[發明專利]Ⅲ－Ⅴ族半導體器件的電介質界面

有效

• 申請號: 200680044431.1
• 申請日: 2006-11-17
• 公開（公告）號: CN101341583A
• 公開（公告）日: 2009-01-07
• 發明（設計）人: J·K·布拉斯克;S·達塔;M·L·多奇;J·M·布萊克威爾;M·V·梅茨;J·T·卡瓦利羅斯;R·S·喬
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/314
• 分類號: H01L21/314;H01L29/51;H01L21/28
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 柯廣華;劉春元

1.一種用于制造半導體器件的方法，包括：

生長III-V族化合物的第一區域；

在所述第一區域上生長AlInSb限制區域；

在所述AlInSb限制區域上形成硫族化物區域；

在所述硫族化物區域上形成電介質區域，其中所述硫族化物區域 包括在所述限制區域和所述電介質區域之間的其中n大于1的[O]_n橋、 二硫橋或者二硒橋；以及

在所述電介質區域上形成金屬柵。

2.如權利要求1所述的方法，包括：在形成所述硫族化物區域之 前，從所述限制區域去除天然氧化物。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述第一區域包括InSb或InP。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述電介質區域包括高k電介 質。

5.如權利要求4所述的方法，其中所述高k電介質包括HfO₂。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述電介質區域包括高k電介 質。

7.如權利要求6所述的方法，其中所述高k電介質包括HfO₂。

8.一種用于制造半導體器件的方法，包括：

形成InSb阱；

在所述InSb阱上形成AlInSb限制區域；

從所述AIInSb限制區域的表面去除天然氧化物；

在所述AlInSb限制區域的表面上形成硫族化物區域；以及

在所述硫族化物區域上形成Al₂O₃層，其中所述硫族化物區域包 括在所述限制區域和所述Al₂O₃層之間的其中n大于1的[O]_n橋、二硫 橋或者二硒橋。

9.如權利要求8所述的方法，其中形成所述Al₂O₃包括：使用三 甲基鋁和水前體的原子層淀積(ALD)過程。

10.如權利要求8所述的方法，其中去除所述天然氧化物包括： 用酸處理所述AlInSb限制區域的表面。

11.如權利要求8所述的方法，其中形成所述AlInSb限制區域包 括：形成Si或Te的供體區域。

12.一種半導體器件，包括：

InSb區域；

AlInSb區域，設置在所述InSb區域上；

硫族化物區域，設置在所述AlInSb區域上；

Al₂O₃區域，設置在所述硫族化物區域上，其中所述硫族化物區域 包括在所述AlInSb區域和所述Al₂O₃區域之間的其中n大于1的[O]_n橋、二硫橋或者二硒橋；以及

Al柵極，設置在所述Al₂O₃區域上。

13.如權利要求12所述的器件，其中所述InSb區域是由AlInSb 區域所限制的量子阱。

14.如權利要求13所述的器件，其中所述Al₂O₃是厚度小于的層。

15.如權利要求13所述的器件，其中所述AlInSb區域包括用Si 或Te摻雜的區域。

16.如權利要求15所述的器件，包括：源極和漏極觸點，設置在 所述Al柵極的對側上。

17.如權利要求16所述的器件，其中所述Al柵極凹入所述AlInSb 區域，以便提供增強型晶體管。