[發明專利]電流模式邏輯數字電路

無效

• 申請號: 200680042996.6
• 申請日: 2006-10-27
• 公開（公告）號: CN101310441A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發明（設計）人: 克里斯特弗·圖馬佐;弗朗西斯科·坎尼羅
• 申請（專利權）人: 托馬茲技術有限公司
• 主分類號: H03K19/094
• 分類號: H03K19/094
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 王波波

1.一種數字電路，包括：第一支路，包括作為負載器件的第一金屬氧化物半導體場效應晶體管；第二支路，包括作為負載器件的第二金屬氧化物半導體場效應晶體管；和用來選擇第一支路和第二支路之一的開關裝置；其中第一晶體管和第二晶體管中的每一個都具有100納米或更小的溝道長度，并且被偏置在弱反型區工作。

2.根據權利要求1所述的數字電路，其中每個負載器件的襯底都與它的漏極相連。

3.一種數字電路包括：第一支路，包括作為負載器件的第一金屬氧化物半導體場效應晶體管；第二支路，包括作為負載器件的第二金屬氧化物半導體場效應晶體管；和用來選擇第一支路和第二支路之一的開關裝置；其中每個負載器件的襯底都與它的漏極相連，并且被偏置在弱反型區工作。

4.根據權利要求1至3中的任何一項所述的數字電路，其中第一晶體管和第二晶體管中的每一個都具有小于100納米的溝道長度。

5.根據權利要求1至3中的任何一項所述的數字電路，其中第一晶體管和第二晶體管中的每一個都是PMOS晶體管。

6.根據權利要求1至3中的任何一項所述的數字電路，其中第一晶體管和第二晶體管中的每一個都是NMOS晶體管。

7.根據權利要求1至3中的任何一項所述的數字電路，其中開關包括按照電流模式邏輯結構配置的第三金屬氧化物半導體場效應晶體管和第四金屬氧化物半導體場效應晶體管。

8.根據權利要求7所述的數字電路，其中第一晶體管和第二晶體管中的每一個都是PMOS晶體管，第三晶體管和第四晶體管中的每一個都是NMOS晶體管。

9.根據權利要求7所述的數字電路，其中第一晶體管和第二晶體管中的每一個都是NMOS晶體管，第三晶體管和第四晶體管的每一個都是PMOS晶體管。

10.根據權利要求1至3中任何一項所述的數字電路，還包括用于將第一晶體管和第二晶體管偏置在弱反型區工作的偏置電路。

11.一種集成電路，包括多個如權利要求1至3中的任何一項所定義的數字電路。

12.一種計算邏輯功能的方法，所述方法包括把輸入信號施加在權利要求1至3中的任何一項所定義的數字電路中的第一金屬氧化物半導體場效應晶體管和第二金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極。