所述源極和漏極區(qū)(30，32)從第一主表面(12)延伸進(jìn)入所述襯底(10)；

在所述襯底中跟隨源極和漏極區(qū)(30，32)與襯底的結(jié)的填充層(22，28)，其中所述填充層(22，28)具有與SiGe的柵極氧化層鄰接的第一區(qū)(22)以及所述填充層的大部分長度的剩余部分是絕緣物(28)；以及

將填充層(22，28)與源極和漏極區(qū)(30，32)分隔開的硅層(24)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，其中所述源極和漏極區(qū)(30，32)是SiGe。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，其中所述填充層(22，28)中的絕緣物是二氧化硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，其中所述填充層(22，28)的厚度為5nm至25nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，其中所述填充層(22，28)上的硅層(24)的厚度為5nm到25nm。