[發明專利]半導體襯底、半導體器件和半導體襯底的制造方法

有效

• 申請號: 200680044083.8
• 申請日: 2006-11-17
• 公開（公告）號: CN101317257A
• 公開（公告）日: 2008-12-03
• 發明（設計）人: 木島公一朗
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;G02B6/122;G02B6/13;H01L21/02;H01L27/08;H01L27/12;H01L27/15
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 肖善強

1.一種制造半導體襯底的方法，其特征在于，所述方法包括：

第一步驟，在第一半導體襯底上形成預定圖案化掩膜的條件下將氧離子注入所述第一半導體襯底，然后對所述第一半導體襯底進行熱處理，從而形成具有不均勻的深度分布的第二絕緣體層；和

第二步驟，在所述第一步驟后，在從所述第一半導體襯底上去除所述預定圖案化掩膜的條件下將氧離子注入所述第一半導體襯底，然后對所述第一半導體襯底進行熱處理，從而在所述第二絕緣體層上方形成具有均勻的深度分布的第一絕緣體層。

2.一種制造半導體襯底的方法，其特征在于，所述方法包括：

第一步驟，在第一半導體襯底上形成預定圖案化掩膜的條件下將氧離子注入所述第一半導體襯底，然后對所述第一半導體襯底進行熱處理，從而形成具有不均勻的深度分布的第二絕緣體層；

第二步驟，在所述第一步驟后，將包括具有均勻的深度分布的第一絕緣體層的第二半導體襯底結合到所述第一半導體襯底的表面上；和

第三步驟，在所述第二步驟后，減小如下半導體襯底表面上的半導體層的厚度，所述半導體襯底是通過將所述第二半導體襯底結合到所述第一半導體襯底的表面上而得到的。

3.如權利要求2的制造半導體襯底的方法，其特征在于，所述減小半導體層的厚度的步驟包括：

通過離子注入在預定位置上進行解離的步驟；和

在所述解離后對表面進行拋光的步驟。