[發明專利]旋轉卡盤

有效

• 申請號: 200680038583.0
• 申請日: 2006-10-26
• 公開（公告）號: CN101292325A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發明（設計）人: 權五珍;裴正龍;崔貞烈
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 禇海英;陳桂香

技術領域

本發明涉及用于制造半導體器件的裝置，更具體地說，本發明涉及在旋轉基底的同時進行如清洗處理和蝕刻處理等處理過程中所使用的旋轉卡盤。

背景技術

多層薄膜形成于半導體基底上以用于制備半導體器件。通常，在多層薄膜的形成過程中有必要采用蝕刻處理。由于沉積在半導體基底背面的薄膜在隨后的處理中會成為外物，因此借助于單晶片蝕刻裝置也對半導體基底的背面進行蝕刻處理，以去除所述外物。

在對半導體基底的背面進行蝕刻處理時所使用的傳統旋轉卡盤中，由旋轉馬達所產生的旋轉力借助于傳送帶傳送到圍繞通孔軸的主軸，以使旋轉頭旋轉。蝕刻劑通過安裝在旋轉頭上的背部噴嘴被注入在半導體基底的背面，從而對半導體基底的背面進行蝕刻。

盡管傳統的單晶片蝕刻裝置在蝕刻帶有凹陷(notch)的基底時沒有問題出現，但是當傳統的單晶片蝕刻裝置在蝕刻帶有平臺區的基底(通常為200毫米的基底)時就會出現一些問題。這些問題如下：(1)由于基底平臺區造成的氣流不平衡導致基底背面的蝕刻均勻性降低；以及(2)從背部噴嘴流出的蝕刻劑從基底平臺區滲透到形成有圖案的頂面中，從而使毗鄰平臺區的圖案受損。

發明內容

本發明的一個示例性實施例中提供一種用于降低氣流不平衡的旋轉卡盤。

本發明的另一個示例性實施例中提供一種用于增強基底背面的蝕刻均勻性的旋轉卡盤。

本發明的另一個示例性實施例中提供一種旋轉卡盤，其用于防止從背部噴嘴流出的蝕刻劑滲透到形成有圖案的基底頂面中。

在一個示例性實施例中，所述旋轉卡盤可包括可旋轉的旋轉頭，所述旋轉頭上放置有基底；驅動單元，其被配置為使旋轉頭轉動；主軸，其被配置為連接所述驅動單元和所述旋轉頭；以及固定支架，其安裝在所述旋轉頭上，在對應于所述基底的平臺區的位置，所述固定支架包括與所述基底的平臺區的平臺面相接觸的接觸平面，以防止所述平臺區引起的渦流。

在一個示例性實施例中，所述旋轉卡盤可包括可旋轉的旋轉頭，所述旋轉頭上放置有基底，所述基底具有帶多個平臺面的邊緣；驅動單元，其被配置為使所述旋轉頭轉動；主軸，其被配置為連接所述驅動單元和所述旋轉頭；以及安裝在所述旋轉頭的上邊緣上的多個固定支架，以補足所述基底的形狀，其中，多個固定支架中的每個包括板，該板具有與所述基底的平臺面相接觸的接觸平面。

根據本發明，旋轉卡盤包括與基底平臺區具有相同形狀的固定支架，用以防止由平臺區引起的氣流不平衡。于是，蝕刻劑被均勻地注射到基底的背面來增強背面蝕刻的均勻度，尤其用以防止注射到基底背面的蝕刻劑從平臺區滲透到形成有圖案的基底頂面中。

附圖說明

圖1圖示了帶有根據本發明的用于旋轉基底的旋轉卡盤的單晶片蝕刻裝置；

圖2和圖3分別是圖1所示旋轉卡盤的俯視平面圖和截面視圖；

圖4圖示了帶有根據本發明的用于旋轉LCD基底的旋轉卡盤的單晶片蝕刻裝置；

圖5是圖4所示旋轉卡盤的俯視平面圖；

圖6和圖7分別是圖示固定支架的行進過程的主要部件的放大圖，。

具體實施方式

圖1圖示了根據本發明的一個實施例的旋轉卡盤100，圖2和圖3分別是旋轉卡盤100的俯視平面圖和截面視圖。

參照圖1，旋轉卡盤100可應用于蝕刻基底W的背面的單晶片蝕刻裝置200。由于單晶片蝕刻裝置200用酸性溶液(以下稱為蝕刻劑)去除形成于基底表面上的預定層，容器210設置在旋轉卡盤100周圍以保護周邊部件。在容器210周圍可提供有多個部件(未示出)，以用于蝕刻由容器210內的旋轉卡盤100所固定的基底。

根據單晶片蝕刻裝置200，在使用旋轉卡盤100旋轉基底的同時，對基底背面進行蝕刻處理。

下面將參照圖1至圖3，更詳盡地描述旋轉卡盤100的結構。

旋轉卡盤100包括旋轉頭110，旋轉頭110上放置有基底W。旋轉頭110的頂面112的邊緣處安裝有多個卡銷120。卡銷120以一定間隔隔開并向上凸出。多個支撐銷114安裝在卡銷120的內側。與卡銷120類似，支撐銷114以一定間隔隔開并向上凸出。支撐銷114用于支撐基底W的背面W1，并且卡銷120用于防止基底W受離心力的作用而從旋轉頭110上脫離。基底W由卡銷120固定，同時受旋轉頭110上的支撐銷114的支撐，卡銷120是安裝于旋轉頭110上的固定元件。借助于卡銷120的離心旋轉操作，基底W的后表面邊緣以及側面被固定或不固定。