[發明專利]用于半導體器件的自對準肖特基結的制造方法

有效

• 申請號: 200680044061.1
• 申請日: 2006-11-27
• 公開（公告）號: CN101317253A
• 公開（公告）日: 2008-12-03
• 發明（設計）人: 馬庫斯·穆勒
• 申請（專利權）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L21/8238
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳源;張天舒

1.一種用于制造關于半導體器件有源區的自對準金屬半導體結的方法，所述方法包括以下步驟：

在半導體襯底上提供柵極；

去除所述半導體襯底表面上與所述有源區相對應的一部分材料以便在其中形成凹槽；

在所述有源區上選擇性地沉積一層犧牲材料，所述犧牲材料定義了結區；

在所述柵極和所述犧牲材料上提供一層電介質材料；

在所述結區選擇性地蝕刻所述電介質材料，以形成接觸孔；

隨后從凹槽去除所述犧牲材料，從而產生腔；并且

經由所述接觸孔，用金屬材料填充所述腔。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述犧牲材料是半導體材料。

3.如權利要求1所述的方法，其中，去除所述半導體襯底表面上與所述有源區相對應的一部分材料以便在其中形成凹槽的步驟是通過濕法和/或干法蝕刻工藝實現的。

4.如權利要求2所述的方法，其中，所述半導體襯底包括硅，并且所述半導體材料是SiGe，并且其中沉積是通過外延生長完成的。

5.如權利要求4所述的方法，其中，在所述凹槽中生長所述SiGe。

6.如權利要求4所述的方法，其中所述柵極包括多晶硅，并且SiGe也生長在所述柵極的頂部上。

7.如權利要求1所述的方法，其中凹槽中的所述犧牲材料延伸得高于在凹槽形成之前的所述半導體襯底的原始表面。

8.如權利要求1所述的方法，其中通過選擇性化學蝕刻將所述犧牲材料從凹槽去除。

9.如權利要求4所述的方法，其中通過選擇性化學SiGe蝕刻將所述SiGe從所述凹槽去除。

10.如權利要求1所述的方法，其中，經由所述接觸孔用金屬材料填充所述腔的步驟包括以下子步驟：首先執行金屬沉積工藝以填充所述腔并且用金屬材料覆蓋接觸孔的側壁和電介質材料的表面，隨后在接觸孔的剩余部分中填滿金屬。

11.如權利要求1所述的方法，還包括從電介質材料的表面去除所沉積的金屬材料的步驟。

12.如權利要求1所述的方法，其中，在低于制造所述半導體器件的工藝流程的最高溫度所限定的預定溫度時，用于形成金屬半導體結的金屬材料與所述半導體襯底材料不發生反應。

13.如權利要求1所述的方法，其中所述半導體器件包括CMOS晶體管，所述CMOS晶體管包括pMOS和nMOS器件，其中不同的金屬材料被用于形成pMOS和nMOS器件的各個的金屬半導體結。

14.如權利要求1所述的方法，其中，所述半導體器件包括CMOS晶體管，所述CMOS晶體管包括pMOS和nMOS器件，其中所述pMOS和nMOS器件的各個的金屬半導體結的厚度不同。

15.如權利要求12所述的方法，其中，使用分開的接觸蝕刻步驟來形成pMOS和nMOS器件的各個的接觸孔。