[發(fā)明專利]用于高級(jí)焊料凸點(diǎn)形成的方法和由所述方法制造的系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680043052.0
• 申請(qǐng)日: 2006-12-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101310374A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M·龐;C·J·巴爾;R·塔尼克拉;C·古魯默西
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號(hào): H01L21/60
• 分類號(hào): H01L21/60
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 陳松濤;王英

背景技術(shù)

希望能減小包括(例如)“受控塌陷芯片連接”(C4)技術(shù)的高I/O倒裝芯片的凸點(diǎn)間距。企圖減小凸點(diǎn)間距可能會(huì)導(dǎo)致過(guò)孔尺寸開(kāi)口、焊料凸點(diǎn)尺寸、焊料凸點(diǎn)高度及其他特征的相應(yīng)減小，以及針對(duì)這些特征的更嚴(yán)格的容限。為了充分地致力于很多潛在應(yīng)用，可能需要對(duì)IC封裝設(shè)計(jì)和處理的理解，包括對(duì)材料和工藝流程的理解。?

倒裝芯片的可靠性可能受到焊料凸點(diǎn)構(gòu)造及其他組裝因素的影響，包括理解和控制系統(tǒng)和方法以制造其焊料凸點(diǎn)。凸點(diǎn)形成工藝或其各方面中的變動(dòng)可能會(huì)導(dǎo)致倒裝芯片器件或制造工藝的故障和/或可靠性降低。?

附圖說(shuō)明

圖1是根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的示范性工藝的流程圖；?

圖2A-2E是根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的設(shè)備在制造工藝各階段的示意圖；?

圖3是根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的示范性工藝的流程圖；?

圖4A-4G是根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的設(shè)備在制造工藝各階段的示意圖；?

圖5是根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的示范性工藝的另一流程圖；以及?

圖6是根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的系統(tǒng)的示意圖。?

具體實(shí)施方式

這里所述的幾個(gè)實(shí)施例完全是出于例示的目的。各實(shí)施例可以包括這里所述的元件的任何當(dāng)前或今后公知的版本。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將從該說(shuō)明書(shū)認(rèn)識(shí)到，可以利用各種修改和改變來(lái)實(shí)施其他實(shí)施例。?

本發(fā)明的一些實(shí)施例提供了一種用于生產(chǎn)倒裝芯片封裝的制造工藝。在一些實(shí)施例中，倒裝芯片是利用晶片襯底形成的，這種晶片襯底在襯底表面上設(shè)置的阻焊材料中的開(kāi)口中形成有導(dǎo)電焊料凸點(diǎn)。在形成焊料凸點(diǎn)的工藝中，根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例，在焊料回流處理之后，去除掩模材料。?在一些實(shí)施例中，如一些附圖所示，阻焊材料的上表面可以基本上為平面的(即平坦的)，掩模材料可以包括抵抗附著到焊料的焊料防護(hù)掩模材料及其組合。?

提供具有基本上為平面的上表面的阻焊材料，提供焊料防護(hù)掩模材料，在焊料回流后去除掩模材料以及其各種組合可以促成一種機(jī)制，以提供在諸如高度等特征方面一致性得到了改善的焊料凸點(diǎn)。?

參考圖1，示出了用于生產(chǎn)根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的設(shè)備的制造工藝的示范性流程圖，用附圖標(biāo)記100總地表示該流程圖。這里的各種工藝，包括工藝100，可以由硬件、軟件和/或固件的任何組合來(lái)執(zhí)行。根據(jù)一些實(shí)施例，可以將用于實(shí)施諸工藝，包括但不限于工藝100的指令存儲(chǔ)為可執(zhí)行代碼。可以將代碼存儲(chǔ)在任何適當(dāng)?shù)墓幕驅(qū)⒊蔀楣漠a(chǎn)品或介質(zhì)。?

在操作105，在襯底材料上施加、獲得或者提供阻焊材料。符合IC制造工藝流程的襯底材料可以包括，例如一層或多層有機(jī)介電材料。襯底可以包括各種IC特征，例如過(guò)孔和導(dǎo)體。?

圖2A示出了包括襯底205的示范性晶片200，襯底205的表面上具有沉積、放置、形成或提供的阻焊材料210。可以在襯底205之上對(duì)阻焊材料210選擇性地進(jìn)行構(gòu)圖。?

在一些實(shí)施例中，穿過(guò)阻焊材料210形成開(kāi)口(例如過(guò)孔)。?

在操作110，如圖2B所示，在阻焊材料210上施加焊料防護(hù)掩模(SRM)材料215。SRM?215可以具有減小或消除焊料附著到其上的能力的特性。SRM215抵抗附著到焊料的能力可以是基于SRM的物理和化學(xué)組成。在一些實(shí)施例中，SRM?215的物理和化學(xué)組成使得焊料附著(即粘附)到SRM?215的能力得到降低或消除且SRM可以經(jīng)受IC制造工藝的溫度和其他應(yīng)力。例如，SRM?215在承受伴隨焊料回流處理的溫度時(shí)可以保持其焊料防護(hù)的特性。在一些實(shí)施例中，在熱回流處理期間，與SRM?215接觸的焊料的表面張力將導(dǎo)致焊料從SRM剝離(例如分離)。根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例，SRM?215的一方面是，其組成，包括其上的涂層最小化、減小或消除焊料對(duì)SRM的潤(rùn)濕。?

在一些實(shí)施例中，基于施加到SRM?215表面的涂層，有助于SRM?215抵抗附著到焊料。例如，可以應(yīng)用諸如聚四氟乙烯(PTFE)(例如?其為E.I.du?Pont?de?Nemours?and?Company的注冊(cè)商標(biāo))等的聚合物涂?層來(lái)覆蓋SRM?215的表面。在一些實(shí)施例中，可以向掩模材料施加超薄化學(xué)氣相沉積的材料的抗磨損膜(例如基于烷基或烷氧基三嗪硫醇的涂層等)，并可以向掩模材料噴涂或真空沉積具有受控的均勻性的硅酮改性的單層。?