[發明專利]使用電壓可變介電材料的發光設備

無效

• 申請號: 200680043524.2
• 申請日: 2006-11-22
• 公開（公告）號: CN101578710A
• 公開（公告）日: 2009-11-11
• 發明（設計）人: L·科索斯基
• 申請（專利權）人: 肖克科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司
• 代理人: 謝 靜;楊 勇

相關申請

本申請要求于2005年9月29日提交的美國臨時專利申請60/740, 961的優先權，該臨時專利申請的名稱為“Light?Emitting?Devices With?ESD?Characteristics”，此處通過援引的方式將前述申請納入 本文。

該申請還要求2005年9月22日提交的美國臨時專利申請60/739, 725的優先權，該臨時專利申請的名稱為“RFID?Tag?Using?Voltage?? Switchable?Dielectric?Material”，此處通過援引的方式將前述申請 納入本文。

技術領域

公開的實施方案總體涉及發光設備領域。更具體地，此處所描述 的實施方案包括集成或納有電壓可變介電材料(voltage?switchable dielectric?material)的發光設備。

背景技術

傳統的發光結構，例如白熾燈泡，正在被諸如LED和OLED之類 效率更高，功率更強的發光結構所取代。雖然新的發光結構給出了更 多的優點，但它們同時也更為昂貴，更難以制造以及經常還要用到特 殊材料。而且，雖然這種新設備可能比傳統發光結構具有相對較長的 壽命，但LED和OLED暴露在瞬態電條件下時則可能會損壞(fail)。 特別是，有機和無機發光設備，包括用于這些設備中的半導體芯片和 聚合物，對靜電放電(ESD)和諸如電過應力(EOS)、電磁脈沖(EMP) 等其他電壓瞬態高度敏感。這些設備過去都是由雪崩二極管或聚合物 電涌抑制器來保護的。

附圖說明

圖1是根據本發明實施方案的，被構造為納有或集成了VSD材料 的發光設備的框圖。

圖2是根據本發明一個實施方案的，被構造成包括VSD材料的發 光二極管的簡化示意圖。

圖3示出了根據本發明的一個或多個實施方案的，被構造成含有 VSD材料的LED設備。

圖4示出了根據本發明的被安裝到一個納有VSD材料的墊底基底 或平臺上的LED設備。

圖5示出了又一個實施方案，其中，一個或多個LED設備根據本 發明實施方案被安裝到一個納有VSD材料的墊底基底(underlying substrate)或其他多元件平臺上。

圖6示出了一個根據本發明實施方案構造的OLED設備610。

圖7示出了一項根據本發明實施方案的用于形成那集成了VSD材 料的發光設備的技術。

圖8A-圖8E示出了根據本發明一個或多個實施方案的，用于形成 LED設備的過程。

具體實施方式

此處所描述的實施方案提供了電壓可變介電材料(VSD)作為發光 部件的一部分的應用，該發光部件包括LED和OLED。VSD材料可以被 提供作為封裝的一部分，或與這類發光設備的電部件和元件集成或組 合。如一個或多個實施方案所提供的，VSD材料的集成可保護發光設 備免受諸如靜電放電(ESD)和電過應力(EOS)之類的電壓瞬態的影 響，以及免受潮濕、沖擊和其他電學或機械的危害。

實施方案還包括用于保護發光結構(包括LED和OLED)免受ESD 事件的裝置設計和技術。特別是，一個或多個實施方案提供了將VSD 材料用于將ESD事件遮蔽在LED或OLED之外。

如此處所用的，“電壓可變材料”或“VSD材料”是任何具有如下 特征的組合物或組合物的組合，其中所述特征為：材料一直是介電的 或不導電的，除非對該材料施加一個超過材料特征電壓水平的電壓， 在后一情況下，材料變為導電的。因此，VSD材料是介電的，除非有 一超過特征水平的電壓(例如，由ESD事件引起的)被作用到材料上， 在這種情況下，VSD材料是導電的。VSD材料還可以被表征為任何可以 被表征為非線性電阻材料的材料。

存在各種各樣的VSDM。諸如美國專利4,977,357，美國專利 5,068,634，美國專利5,099,380，美國專利5,142,263，美國專利 5,189,387，美國專利5,248,517，美國專利5,807,509，WO?96/02924 和WO?97/26665之類的文獻給出了電壓可變介電材料的例子。在一個 實施中，VSDM材料對應于在商標名下“SURGX”制造的材料。