[發明專利]使用陣列電容器核心的封裝

有效

• 申請號: 200680041819.6
• 申請日: 2006-12-06
• 公開（公告）號: CN101305455A
• 公開（公告）日: 2008-11-12
• 發明（設計）人: K·D·艾勒特;K·拉達克里希南;K·艾京;M·J·希爾
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498;H01L23/64
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 陳松濤;王英

1.一種方法，包括：

對基板進行鉆孔或蝕刻，以便暴露所述基板中的占據微過孔區的微過孔，所述微過孔在頂部基板層之間提供電連接，所述頂部基板層具有頂部表面，該頂部表面具有用于附著到半導體管芯以形成封裝器件的附著接觸部，微過孔嵌在所述頂部基板層中；

將陣列電容器結構設置成與所述微過孔區接觸，所述陣列電容器結構電連接到所述微過孔；以及

在所述陣列電容器結構上形成底部基板層，所述底部基板層具有與封裝基板上的至少一個外部焊盤或引腳的電連接。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，對所述基板進行鉆孔或蝕刻的步驟包括：

對所述基板進行鉆孔或蝕刻，以完全地去除所述基板的核心。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，設置所述陣列電容器結構的步驟包括：

疊置多個陣列電容器。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，設置所述陣列電容器結構的步驟包括：

彼此鄰接地設置多個陣列電容器。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述底部基板層的步驟包括：

形成電連接到所述陣列電容器結構的所述底部基板層。

6.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

穿過所述陣列電容器結構布設信號和功率連接。

7.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

通過管芯凸起將管芯附著到所述基板的表面，所述管芯凸起電連接到所述微過孔。

8.一種封裝基板，包括：

頂部基板層，所述頂部基板層具有頂部表面，該頂部表面具有用于附著到半導體管芯以形成封裝器件的附著接觸部，所述頂部基板層嵌有微過孔，所述微過孔占據微過孔區并且在頂部基板層之間提供電連接；

陣列電容器結構，該陣列電容器結構被設置成與所述微過孔區接觸，所述陣列電容器結構電連接到所述微過孔；以及

底部基板層，該底部基板層形成在所述陣列電容器結構上，所述底部基板層具有與封裝基板上的至少一個外部焊盤或引腳的電連接。

9.根據權利要求8所述的封裝基板，其中，所述陣列電容器結構占據所述基板的主要部分或整個核心。

10.根據權利要求8所述的封裝基板，其中，所述陣列電容器結構包括彼此疊置的多個陣列電容器。

11.根據權利要求8所述的封裝基板，其中，所述陣列電容器結構包括彼此鄰接設置的多個陣列電容器。

12.根據權利要求8所述的封裝基板，其中，所述底部基板層電連接到所述陣列電容器結構。

13.根據權利要求8所述的封裝基板，其中，所述陣列電容器結構包括信號和功率連接。

14.一種集成電路封裝，包括：

具有管芯凸起的管芯；和

封裝基板，其通過所述管芯凸起附著到所述管芯上，所述封裝基板包括：

頂部基板層，該頂部基板層具有頂部表面，該頂部表面具有用于附著到半導體管芯以形成封裝器件的附著接觸部，所述頂部基板層嵌有微過孔，所述微過孔占據微過孔區并且在頂部基板層之間提供電連接，

陣列電容器結構，其被設置成與所述微過孔區接觸，所述陣列電容器結構電連接到所述微過孔，以及

底部基板層，其形成在所述陣列電容器結構上。

15.根據權利要求14所述的集成電路封裝，其中，所述陣列電容器結構占據所述基板的主要部分或整個核心。

16.根據權利要求14所述的集成電路封裝，其中，所述陣列電容器結構包括彼此疊置的多個陣列電容器。

17.根據權利要求14所述的集成電路封裝，其中，所述陣列電容器結構包括彼此鄰接設置的多個陣列電容器。

18.根據權利要求14所述的集成電路封裝，其中，所述底部基板層電連接到所述陣列電容器結構。

19.根據權利要求14所述的集成電路封裝，其中，所述陣列電容器結構包括信號和功率連接。

20.根據權利要求14所述的集成電路封裝，其中，所述管芯凸起電連接到所述微過孔。