[發明專利]用于尋址具有基于鐵電薄膜晶體管的像素的有源矩陣顯示器的方法

無效

• 申請號: 200680043044.6
• 申請日: 2006-11-03
• 公開（公告）號: CN101379541A
• 公開（公告）日: 2009-03-04
• 發明（設計）人: H·E·A·休特馬;G·H·格林克
• 申請（專利權）人: 聚合物視象有限公司
• 主分類號: G09G3/20
• 分類號: G09G3/20
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 王岳;魏軍

1.一種顯示器(20)，包括:

行驅動器(30)；

列驅動器(40)；

像素(P)，包括

鐵電薄膜晶體管(60)形式的存儲元件，其可操作耦合到行驅動器(30)和列驅動器(40)，和

可操作耦合到該鐵電薄膜晶體管(60)的顯示元件(62)；

其中行驅動器(30)和列驅動器(40)可操作用于在像素(P)的尋址周期的開始階段、中間階段和結束階段期間向鐵電薄膜晶體管(60)施加不同的驅動電壓；

其中鐵電薄膜晶體管(60)可操作用于在像素(P)的尋址周期的開始階段期間響應于由行驅動器(30)和列驅動器(40)向該鐵電薄膜晶體管(60)施加的傳導行驅動電壓和傳導列驅動電壓而被設置到傳導狀態；

其中鐵電薄膜晶體管(60)還可以操作用于在像素(P)的尋址周期的中間階段期間響應于由行驅動器(30)和列驅動器(40)施加到該鐵電薄膜晶體管(60)的充電行驅動電壓和充電列驅動電壓而促進顯示元件(62)的充電；和

其中鐵電薄膜晶體管(60)還可以操作用于在像素(P)的尋址周期的結束階段響應于由行驅動器(30)和列驅動器(40)施加到該鐵電薄膜晶體管(60)的非傳導行驅動電壓和非傳導列驅動電壓而被重置到非傳導狀態。

2.根據權利要求1所述的顯示器(20)，其中行驅動器(30)在像素(P)的尋址周期的開始階段期間與鐵電薄膜晶體管(60)的柵電極(G)進行電通信以便促進向鐵電薄膜晶體管(60)的柵電極(G)施加傳導行驅動電壓。

3.根據權利要求1所述的顯示器(20)，其中行驅動器(30)在像素(P)的尋址周期的中間階段期間與鐵電薄膜晶體管(60)的柵電極(G)進行電通信以便促進向鐵電薄膜晶體管(60)的柵電極(G)施加充電行驅動電壓。

4.根據權利要求1所述的顯示器(20)，其中行驅動器(30)在像素(P)的尋址周期的結束階段期間與鐵電薄膜晶體管(60)的柵電極(G)進行電通信以便促進向鐵電薄膜晶體管(60)的柵電極(G)施加非傳導行驅動電壓。

5.根據權利要求1所述的顯示器(20)，其中列驅動器(40)在像素(P)的尋址周期的開始階段期間與鐵電薄膜晶體管(60)的源電極(S)進行電通信以便促進向鐵電薄膜晶體管(60)的源電極(S)施加傳導列驅動電壓。

6.根據權利要求1所述的顯示器(20)，其中列驅動器(40)在像素(P)的尋址周期的中間階段期間與鐵電薄膜晶體管(60)的源電極(S)進行電通信以便促進向鐵電薄膜晶體管(60)的源電極(S)施加充電列驅動電壓。

7.根據權利要求1所述的顯示器(20)，其中列驅動器(40)在像素(P)的尋址周期的結束階段期間與鐵電薄膜晶體管(60)的源電極(S)進行電通信以便促進向鐵電薄膜晶體管(60)的源電極(S)施加非傳導列驅動電壓。

8.根據權利要求1所述的顯示器(20)，其中顯示元件(62)在像素(P)的尋址周期的中間階段期間與鐵電薄膜晶體管(60)的漏電極(D)進行電通信，以便響應于由行驅動器(30)和列驅動器(40)向鐵電薄膜晶體管(60)施加的充電行驅動電壓和充電列驅動電壓而促進顯示元件(62)的充電。

9.根據權利要求1所述的顯示器(20)，其中所述顯示元件(62)是電泳顯示元件(62)。

10.根據權利要求1所述的顯示器(20)，其中所述顯示元件(62)是液晶顯示元件(62)。