[發明專利]表面安裝芯片電容器

無效

• 申請號: 200680045175.8
• 申請日: 2006-08-10
• 公開（公告）號: CN101322203A
• 公開（公告）日: 2008-12-10
• 發明（設計）人: R·卡特拉羅;L·庫什納廖夫;N·科亨;H·戈德伯格
• 申請（專利權）人: 維莎斯普拉格公司
• 主分類號: H01G4/00
• 分類號: H01G4/00;H01G9/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 于輝

1.一種具有陰極末端和與之相對的陽極末端的表面安裝芯片電容器， 該表面安裝芯片電容器包括：金屬襯底；包括閥金屬且部分圍繞所述金屬 襯底的導電粉末元件，所述金屬襯底自所述導電粉末向表面安裝芯片電容 器的所述陽極末端延伸；介電層、浸漬陰極和至少部分圍繞所述導電粉末 元件的銀陰極體；圍繞所述銀陰極體的涂層；形成在所述襯底的自導電粉 末向外延伸的部分周圍的絕緣材料；形成在所述表面安裝芯片電容器陽極 末端的金屬襯底周圍的導電涂層；電連接到所述表面安裝芯片電容器陽極 末端的導電涂層的陽極末端端子；以及電連接到所述表面安裝芯片電容器 陰極末端的銀陰極體的陰極末端端子。

2.如權利要求1所述的表面安裝芯片電容器，其中所述涂層是通過氣 相沉積并聚合而形成的聚合物。

3.如權利要求2所述的表面安裝芯片電容器，其中所述涂層包括聚對 二甲苯。

4.如權利要求2所述的表面安裝芯片電容器，其中所述涂層包括聚對 二甲苯衍生物。

5.如權利要求3所述的表面安裝芯片電容器，其中所述導電粉末的閥 金屬是鉭。

6.如權利要求1所述的表面安裝芯片電容器，其中所述粉末通過電泳 沉積在所述金屬襯底上。

7.如權利要求1所述的表面安裝芯片電容器，其中所述金屬襯底是鉭 箔。

8.如權利要求1所述的表面安裝芯片電容器，其中所述表面安裝芯片 電容器的厚度至少10微米。

9.如權利要求1所述的表面安裝芯片電容器，其中所述導電粉末提供 的電容-電壓至少為10CV。

10.如權利要求1所述的表面安裝芯片電容器，其中所述導電粉末包 括作為金屬氧化物的閥金屬。

11.如權利要求1所述的表面安裝芯片電容器，其中所述導電粉末包 括作為低價金屬氧化物的閥金屬。

12.如權利要求1所述的表面安裝芯片電容器，其中所述閥金屬是鈮， 且所述導電粉末包括Nb、NbO和Nb₂O₅。

13.一種表面安裝芯片電容器，包括：金屬襯底；包括閥金屬且部分 圍繞所述金屬襯底的導電粉末元件，所述金屬襯底自所述導電粉末向所述 表面安裝芯片電容器的陽極末端延伸；至少部分圍繞所述導電粉末元件的 陰極；圍繞所述陰極的涂層；形成在所述襯底的自導電粉末向外延伸的部 分周圍的絕緣材料；形成在所述表面安裝芯片電容器陽極末端的金屬襯底 周圍的導電涂層；電連接到所述導電涂層的陽極末端端子；電連接到所述 陰極的陰極末端端子。

14.如權利要求13所述的表面安裝芯片電容器，其中所述涂層是通 過氣相沉積并聚合而形成的聚合物。

15.如權利要求14所述的表面安裝芯片電容器，其中所述涂層包括 聚對二甲苯。

16.如權利要求14所述的表面安裝芯片電容器，其中所述涂層包括 聚對二甲苯衍生物。

17.如權利要求14所述的表面安裝芯片電容器，其中所述導電粉末 的閥金屬是鉭。

18.如權利要求14所述的表面安裝芯片電容器，其中所述粉末通過 電泳沉積在所述金屬襯底上。