[發明專利]具有用于減少電容的間隙的器件

無效

• 申請號: 200680044251.3
• 申請日: 2006-11-17
• 公開（公告）號: CN101317259A
• 公開（公告）日: 2008-12-03
• 發明（設計）人: S·M·列扎·薩賈迪;黃志松
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余剛;尚志峰

1.一種用于減少半導體器件配線之間電容的方法，包括：

在介電層內形成多個接觸結構；

形成掩模以覆蓋該接觸結構，其中該掩模具有用于暴露該介電層部分的掩模特征，其中該掩模特征具有寬度；

利用側壁沉積物收縮該掩模特征的寬度；

穿過該側壁沉積物將間隙蝕刻入該介電層；以及

閉合該間隙以在該間隙內形成袋室。

2.根據權利要求1所述的方法，其中該收縮該掩模特征的寬度包括至少一個收縮循環，其中每個收縮循環包括：

收縮沉積階段，其在該掩模特征的側壁上形成沉積物以收縮該掩模特征；以及

收縮形貌成形階段，其成形在該掩模特征的側壁上的沉積物。

3.根據權利要求2所述的方法，其中該收縮該掩模特征的寬度將該掩模特征的寬度收縮5-80％，并且其中該形貌成形階段成形該掩模特征側壁上的沉積物以形成垂直側壁。

4.根據權利要求2-3中任一項所述的方法，其中該收縮該掩模特征的寬度包括3到20個收縮循環。

5.根據權利要求1所述的方法，其中每個間隙具有容積并且每個袋室具有容積，其中每個袋室的容積是該袋室所處間隙的容積的至少一半。

6.根據權利要求2所述的方法，其中該收縮沉積階段包括：

提供沉積氣體；

由該沉積氣體形成等離子；以及

停止該沉積氣體流。

7.根據權利要求2所述的方法，其中該收縮形貌成形階段包括：

提供形貌成形氣體；

由該形貌成形氣體形成等離子；以及

停止該形貌成形氣體流。

8.根據權利要求6-7中任一項所述的方法，其中該沉積氣體包括碳氫化合物、碳氟化合物和氫氟碳化合物的至少一種，并且該形貌成形氣體包括C_xF_y、NF₃和C_xH_yF_z的至少一種。

9.根據權利要求1所述的方法，其中該閉合該間隙包括多個循環，其中每個循環包括：

方包沉積階段，該階段通過沉積氣體在間隙的側壁上提供沉積物；以及

方包形貌成形階段，該階段通過方包形貌成形氣體成形沉積物的形貌以形成方包閉合部。

10.根據權利要求1所述的方法，其中形成接觸結構，包括：

在該介電層內蝕刻特征；以及

在該介電層中被蝕刻的特征內設置導電材料。

11.根據權利要求1所述的方法，進一步包括在形成該掩模以覆蓋該接觸結構之前，在該接觸結構和介電層上形成阻擋層。

12.根據權利要求1所述的方法，其中所述形成接觸結構包括在該介電層內蝕刻特征，并且其中所述形成掩模以覆蓋該接觸結構包括利用光刻膠填充該接觸結構。

13.根據權利要求1所述的方法，其中該接觸結構各包括至少一個過孔和至少一個溝槽。

14.一種由根據權利要求1-13中任一項所述的方法形成的半導體器件。

15.一種用于減少半導體器件之間電容的方法，包括：

在介電層內形成多個接觸結構；

形成掩模以覆蓋該接觸結構，其中該掩模具有用于暴露該介電層部分的掩模特征，其中該掩模特征具有寬度；

利用側壁沉積物收縮該掩模特征的寬度，其中收縮該掩模特征的寬度將該掩模特征的寬度收縮5-80％，其中該收縮該掩模特征的寬度包括至少一個收縮循環，其中每個收縮循環包括：

收縮沉積階段，其在該掩模特征側壁上形成沉積物以收縮該掩模特征；以及

收縮形貌成形階段，其成形在該掩模特征側壁上的沉積物，其中該形貌成形階段成形該掩模特征側壁上的沉積物以形成垂直側壁；

穿過該側壁沉積物將間隙蝕刻入該介電層；以及

閉合該間隙以在該間隙內形成袋室，其中閉合該間隙包括多個循環，其中每個循環包括：

方包沉積階段，該階段通過沉積氣體在間隙的側壁上提供沉積物；以及

方包形貌成形階段，該階段通過方包形貌成形氣體成形沉積物的形貌以形成方包閉合部。