[發明專利]用于高級焊料凸點形成的方法和由所述方法制造的系統有效
| 申請號: | 200680043052.0 | 申請日: | 2006-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN101310374A | 公開(公告)日: | 2008-11-19 |
| 發明(設計)人: | M·龐;C·J·巴爾;R·塔尼克拉;C·古魯默西 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人: | 陳松濤;王英 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 高級 焊料 形成 方法 制造 系統 | ||
1.一種形成焊料凸點的方法,包括:
在襯底的表面上提供阻焊材料,所述阻焊材料具有為平面的上表面;
形成穿過所述阻焊材料的開口;
在具有穿過其的所述開口的所述阻焊材料的所述上表面上施加焊料防 護掩模(SRM)材料,其中將所述阻焊材料和施加到其上的所述焊料防護掩 模材料對準以制作穿過所述阻焊材料和所述焊料防護掩模材料二者的開 口;
對位于穿過所述阻焊材料和所述SRM材料二者形成的所述開口中的焊 料進行回流,以制作焊料凸點;以及
在對所述焊料進行回流之后去除所述掩模材料。
2.根據權利要求1所述的方法,其中通過如下方式中的至少一種使所 述阻焊材料的所述上表面平坦:
在液體阻焊材料固化之前控制其流動行為,對固化前的阻焊材料進行 熱壓層壓處理,化學拋光,機械拋光及其組合。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述SRM材料選自如下材料中的 一種:可重復使用的焊接掩模和用后即可拋棄的焊接掩模。
4.根據權利要求1所述的方法,還包括:
對位于穿過所述阻焊材料和所述掩模材料二者形成的多個開口中的焊 料進行回流,以制作多個焊料凸點;以及
在對所述多個開口中的所述焊料進行回流之后去除所述掩模材料。
5.根據權利要求1所述的方法,其中所述焊料凸點的高度變化為10 μm或更小。
6.根據權利要求5所述的方法,其中所述高度變化為5μm或更小。
7.根據權利要求1所述的方法,其中通過光刻來制作穿過所述阻焊材 料和所述SRM材料二者的所述開口。
8.根據權利要求1所述的方法,其中利用化學技術和激光燒蝕技術中 的至少一種來完成對所述焊料防護掩模材料的去除。
9.根據權利要求1所述的方法,其中對所述SRM材料進行平面化,以 使其具有為平面的上表面。
10.根據權利要求1所述的方法,其中基于如下操作中的至少一種, 所述SRM材料抵抗附著到焊料:向所述掩模材料施加硅酮改性的單層以及 向所述掩模材料的外表面施加焊料防護材料涂層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





