[發明專利]使用電壓可變介電材料的發光設備無效
| 申請號: | 200680043524.2 | 申請日: | 2006-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN101578710A | 公開(公告)日: | 2009-11-11 |
| 發明(設計)人: | L·科索斯基 | 申請(專利權)人: | 肖克科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京北翔知識產權代理有限公司 | 代理人: | 謝 靜;楊 勇 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使用 電壓 可變 材料 發光 設備 | ||
1.一種發光設備,包括:
一個通過在至少第一終端和第二終端之間運載電流而發光的部 件,其中所述部件由半導體材料形成;
一種電壓可變介電(VSD)材料,該VSD材料被構造為具有這樣的 特性:(i)在沒有超過VSD材料的特征電壓水平的電壓時是絕緣的, 以及(ii)在施加超過該特征電壓水平的電壓時是導電的;
其中所述VSD材料是具有如下特征的基于有機聚合物的組合物; 以及
其中所述VSD材料被設置為和以下項中的任何一個或多個接觸: (i)所述部件的半導體材料,(ii)所述部件的第一終端,(iii)所 述部件的第二終端,(iv)從第一終端延伸的第一引線,或(v)從第 二終端延伸的第二引線,以對該部件提供接地,抵抗任何超過該VSD 材料的特征電壓水平的瞬態電壓。
2.根據權利要求1的設備,其中,所述部件是二極管。
3.根據權利要求1的設備,其中所述VSD材料位于第一引線和第 二引線之間,并與第一引線和第二引線接觸。
4.根據權利要求1的設備,其中,所述部件被設置在基底上,以 及其中所述VSD材料被設置在基底上。
5.根據權利要求1的設備,其中,所述部件由有機聚合物形成。
6.根據權利要求1的設備,其中,所述VSD材料還被提供在基底 上,以位于以下項中的任何一個或多個之下:(i)所述由半導體材料 形成的部件,(ii)所述部件的第一終端,(iii)所述部件的第二終端, (iv)第一終端的第一引線,或者(v)第二終端的第二引線。
7.根據權利要求1的設備,其中所述設備具有特征擊穿電壓,該 特征擊穿電壓對應于被施加到所述部件上時會導致所述設備損壞的最 小電壓值,以及其中所述VSD材料的特征電壓值低于該特征擊穿電壓。
8.一種發光設備,包括:
一個半導體部件,該半導體部件被配置成在對其施加電流時發光;
一種被耦接到該半導體部件的電壓可變介電(VSD)材料,其中, 該VSD材料被構造成具有這樣的特性:(i)在沒有超過VSD材料的特 征電壓水平的電壓時是絕緣的,以及(ii)在施加超過該特征電壓水 平的電壓時是導電的;
其中所述VSD材料是具有如下特征的基于有機聚合物的組合物; 以及
其中所述VSD材料被設置為和以下項中的任何一個或多個接觸: (i)所述半導體部件,(ii)所述半導體部件的第一終端,(iii)所 述半導體部件的第二終端,(iv)從第一終端延伸的第一引線,或(v) 從第二終端延伸的第二引線,以便當VSD材料是導電的時候,將電流 導離半導體。
9.根據權利要求8的設備,其中,所述半導體部件是二極管。
10.根據權利要求8的設備,其中,所述設備具有特征擊穿電壓, 該特征擊穿電壓對應于被施加到所述部件上時會導致所述設備損壞的 最小電壓值,以及其中該VSD材料的特征電壓值低于該特征擊穿電壓。
11.根據權利要求8的設備,其中,所述VSD材料被施加到所述半 導體部件安裝在其上的一基底上。
12.根據權利要求11的設備,其中,所述VSD材料用來將所述半 導體部件貼附到基底上。
13.根據權利要求8的設備,其中,所述半導體部件包括第一終端 和第二終端,以及其中所述VSD材料與第一終端和第二終端中的一個 或兩個電接觸。
14.根據權利要求13的設備,其中,所述VSD材料在從第一終端 延伸的第一引線和從第二終端延伸的第二引線之間延伸,并與它們接 觸。
15.根據權利要求8的設備,其中,該設備還包括一個盒子,以及 其中所述VSD材料和盒子還被設置在一起,或被設置作為盒子的一部 分。
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