[發(fā)明專利]用于尋址具有基于鐵電薄膜晶體管的像素的有源矩陣顯示器的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680043044.6
• 申請日: 2006-11-03
• 公開（公告）號: CN101379541A
• 公開（公告）日: 2009-03-04
• 發(fā)明（設計）人: H·E·A·休特馬;G·H·格林克
• 申請（專利權）人: 聚合物視象有限公司
• 主分類號: G09G3/20
• 分類號: G09G3/20
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 王岳;魏軍

技術領域

本發(fā)明一般性涉及任何類型的有源矩陣顯示器(例如有源矩陣電泳顯示器和有源矩陣液晶顯示器)。本發(fā)明特別涉及用于采用多個像素的有源矩陣顯示器的尋址方案，每個像素具有鐵電薄膜晶體管形式的存儲元件。

背景技術

圖1示出了具有鐵電絕緣體層16的鐵電薄膜晶體管15，該鐵電絕緣體層可以是有機的或無機的。鐵電薄膜晶體管15進一步具有柵電極G、源電極S和漏電極D，并且鐵電絕緣體層16在柵電極G和源電極F與漏電極D的組合之間。

在操作中，鐵電薄膜晶體管15可以在通常稱為常開狀態(tài)的傳導狀態(tài)和通常稱為常關狀態(tài)的非傳導狀態(tài)之間轉換，該轉換基于柵電壓V_G和源電壓V_S之間的差分電壓V_GS和漏電壓V_D和源電壓V_S之間的差分電壓V_DS，它們都具有在鐵電絕緣體層16上生成的電場高于與鐵電絕緣體層16相關聯(lián)的強制電場的幅度。特別的，都具有等于或小于負的轉換閾值-ST的幅度的差分電壓V_GS和V_DS在鐵電絕緣體層16上生成將鐵電薄膜晶體管15轉換到常開狀態(tài)的電場。相反，都具有等于或大于正的轉換閾值+ST的幅度的差分電壓V_GS和V_DS在鐵電絕緣體層16上生成將鐵電薄膜晶體管15轉換到常關狀態(tài)的電場。

發(fā)明內容

鑒于在相應像素的尋址周期期間選擇性地將每個鐵電薄膜晶體管在傳導狀態(tài)和非傳導狀態(tài)之間轉換，本發(fā)明提供了一種用于采用多個像素的有源矩陣顯示器的新的和唯一的尋址方案，每個像素具有鐵電薄膜晶體管形式的存儲元件。

在本發(fā)明的一種形式中，顯示器包括行驅動器、列驅動器和像素，像素包括鐵電薄膜晶體管形式的存儲元件和可操作耦合到鐵電薄膜晶體管的顯示元件，該鐵電薄膜晶體管可操作耦合到行驅動器和列驅動器。行驅動器和列驅動器可操作地用于在像素的尋址周期的開始階段、中間階段和結束階段期間對鐵電薄膜晶體管施加不同組的驅動電壓。鐵電薄膜晶體管可操作用于在像素尋址周期的開始階段期間響應于由行驅動器和列驅動器施加到該鐵電薄膜晶體管的傳導行驅動電壓和傳導列驅動電壓而被設置到傳導狀態(tài)。鐵電薄膜晶體管還可操作用于在像素的尋址周期的中間階段期間響應于由行驅動器和列驅動器施加到該鐵電薄膜晶體管的充電行驅動電壓和充電列驅動電壓促進顯示元件的充電。鐵電薄膜晶體管還可以操作用于在像素的尋址周期的結束階段期間響應于由行驅動器和列驅動器對該鐵電薄膜晶體管施加的非傳導行驅動電壓和非傳導列驅動電壓而重置到非傳導狀態(tài)。

從以下結合附圖對本發(fā)明各實施例的詳細描述中，本發(fā)明的前述形式和其它形式以及本發(fā)明的各種特征和優(yōu)點將更清楚。詳細描述和附圖僅僅是對本發(fā)明的舉例說明而不是限制，本發(fā)明的范圍由隨附權利要求和其等價物限定。

附圖說明

圖1示出了當前技術已知的鐵電晶體管的示意圖；

圖2示出了依照本發(fā)明的一個實施例的顯示器的框圖；

圖3示出了依照本發(fā)明的一個實施例的像素的示意圖；

圖4示出了表示依照本發(fā)明的一個實施例的有源矩陣顯示器尋址方案的流程圖；

圖5-11示出了表示依照本發(fā)明的一個實施例的有源矩陣電泳顯示器尋址方案的流程圖；

圖12-14示出了表示本發(fā)明的一個實施例的有源矩陣液晶顯示器尋址方案的流程圖。

具體實施方式

圖2所示的本發(fā)明的顯示器20采用列驅動器30、行驅動器40、共有電極50(common?electrode)、和X×Y的像素P的矩陣。每個像素P采用鐵電薄膜晶體管形式的存儲元件和任何形式的顯示元件(例如電泳顯示元件和液晶顯示元件)。本發(fā)明對每個像素P的存儲元件和顯示元件的結構配置不強加任何限制或任何約束。因而，以下對像素P的存儲元件和顯示元件的示范實施例的描述不限制或約束依照本發(fā)明的每個像素P的存儲元件和顯示元件的結構配置的范圍。

圖3示出了本發(fā)明的鐵電薄膜晶體管形式的存儲元件60和顯示元件62。鐵電薄膜晶體管60具有能夠是有機或無機的鐵電絕緣體層61。鐵電薄膜晶體管60進一步具有可操作與行驅動器30(圖1)耦合的柵電極G、可操作與列驅動器40(圖1)耦合的源電極S和可操作與顯示元件62耦合的漏電極D，顯示元件62也可操作與共有電極60(圖1)耦合。在替代實施例中，源電極可操作與顯示元件62耦合并且漏電極D可操作與列驅動器40耦合。